第一章 计数制和逻辑函数 1
§1-1 各种进位制的计数方法及相互转换 1
一、二进制计数法 1
二、十进制和二进制的互相转化 1
目录 1
三、其它进位制的表示法 3
§1-2 逻辑代数 3
一、“与”、“或”、“非”运算规则 3
二、逻辑代数的基本定理 5
二、最小项表达式 7
§1-3 真值表、最小项表达式和卡诺图 7
一、真值表 7
三、卡诺图 8
四、逻辑符号 10
第二章 双极型集成电路基础 12
§2-1 双极型集成电路的常规工艺流程及其基本结构 12
一、工艺流程 12
二、集成电路的特点 14
§2-2 二极管-晶体管逻辑电路 15
一、DTL“与非”门的基本原理 15
二、DTL的电压传输特性 18
三、门电路的参数 19
四、改进的DTL 25
五、DTL驱动器 27
六、高阈值逻辑电路（HTL） 30
§2-3 晶体管-晶体管逻辑电路 31
一、TTL的工作原理 31
二、典型的TTL“与非”门 33
三、TTL的改进形式 44
四、TTL逻辑功能的扩展 49
一、某些工艺参数的选定 56
§2-4 版图设计 56
二、元件的图形设计 57
三、版图实例 74
§2-5 发射极耦合逻辑门 78
一、ECL的基本电路 78
二、ECL的输出级及定偏电源电路 80
三、ECL的电压传输特性及其它基本性能 81
第三章 MOS集成电路 84
§3-1 MOS晶体管 84
一、MOS晶体管的一般介绍 84
二、对MOS器件阈值电压VT的分析 86
三、MOS晶体管的特性曲线 91
四、MOS晶体管的跨导（gm）和通导电阻（Rom） 95
五、MOS晶体管的源-漏击穿电压、栅击穿电压和栅保护 97
六、MOS晶体管的衬底偏压效应 99
§3-2 MOS集成电路中的基本单元电路 101
一、MOS集成电路中的倒相器 101
二、MOS集成电路中的基本门电路 118
§3-3 MOS集成电路的工艺概况 123
一、铝栅p-MOS工艺 123
二、n-MOS硅栅工艺 126
三、C-MOS工艺和C2L器件 127
一、触发器的逻辑结构和功能 131
第四章 触发器及其它功能器件 131
§4-1 触发器 131
二、MOS触发器电路 145
三、双极型TTL触发器 149
§4-2 其它功能器件 154
一、全加器 154
二、寄存器和移位寄存器 155
三、计数器和数码显示 157
四、译码器和数据选通器 161
第五章 大规模集成电路 165
§5-1 动态MOS基本电路 166
一、动态有比电路 167
二、动态无比电路 169
§5-2 MOS移位寄存器 171
一、移位寄存器的基本单元 171
二、移位寄存器的应用 176
§5-3 随机存取存贮器（RAM） 178
一、存贮单元 179
二、RAM的结构 182
§5-4 只读存贮器（ROM） 189
一、二极管（ROM） 189
二、MOS只读存贮器（MOS ROM） 190
三、双极型ROM 191
四、可编程序只读存贮器（PROM） 192
五、只读存贮器的应用 193
§5-5 集成注入逻辑（I2L） 202
一、I2L的基本结构和工作原理 202
二、I2L的基本逻辑电路 204
§5-6 电荷耦合器件（CCD） 207
一、CCD的基本工作原理 207
二、CCD的基本参数以及结构上的改进 210
三、CCD存贮器 212