目录 1
第一章 微电子学的砥柱——集成电路 1
1.1 微电子学的发展 1
1.2 大规模集成电路技术的现状 5
1.3 微电子学今后的发展 10
第二章 半导体的电气特性 15
2.1 晶格结构与能带结构 15
2.2 载流子 31
2.3 载流子的产生与复合 50
2.4 强电场效应 55
2.5 器件分析的基本方程 60
第三章 半导体器件 62
3.1 半导体-金属接触和pn结 62
3.2 双极晶体管 76
3.3 MOS场效应晶体管 94
3.4 肖特基栅场效应晶体管 116
第四章 半导体器件和集成电路的制造技术 123
4.1 集成电路制造技术的基本考虑 123
4.2 硅单晶 124
4.3 晶体缺陷和杂质吸收 129
4.4 外延生长 132
4.5 硅的氧化与氧化膜的性质 142
4.6 化学气相淀积（CVD）法生长薄膜 159
4.7 杂质掺杂——扩散和离子注入 170
4.8 金属连线 185
4.9 光刻工艺 192
4.10 图形的刻蚀 213
4.11 工艺模拟 222
第五章 半导体集成电路的基本结构 230
5.1 双极型集成电路的基本结构 231
5.2 双极型和MOS型混合的单片集成电路 238
5.4 MOS VLSI的基本结构 244
5.5 MOS VLSI的应用 247
第六章 Ⅲ-Ⅴ族半导体和约瑟夫森集成电路 258
6.1 集成电路用的材料——Ⅲ-Ⅴ族半导体和硅 258
5.3 MOS型集成电路的基本结构 259
6.2 Ⅲ-Ⅴ族半导体的能带结构的设计 262
6.3 Ⅲ-Ⅴ族半导体器件 267
6.4 Ⅲ-Ⅴ族半导体集成电路 276
6.5 约瑟夫森结的物理基础 280
6.6 约瑟夫森结电路 288
6.7 约瑟夫森集成电路 298
参考书 301
索引 305