目录 1
第一章 电子学和工艺学 1
1.1 半导体材料物理 2
1.2 晶体中的自由载流子 24
1.3 半导体工艺学 36
1.4 器件：集成电路电阻 61
小结 68
习题 70
第二章 金属-半导体接触 76
2.1 电子系统中的平衡 76
2.2 理想化的金属-半导体结 80
2.3 电流-电压特性 91
2.4 非整流（欧姆）接触 100
2.5 表面效应 106
2.6 金属-半导体器件：肖特基二极管 112
小结 116
习题 117
第三章 pn结 123
3.1 缓变杂质分布 124
3.2 pn结 130
3.3 反向偏置pn结 144
3.4 结击穿 150
3.5 器件：结型场效应晶体管 160
小结 169
习题 171
第四章 pn结电流 177
4.1 连续性方程 177
4.2 产生与复合 180
4.3 pn结的电流-电压特性 192
4.4 电荷存贮和二极管瞬变过程 209
4.5 器件：集成电路二极管 220
小结 227
习题 228
第五章 双极晶体管Ⅰ：基本操作原理 236
5.1 晶体管作用 237
5.2 有效偏压 246
5.3 晶体管开关 257
5.4 埃伯斯-莫尔模型 263
5.5 器件：平面双极放大和开关晶体管 270
小结 277
习题 279
第六章 双极晶体管Ⅱ：局限性和模型 284
6.1 集电极偏压变化效应（厄尔利效应） 285
6.2 低、高发射极偏压效应 290
6.3 基极渡越时间 307
6.4 电荷控制模型 311
6.5 小信号晶体管模型 326
6.6 计算机模拟双极晶体管模型 335
6.7 器件：pnp晶体管 341
小结 350
习题 352
第七章 氧化物-硅系统的特性 361
7.1 MOS结构 362
7.2 MOS系统的电容 371
7.3 MOS电子学 375
7.4 氧化物和界面电荷 383
7.5 pn结的表面效应 390
7.6 MOS电容器和电荷耦合器件（CCD） 395
小结 401
习题 404
第八章 绝缘栅场效应晶体管 409
8.1 电流-电压特性 411
8.2 IGFET参数 424
8.3 MOS集成电路 434
8.4 二级近似考虑 441
8.5 器件：离子注入IGFET 450
小结 457
习题 460