原序 3
目录 3
符号表 11
第一部分 20
第一章 绪论 20
1.1 历史背景 21
1.2 点接触晶体管 23
1.3 p-n结整流器和面结型晶体管 25
1.4 改进的面结型晶体管结构 29
1.5 面结型晶体管的制造 30
2.1 晶体结构 36
第二章 面结型晶体管理论定性的发展 36
2.2 p-n结整流器 40
2.3 p-n-p晶体管 42
2.4 晶体管基区中电流流动的机理 44
2.5 面结型晶体管的交流等效电路 46
第三章 定性的半导体物理学 51
3.1 经典和量子力学理论的结论；能级 52
3.2 晶体结构；能带 53
3.3 绝缘体、导体和半导体 56
3.4 电子在晶体中的运动 57
3.5 本征半导体 59
3.6 n型杂质半导体 61
3.7 p型杂质半导体 63
第四章 定量的半导体物理学 65
4.1 费米-狄腊克分布函数 66
4.2 迁移载流子浓度的确定 68
4.3 费米能级的确定 71
4.4 用对本征状态能级的偏离表示的载流子浓度 73
4.5 用电导率表示的载流子浓度 74
4.6 实际应用的公式 77
4.7 关于少数载流子的浓度 80
第五章 半导体中电流的流动 82
5.1 在n型和p型载流半导体中迁移载流子的分布 83
5.2 在载流的p-n结中迁移载流子的分布 88
5.3 扩散电流 93
5.4 连续方程 95
5.5 正向偏压下p-n结中电流的求解方法 97
第六章 正向偏压下p n结的边界值 100
6.1 热平衡下p-n结的能带图 100
6.2 热平衡下p-n结中电流流动的趋势 103
6.3 外加正向电压下p-n结的能带图 107
6.4 注入载流子浓度的边界条件：第一种方法 109
6.5 注入载流子浓度的边界条件：第二种方法 112
6.6 物理基础 115
7.1 少数载流子浓度的连续方程的解 120
第七章 外加直流电势下的p-n结 120
第二部分 120
7.2 少数载流子电流方程 123
7.3 电流形式的讨论 124
7.4 p-n结的整流特性 127
7.5 正向偏压下准费米能级的形状 128
7.6 反向直流电势下n-p结中的电流 129
7.7 反向偏压下准费米能级的形状 132
第八章 p-n-p晶体管 134
8.1 p-n-p晶体管的定性讨论 134
8.2 基区中直流空穴浓度和空穴电流的表达式 135
8.3 基区中空穴浓度和空穴电流的分布 137
8.4 p-n-p 晶体管中的总偏流 140
8.5 对交流讯号求连续方程的解 143
8.6 发射极效率、转侈因数和集电区倍增因数 146
8.7 简化的低频等效电路 149
8.8 晶体管放大器的功率增益和截止频率 151
第九章 内部电容、高频和反馈效应 156
9.1 生长结晶体管的集电区空间电荷电容 157
9.2 合金结晶体管的集电区空间电荷电容 161
9.3 集电区空间电荷层的展宽 164
9.4 扩散电抗 168
9.5 发射区和集电区电导率的选择；Ic0 172
10.1 集电区边界位置的变化对集电区边界值的影响 177
第十章 p-n-p晶体管的通解 177
10.2 基区中连续方程的解 180
10.3 发射极和集电极的空穴电流；本征晶体管的等效电路 185
第十一章 扩散导纳的近似式 192
11.1 近似式的所需形式 193
11.2 对m参数和T参数的求法 195
11.3 αi与频率的关系 198
11.4 αi的瞬态响应 203
11.5 扩散导纳的近似式 206
第十二章 完整的小讯号交流等效电路 210
12.1 多数载流子的基极电阻效应 210
12.2 基极电压发生器的分析 213
12.3 完整的小讯号交流等效电路 219
12.4 小讯号交流等效电路的典型值 222
12.5 其它等效电路的表示法 225
第三部分 232
第十三章 实际应用的交流等效电路 232
13.2 变换公式 234
13.3 实际晶体管的变换导纳 236
13.4 供实际应用的元件公式的简化 243
13.5 实用公式 247
13.6 实际应用中所需公式的摘要 252
13.7 结果的实验验证 253