第一章 SiC半导体材料及其性质 1
1．1 应用潜力巨大的极端电子学材料 1
1．2 SiC的基本性质 6
1．3 SiC多型的结构 14
1．4 电子有效质量各向异性对霍尔因子的影响 19
1．5 4H-SiC中电子的有效质量 24
1．6 SiC多型的基态性质 27
参考文献 29
第二章 SiC单晶体的生长 31
2．1 AchesOn法和Lely法 31
2．2 可控的同质多型现象及同质多型的选择性 41
2．3 SiC单晶的质量评价与缺陷 49
参考文献 70
第三章 SiC薄膜的生长及其机理 72
3．1 SiC-Si的异质外延生长 72
3．2 SiC-Si异质外延生长的模拟与实验 75
3．3 CVD法生长SiC的热动力学相图 85
3．4 SiC的同质外延生长 103
3．5 6H-SiC分步外延的生长机理 107
3．6 蓝宝石复合衬底上的异质外延 115
3．7 各种衬底上SiC外延薄膜的比较 130
3．8 薄膜缺陷 135
参考文献 140
第四章 品质因数与宽带隙半导体的应用 143
4．1 半导体器件的物理极限与品质因数 144
4．2 用于电力器件的6H-SiC、3C-SiC和Si的比较 153
4．3 4H-SiC、GaAs和Si的射频MESFET功率器件的比较 167
4．4 金刚石及SiC在微波及毫米波功率器件中的应用 171
4．5 SiC光电器件与传感器 183
4．6 SiC紫外线光电二极管 190
参考文献 196
第五章 SiC器件工艺 199
5．1 局部外延 200
5．2 氧化/钝化 202
5．3 刻蚀 217
5．4 掺杂 228
5．5 互连、接触与隔离 233
参考文献 249
第六章 GaN基Ⅲ-V族氮化物宽带隙半导体 251
6．1 Ⅲ-V氮化物的基本性质和结构的多型性 251
6．2 氮化物晶体薄膜的生长 252
6．3 氮化物器件工艺技术 257
6．4 氮化物合金的性质 260
6．5 Ⅲ-V氮化物的作用 262
6．6 碳化硅-氮化铝结构 266
参考文献 267
附录 碳化硅的主要数据 269