目录 3
综述 3
双极技术发展趋势 3
多晶硅发射极双极晶体管的理论和实验 24
亚微米与亚半微米双极技术 58
理论模型 75
SIS隧道发射：薄界面层发射区理论 75
发射极接触对硅双极器件电流增益的影响 88
界面层在多晶硅发射极双极晶体管中的作用 96
多晶硅发射极双极晶体管的解析和数值综合模型 114
多晶硅发射区的热离子发射-扩散模型 143
不连续类氧化层界面多晶硅发射极晶体管理论模型 149
多晶硅发射区中的少数载流子注入理论 165
实验研究 177
砷注入多晶硅发射极高性能晶体管 177
多晶硅发射极晶体管实验结果和理论结果的比较 185
具有薄界面氧化层的多晶硅发射极的电导机制 202
具有多晶硅隧道结发射区接触的高增益双极晶体管 210
少数载流子在多晶硅／单晶硅界面传输的实验研究 227
多晶硅发射极双极晶体管中增益的增强和基区掺杂之间折衷关系的研究 251
多子和少子在多晶硅发射区接触中的传输 270
砷和磷掺杂的多晶硅发射极晶体管的发射极电阻 279
人为生长界面氧化层的多晶硅发射极晶体管的发射极电阻与电流增益的折衷关系研究 286
多晶硅接触的n+-p结中界面的扩散势垒和电学势垒的关系 292
超大规模集成电路中双极晶体管多晶硅发射极接触的物理、技术和模型 303
砷和磷掺杂多晶硅发射极双极晶体管实验结果与计算结果的比较 337
薄界面氧化层对硅双极器件电学性能的影响 353
多晶硅发射极双极晶体管中界面氧化层热稳定性的研究 363
多晶硅薄膜氧化动力学 382
集成电路中多晶硅薄膜载流子迁移率的实验研究和理论模型 396
多晶硅发射极接触双极晶体管的发射区和基区渡越时间 407
工艺技术与应用 425
一种先进的高性能沟槽隔离自对准双极技术 425
采用硼砷多晶硅工艺的高速双极技术的工艺和器件特性 441
HE工艺：一种用于模拟和数字电路的先进沟槽隔离双极技术 461
以ZrN作掩模和用SF6作反应气体的深槽刻蚀工艺 469
先进高性能ECL电路中沟槽隔离电容按比例缩小性质的研究 472
BSA：基区结深小于0.1μm的双极晶体管技术 483
先进的自对准双极晶体管的穿通特性 489
先进窄发射区双极晶体管的尺寸缩小对瞬态特性的影响 502
采用超自对准工艺技术制作30ps的硅双极集成电路 512
双极VLSI中的自对准多晶硅发射极晶体管 524
单层多晶硅自对准基极和亚微米发射极接触的高速双极技术 537
纵向隔离自对准晶体管——VIST 543
3GHz的横向pnp晶体管 555
73GHz自对准锗硅基区和磷掺杂多晶硅发射极双极晶体管 562