第一章 绪论 1
目录 1
第二章 VLSI电子学物理效应与数理方程 7
2-1 半导体中的基本数理方程 7
2-2 空间电荷效应 9
2-3 热载流子效应 19
2-4 小尺寸量子效应 24
2-5 弹道效应 33
2-6 约瑟夫逊效应 39
参考文献 47
第三章 VLSI器件基本方程的数值解 49
3-1 半导体器件基本方程的数值解 49
3-2 GaAs FET′s的有限元二维数值分析 75
参考文献 88
4-1 载流子的迁移率 89
第四章 VLSI电子学基本参数和特性 89
4-2 载流子的注入和复合 102
4-3 半导体的热传导 110
4-4 超导能隙 112
4-5 超导体的穿透深度和相干长度 114
参考文献 120
第五章 VLSI电子学材料 123
5-1 材料对器件和电路性能的影响 123
5-2 合金半导体的概念 125
5-3 合金半导体的原子排列 127
5-4 合金半导体的晶格振动 129
5-5 合金半导体的能隙与迁移率 133
5-6 异质结 135
5-7 超晶格材料 138
5-8 超导材料 143
5-9 高温超导材料特性 145
5-10 高温超导薄膜 149
参考文献 149
第六章 GaAs VLSI电子学 151
6-1 GaAs VLSI器件结构 153
6-2 GaAs器件原理和电路模型 160
6-3 GaAs VLSI基本电路 168
参考文献 178
第七章 HEMT VLSI电子学 179
7-1 HEMT VLSI器件结构 180
7-2 HEMT物理模型和电路模型 189
7-3 HEMT大规模集成电路 207
参考文献 209
8-1 超导VLSI器件结构 211
第八章 超导VLSI电子学 211
8-2 两端超导器件物理模型 222
8-3 两端超导器件电路模型 238
8-4 超导量子干涉器（SQUID）工作原理与电路模 245
型 245
8-5 超导结型晶体管工作原理 249
8-6 超导结型晶体管电路模型 258
8-7 超导场效应晶体管物理模型和工作原理 262
8-8 超导超大规模集成电路 270
参考文献 277
第九章 VLSI电子学基本极限 278
9-1 VLSI物理极限 280
9-2 VLSI的工艺极限 306
9-3 VLSI电路复杂性极限 321
9-4 VLSI经济极限 325
参考文献 326