目 录 1
1．半导体物理的一些基本概念 1
1-1固体中的能带结构 1
1-2费米分布函数和费米能级 5
1-3半导体晶体中的电子和空穴 9
1-4本征半导体中的载流子浓度 12
1-5半导体中的施圭杂质和受主杂质 16
1-6电阻率和电导率 26
2．结的理论与特性 35
2-1载流予扩散 35
2-2载流子寿命 38
2-3平衡结 44
2-4非平衡结 60
2-5结电容 75
2-6反向击穿 77
3．杂质扩散和扩散结的性质 82
3-1扩散理论 82
3-2 工艺因素对扩散分布的影响 89
3-3扩散层的测定 94
3-4扩散结的性质 104
3-5金扩散 110
4．晶体管基本原理 114
4-1用作放大器的n-p-n结型晶体管 114
4-2电流增盆和晶体管结构的关系 120
4-3缓变基区的电流增盆 127
4-4 晶体管的基极电阻 129
4-5基极输入和集电极饱和电压 132
4-6晶体管的最大电压特性 134
4-7晶体管的频率响应 136
4-8晶体管的开关特性 143
4-9开关过程的定性描述 145
5．单块和混合电路的设计原理 151
5-1基本工艺过程 152
5-2混合集成电路的设计原理 153
5-3单块电路的设计原理 154
5-4基本的单块结构 156
5-5各种工艺的优缺点 167
5-6p-n-p-n-p-n结构的形成 170
5-7光致抗蚀工艺 175
5-8光掩模的制造 176
5-9单块电路设计中的考虑 179
5-10单块电路设计举例 182
5-11小结 190
6．多相单块集成电路 195
6-1多相单块集成电路的制造 198
6-2多相单块集成电路的优点 202
7．单块电路的晶体管和二极管 205
7-1单块集成电路晶体管的结构 205
7-2击穿电压特性 212
7-3漏电流特性 214
7-4单块（电路）晶体管的电容 214
7-5电流增盆 219
7-6饱和特性 222
7-7单块电路晶体管的频率响应 225
7-8单块电路晶体管特性及电路应用小结 229
7-9把集成电路晶体管用作二极管的五种基本接法 233
7-10二极管反向击穿电压 235
7-11二极管漏电流 236
7-12二极管电容 238
7-13二极管存储时间（二极管恢复时间） 240
7-14正向特性 242
7-15 p-n-p寄生晶体管作用 244
7-16集成电路二极管小结 246
8．集成电路中的场效应器件 249
8-1场效应晶体管的工作和设计原理 251
8-2其他结型场效应器件 262
8-3场效应器件工艺 268
8-4绝缘栅FET 275
9．集成电路中其他有源器件 280
9-1隧道二极管和反向二极管 280
9-2变容二极管 283
9-3单结晶体管 288
9-4 p-n-p-n开关 290
10．集成电路的无源元件 295
10-1结（型）电容器 296
10-2薄膜电容器 302
10-3扩散电阻器 307
10-4薄膜电阻器 317
10-5电感器 321
10-6压电滤波器 323
10-7大容量电容器 323
10-8集成电路系统的其他元件 324
10-9小结 324
11．单晶生长和外延工艺 326
11-1晶体生长 326
11-2切片和抛光 327
11-3外延 327
12．晶片加工 343
12-2扩散 345
12-1外延 345
12-3光致抗蚀法 357
12-4二氧化硅－硅的界面效应 365
12-5欧姆接触的形成 368
13．集成电路中的薄膜 374
13-1薄膜的淀积 376
13-2薄膜的改性 386
13-3薄膜图形的形成 387
13-4薄膜参数的调整 389
13-5薄膜的接触 390
13-6衬底制备 391
13-7相容电路的设计 392
13-8薄膜电路的相容性 394
13-9薄膜工艺小结 397
14-1管芯切割和焊接 401
14．装架工艺 401
14-2引线焊接 408
14-3封口 416
14-4寄生成份 418
14-5导热问题 419
15．集成电路的封装 421
15-1外壳的密封 422
15-2扁平外壳 425
15-3 T0-5型外壳 429
15-4外壳的检验 431
15-5散热问题 434
15-6集成电路封装的发展趋势 441
附录A 443
附录B 444
附录C 445