目录 1
第一篇 逻辑设计基础 1
第一章 逻辑代数基础 1
1.1 逻辑代数的基本概念 1
1.2 逻辑代数的公式 3
1.3 逻辑函数的化简 6
第二章 触发器 33
2.1 触发器的基本形式及类型 33
2.2 维持-阻塞触发器及主-从触发器 39
2.3 触发器的变换 44
第三章 基本逻辑部件 50
3.1 加法器 50
3.2 译码器 55
3.3 计数器 64
3.4 移位寄存器 73
第二篇 双极型逻辑集成电路 76
第四章 集成电路的寄生效应 76
4.1 双极型逻辑集成电路的元件结构和寄生效应 76
4.2 晶体管模型和有源寄生 80
4.3 结电容和扩散电阻模型 86
5.1 简易TTL“与非”门 93
第五章 晶体管-晶体管逻辑（TTL）集成电路 93
5.2 五管单元TTL“与非”门 110
5.3 六管单元TTL“与非”门 121
5.4 抗饱和TTL“与非”门电路 128
5.5 TTL“与非”门电路的温度特性 129
5.6 TTL门电路的逻辑扩展 133
5.7 双极型集成触发器 137
第六章 TTL电路版图设计 142
6.1 晶体管设计 142
6.2 二极管设计 146
6.3 电阻设计 148
6.4 版图设计举例 152
第七章 发射极耦合逻辑（ECL）电路 164
7.1 ECL电路的工作原理 164
7.2 ECL电路的特性和参数 166
7.3 ECL电路的逻辑扩展 172
7.4 ECL电路的设计特点 174
第八章 集成注入逻辑（I2L）电路 176
8.1 I2L电路的工作原理 176
8.2 I2L电路器件分析 181
8.3 I2L电路的特性 187
8.4 I2L电路的逻辑组合和接口电路 199
8.5 I2L电路的版图设计和工艺考虑 205
8.6 I2L电路的改进和发展 210
第三篇 MOS型逻辑集成电路 215
第九章 MOS集成电路中的晶体管 215
9.1 MOS晶体管的直流特性 215
9 2 MOS晶体管的主要参数 218
9.3 MOS晶体管的温度特性 230
9.4 衬底偏置效应对阈电压的影响 233
第十章 MOS倒相器和门电路 235
10.1 电阻负载MOS倒相器 235
10.2 E/EMOS倒相器和门电路 238
10.3 E/D MOS倒相器和门电路 262
10.4 CMOS倒相器和门电路 273
10.5 CMOS传输门 282
10.6 设计举例 286
第十一章 动态MOS电路 289
11.1 动态MOS倒相器和门电路 289
11.2 动态MOS移位寄存器 294
11.3 设计举例 305
第十二章 MOS逻辑电路 310
12.1 MOS触发器 310
12.2 MOS计数器 319
12.3 MOS电路设计方法 322
第十三章 MOS存储器 337
13.1 随机存取存储器 337
13.2 唯读存储器和可编程序逻辑阵列 347
13.3 可编程序唯读存储器 354
第四篇 模拟集成电路 364
第十四章 模拟集成电路中的基本电路 364
14.1 模拟集成电路基础——差分放大器 364
14.2 运算放大器的输入级电路 374
14.3 恒流源电路 377
14.5 电平位移电路 381
14.4 有源负载（动态负载） 381
14.6 双端输入变单端输出（单端化）电路 383
14.7 输出级及输出级保护电路 386
14.8 内部稳压源电路 389
14.9 模拟乘法电路 394
第十五章 集成运算放大器电路分析 397
15.1 运算放大器的基本应用 397
15.2 运算放大器的频率补偿技术 403
15.3 集成运放电路分析举例（通用型） 413
第十六章 模拟集成电路版图设计 430
16.1 模拟集成电路中的几种特殊元件 430
16.2 集成运算放大器版图设计 442