目录 1
第一章 用于超大规模集成电路的硅材料的检测 1
Ⅰ．引言 1
A．工艺与检测之间的相互影响 1
B．硅中的杂质 4
Ⅱ．检测技术 10
A．化学物质的种类 10
B．物理缺陷的检测 29
C．电学检测 36
Ⅲ．多晶硅 40
A．多晶硅的生长 41
B．多晶硅的检测 42
Ⅳ．单晶硅 45
A．生长工艺 46
B．晶体生长中杂质的行为 47
C．晶体材料的检测 48
Ⅴ．硅片制备 50
A．切割、研磨和抛光 51
C．热处理史和成核 52
B．背面损伤 52
D．硅片的检测 53
Ⅵ．小结 57
附录 单晶硅中五十四种元素的性质 57
参考文献 87
第二章 过渡金属硅化物的形成及特性分析 90
Ⅰ．引言 90
Ⅱ．硅化物的形成及特性分析 100
A．薄膜淀积 100
B．分析工具 101
C．横向无限薄膜 106
D．硅上的单金属薄膜 106
E．硅上的多层薄膜 149
F．硅上的多元薄膜 152
G．横向有限薄膜 158
Ⅲ．硅化物的转变 160
A．在硅上生长的硅化物层的稳定性 160
B．氧化气氛中的硅化物层 164
互作用 172
C．过渡金属硅化物与淀积在它上面的金属薄膜的相 172
Ⅳ．硅化物的性质 173
A．过渡金属硅化物的电学性质 173
B．硅化物与硅接触的势垒高度 175
C．多性能的硅化物 182
附录 硅化物表 185
参考文献 275
第三章 用于超大规模集成电路的硅材料的性质 285
Ⅰ．引言 285
Ⅱ．硅材料的制备和超大规模集成电路：概述 287
Ⅲ．对于超大规模集成电路至关重要的硅材料现象 295
A．原生点缺陷的均匀分布 295
B．从电路的AEG处吸除有害点缺陷 299
C．从电路的AEG处排除晶体应变和材料的不完整性 305
D．在整个超大规模集成电路工艺中保持片子的平 314
整度 314
Ⅳ．点缺陷和晶体应变在超大规模集成电路中的电学效应 316
Ⅴ．硅材料工艺演变的历史沿革 327
Ⅵ．结论：建议 333
参考文献 336
第四章 用于超大规模集成电路的材料的检测 344
Ⅰ．引言 344
Ⅱ．化学分析 346
A．电子束激发 348
B．离子束激发 354
C．X射线激发 359
Ⅲ．成象 363
A．表面成象 363
Ⅳ．物理缺陷检测 364
B．化学物质成象 364
A．X射线形貌术 365
B．透射电子显微术 367
C．离子背散射 370
D．电子束激发 370
Ⅴ．电学功能性质 373
A．深能级瞬态能谱 373
B．寿命 374
Ⅵ．超大规模集成电路检测技术的要求 374
参考文献 376