第一章 半导体器件失效分析概论 1
§1 失效分析的产生与发展 1
目录 1
§2 失效分析的目的和意义 3
§3 失效分析的基本内容 6
§4 主要失效模式和失效机理 7
§5 失效分析程序 9
§6 其它 10
§2 SiO2-Si系统中的电荷 14
第二章 表面失效机理 14
§1 半导体器件常见的失效模式和机理 14
§3 钠离子对器件可靠性的危害 19
§4 界面陷阱电荷对器件性能的影响 24
§5 表面电荷对MOS器件的影响 26
§6 SiO2缺陷对器件性能的危害 28
§7 N沟MOS器件中的热电子效应 31
§1 二次击穿 34
第三章 体内失效机理 34
§2 CMOS集成电路的闩锁效应 45
§3 温度对半导体器件性能的影响 62
第四章 核辐射失效及抗核加固 67
§1 核辐射环境 67
§2 核辐照效应及其机理 68
§3 核辐照对半导体器件的影响 73
§4 核电磁脉冲损伤 79
§5 半导体器件的抗核加固 82
第五章 电极系统的失效机理 90
§1 金属化系统的失效机理 90
§2 键合系统失效机理 106
§3 芯片焊接的失效机理 111
第六章 封装系统的失效机理 116
§1 封装方法简介 116
§2 塑料封装的可靠性 118
§3 金属封装的失效机理 122
§4 管腿锈蚀、断裂引起的失效 123
§5 底座镀金层质量问题 125
第七章 厚、薄膜集成电路的失效机理 127
§1 薄膜集成电路的失效模式和机理 127
§2 厚膜集成电路的失效模式和机理 133
第八章 失效分析程序 138
§1 失效分析程序（一） 139
§2 失效分析程序（二） 140
§3 失效分析程序（三） 143
§4 失效分析程序（四） 144
§5 失效分析程序（五） 145
§6 失效分析程序（六） 146
第九章 失效分析技术 147
§1 基本分析技术 147
§2 解剖技术 167
§3 先进分析技术（仪器分析） 172
§1 静电的产生 186
第十章 半导体器件的静电损伤及防护 186
§2 静电放电（ESD）的损伤模型 189
§3 静电放电敏感度 191
§4 静电损伤的失效模式 195
§5 静电损伤的失效机理 196
§6 静电损伤的防护措施 203
第十一章 半导体器件的使用可靠性 210
§1 半导体器件使用中的可靠性问题 210
§2 CMOS电路的故障分析 224
第十二章 失效分析实例 241
§1 集成电路版图设计缺陷分析 241
§2 MOS电路VT漂移的失效分析 252
§3 MOS电路栅穿失效分析实例 260
§4 键合点脱落失效机理的分析 266
§5 集成电路的非功能测试与分析 275
§6 电浪涌损伤的分析 280
§7 “重测合格”原因的分析 287
参考文献 295