序………………………………………………………（i） 1
前言………………………………………………………（iii）第一章从电子管到晶体管 1
1.1 人类的历史，就是一个不断地从必然王国向自由王国发展的历史 1
目录 1
1.2无线电电子技术的“心脏” 2
1.3从电子管到晶体管 2
第二章什么是半导体 6
2.1导体、绝缘体和半导体 6
2.2多晶体和单晶体 7
2.3半导体有哪些奇怪的“脾气” 8
第三章半导体是怎样导电的 10
3.1两种类型的杂质 10
3.2少数载流子和多数载流子 11
3.3迁移率和寿命有什么意义 13
4.1奇怪的发现 17
第四章p-n结 17
4.2有趣的现象——阻挡层的形成 18
4.3 p-n结是怎样整流的 21
第五章用合金法制造p-n结 25
5.1用合金去如何形成p-n结 25
5.2应该选用哪些合金材料 28
5.3为什么要在氢气或真空中烧结 30
5.4烧结温度要多高 32
5.5烧结时间要多长 34
5.6为什么烧结后要进行缓慢冷却 35
5.7合金工艺的改进——蒸发合金法 37
第六章用扩散法制造p-n结 44
6.1从一个最简单的现象谈起 44
6.2用扩散法如何形成p-n结 45
6.3几种常用的扩散方法 47
6.4哪些材料可以用作扩散杂质源 55
6.5扩散温度要多高 57
6.6扩散的时间要多长 60
6.7扩散法的好处在哪里 61
第七章如何制作欧姆接触电极 65
7.1为什么要制作欧姆接触电极 65
7.2用烧结合金方法制作欧姆接触电极 66
7.3用蒸发合金方法制作欧姆接触电极 68
7.4用电镀或化学淀积金属方法制作欧姆接触电极 69
7.5 用热压法形成欧姆接触电极 70
7.6如何使引线与电极焊接 74
第八章 晶片的切割和晶片的表面处理 80
8.1半导体单晶体具有人眼看不见的方向性 80
8.2奇特的切割方法——研磨 83
8.3为提高晶片表面的平整性而努力 86
9.1驮载声音的“快马” 95
第九章晶体二极管 95
9.2从矿石检波器谈起 96
9.3从电子管检波器回到晶体检波器 97
9.4 晶体二极管的特性 98
第十章点接触晶体二极管 107
10.1简单的结构，方便的工艺 107
10.2高频率领域的杰出尖兵 108
10.3用什么金属材料做触丝 109
10.4点接触二极管的管壳结构 112
第十一章面结型晶体二极管 116
11.1面结型二极管有哪些特点 116
11.2锗面结型二极管 117
11.3硅面结型二极管 118
11.4大功率硅面结型二极管 120
第十二章晶体三极管 125
12.1新型的电子器件 125
12.2晶体管的基本结构 127
12.3晶体管的放大原理 128
12.4晶体管的电压－电流特性曲线 133
1 2.5晶体管的符号表示 140
第十三章晶体管质量的标志——晶体管的参数 143
13.1晶体管的放大特性参数 144
13.2晶体管的频率特性参数 154
13.3晶体管的极限参数 168
13.4晶体管的直流特性参数 180
13.5晶体管的开关特性参数 185
13.6晶体管的噪声系数 200
第十四章合金型晶体管 207
14.1两个合金结 207
14.2锗合金管 213
14.3硅合金管 219
14.4大功率合金管 223
14.5特别现象—穿通 229
14.6美中不足——截止频率低 231
第十五章漂移型晶体管 235
15.1加进一层扩散层 235
15.2漂移电场，加快了载流子运动速度 236
15.3集电结电容Cc和基极电阻rbb′为什么变得小了 241
15.4关键在哪里 243
第十六章合金扩散型晶体管 248
16.1混合杂质源 248
16.2一举两得—扩散结和合金结同时完成 249
16.3烧“穿”了的扩散层 252
16.4潜力还很大 254
16.5提高功率 261
第十七章台面晶体管 267
17.1进一步减小基区宽度 267
17.2齐头并进——结构的改进和工艺的完善 270
17.3交叉蒸发合金工艺 274
17.4硅台面管 281
17.5高频大功率台面管 284
第十八章平面晶体管 290
18.1结表面的沾污问题 290
18.2保护膜——二氧化硅膜 291
18.3在硅片上生长二氧化硅膜 292
18.4光刻 297
18.5两个扩散结的获得 303
18.6蒸发欧姆接触电极和引线的热压焊 313
18.7大功率硅外延平面管 321
18.8 p-n-p型硅平面管 328
18.9锗平面管 330
18.10平面管好在哪里 333
第十九章晶体管的封装 336
19.1为什么要密封晶体管 336
19.2玻璃管壳封装 337
19.3金属管壳封装 341
19.4大功率晶体管的管壳结构 345
19.5塑料封装 347
第二十章昨天今、天和明天 349
* * * 358
附录一场效应晶体管 358
附录二薄膜晶体管 368
附录三外延生长技术 370
附录四半导体集成电路 381
附录五锗、硅和砷化镓的主要物理性能 414
附录六锗和硅半导体材料的杂质浓度N与电阻率ρ 415
的换算 415
附录七半导体器件制造工业中一些常用的金属和合 418
金及其主要性能 418
附录八我国半导体器件型号命名法 424