目录 1
译者的话 1
作者前言 1
第一章 固体中的能带 1
1-1 带电粒子 1
1-2 场强、电位、能量 2
1-3 能量的电子伏特（eV）单位 5
1-4 原子的性质 6
1-5 原子的能级 8
1-6 元素的电子结构 12
1-7 晶体的能带理论 15
1-8 绝缘体、半导体和金属 17
复习题 19
参考书刊 20
习题 20
第二章 半导体中的迁移现象 25
2-1 迁移率和导电率 25
2-2 本征半导体中的电子和空穴 28
2-3 施主杂质和受主杂质 31
2-4 半导体中的电荷密度 33
2-5 锗和硅的电性质 34
2-6 霍耳效应 37
2-7 导电率的调制 39
2-8 电荷的生成和复合 42
2-9 扩散 45
2-10 连续性方程 47
2-11 注入的少数载流子 48
2-12 递变掺杂的半导体内的电位变化 51
2-13 小结 54
复习题 55
参考书刊 56
习题 57
第三章 结型二极管的特性 60
3-1 开路的pn结 60
3-2 作为整流器的pn结 63
3-3 pn结二极管的各个电流分量 66
3-4 伏安特性曲线 69
3-5 伏安特性与温度的关系 73
3-6 二极管的电阻 74
3-7 空间电荷层电容（或过渡层电容）CT 75
3-8 二极管的电荷控制描述式 80
3-9 扩散电容 82
3-10 结型二极管的开关时间 84
3-11 击穿二极管 87
3-12 隧道二极管 90
3-13 半导体光电二极管 93
3-14 光伏特效应 95
3-15 发光二极管 97
复习题 98
参考书刊 100
习题 101
第四章 二极管电路 107
4-1 作为电路元件的二极管 107
4-2 负载线的概念 109
4-3 二极管的分段线性化模型 110
4-4 削波（限幅）电路 114
4-5 两个不同电平处的削波作用 117
4-6 比较器 120
4-7 取样门 121
4-8 整流器 124
4-9 其它的全波整流电路 130
4-10 电容滤波器 131
4-11 其它的二极管电路 136
复习题 138
习题 140
参考书刊 140
第五章 晶体管的特性曲线 149
5-1 结型晶体管 149
5-2 晶体管的各个电流分量 152
5-3 作为放大器的晶体管 155
5-4 晶体管的构造 156
5-5 共基极电路 158
5-6 共发射极电路 163
5-7 共发射极的截止区 167
5-8 共发射极的饱和区 169
5-9 晶体管结电压的典型数值 172
5-10 共发射极电流增益 177
5-11 共集电极电路 178
5-12 晶体管特性曲线的解析表示式 179
5-13 最高额定电压 183
5-14 光电晶体管 186
复习题 187
参考书刊 189
习题 190
第六章 数字电路 198
6-1 数字（二进制）系统的运用 198
6-2 “或”门 201
6-3 “与”门 204
6-4 “非”电路或“反相器”电路 206
6-5 晶体管的开关时间 210
6-6 “禁止”（选通）运算 213
6-7 异或电路 214
6-8 狄·莫根定律 216
6-9 “与非”及“或非”二极管——晶体管逻辑（DTL）门 219
6-10 改进型（集成电路型） 224
DTL门 224
6-11 高阈逻辑（HTL）门 230
6-12 晶体管-晶体管逻辑（TTL）门 231
6-13 输出级 233
6-14 电阻-晶体管逻辑（RTL）和直接耦合晶体管逻辑（DGTL） 236
6-15 各种逻辑族的比较 240
复习题 242
参考书刊 244
习题 244
第七章 集成电路的制造和特性 257
7-1 集成电路的工艺 257
7-2 基本的单片集成电路 258
7-3 外延生长 263
7-4 掩模和刻蚀 264
7-5 杂质的扩散 265
7-6 单片电路中的晶体管 270
7-7 单片二极管 276
7-8 集成电阻 278
7-9 集成电容和电感 281
7-10 集成电路的布局 283
7-11 其它的隔离方法 287
7-12 大规模集成（LSI）和中规模集成（MSI） 290
7-13 金属-半导体接触 291
复习题 293
参考书刊 295
习题 296
第八章 晶体管的低频运用 301
8-1 共发射极接法的图解分析 301
8-2 二端口器件及h参数模型 305
8-3 晶体管的h参数模型 307
8-4 h参数 309
8-5 晶体管三种接法的h参数变换公式 312
8-6 用h参数分析晶体管放大电路 314
8-7 戴维宁定理和诺顿定理及其推论 319
8-8 射极跟随器 321
8-9 晶体管放大器三种接法的比较 322
8-10 晶体管电路的线性分析 325
8-11 密勒定理及其对偶定理 325
8-12 晶体管级联放大器 329
8-13 简化的共发射极h参数模型 334
8-14 共集电极接法的简化计算 336
8-15 有发射极电阻的共发射极放大器 340
8-16 高输入电阻的晶体管电路 345
复习题 351
参考书刊 353
习题 354
第九章 晶体管的偏置和热稳定性 368
9-1 工作点 368
9-2 偏置的稳定性 371
9-3 自偏置或发射极偏置 373
9-4 对ICO、VBE和β变化采取的稳定措施 376
9-5 关于集电极电流稳定的一般说明 382
9-6 偏置的补偿 388
9-7 线性集成电路的偏置技术 390
9-8 热敏电阻型和感温电阻型补偿 392
9-9 热失控 393
9-10 热稳定 395
复习题 398
参考书刊 399
习题 399
第十章 场效应晶体管 405
10-1 结型场效应晶体管 406
10-2 夹断电压VP 410
10-3 结型场效应晶体管的伏安特性 411
10-4 场效应晶体管的小信号模型 414
10-5 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 418
（MOSFET） 418
10-6 MOSFET数字电路 425
10-7 低频共源和共漏放大器 430
10-8 场效应晶体管的偏置 433
10-9 场效应晶体管作为压变电阻（VVR） 438
10-10 高频共源放大器 440
10-11 高频共漏极放大器 444
复习题 445
参考书刊 446
习题 447
附录A 458
附录B 459