目录 1
第一章 在半导体衬底上生长绝缘膜 1
§1 半导体经氧化而形成绝缘膜的方法 2
§2 杂质对氧化层性质的影响 19
§3 制备绝缘膜的其它方法 25
第二章 MIS结构参数的测量方法 31
§1 MIS系统的等效电路 31
§2 根据电容测量计算表面势和表面陷阱参数的方法 33
§3 基于测量横向电导G（MIS阻抗的有功分量）的方法 40
§4 研究表面和MIS系统的光电法 43
§5 热激现象法 51
第三章 绝缘体-半导体系统表面绝缘层结构和电学性质研究 57
§1 应用电子衍射法研究表面氧化层 58
§2 表面氧化层的光学特性 59
§3 氧化物的结构——层状模型 69
§4 质谱法研究绝缘层结构 72
§5 氧化物结构和化学键的特性 74
§6 绝缘层结构和其电学性能的关系 77
§7 与氧化物内局域电荷有关的绝缘体-半导体结构的电学性质 87
第四章 绝缘体-半导体双层系统界面的晶体结构和电学性质 92
§1 半导体-绝缘体结构的三层模型 92
§2 绝缘体-半导体系统界面的电学参数 101
§3 MIS结构表面沟道散射过程的特点 113
第五章 MIS结构中的产生现象和输运过程 134
§1 MIS结构参数和非平衡空间电荷区特性的相互关系 134
§2 MIS结构中的双极产生过程 138
§3 硅MIS结构中双极产生过程的实验研究结果 146
§4 MIS结构产生和复合参数的相互关系 159
§5 绝缘体内的电荷输运和场产生 162
§6 半导体衬底内的场产生 170
§7 隧道谱 177
§8 厚绝缘层MIS结构中的隧道产生现象［动态隧道效应］ 182
第六章 光照对MIS系统特性的影响——光电容效应 189
§1 MIS系统中的光电容效应理论 189
§2 在硅MIS结构内光电容效应的主要规律性 205
§3 光电容效应法研究MIS结构中的复合和陷获过程 212
§4 具有非稳态耗尽层的MIS结构内的光电现象 220
第七章 MIS系统电物理性质的不均匀性及确定不均匀性的方法 239
§1 表面电荷不均匀性的统计模型 239
§2 具有非均匀分布表面电荷的MIS电容器模型 241
§3 确定表面电荷微区不均匀性特征参数的方法 242
§4 表面电荷不均匀性影响MIS系统特性的实验数据 260
第八章 电荷耦合器件 267
§1 电荷耦合器件工作的物理原理 267
§2 CCD的工作状态 272
§3 电荷损失机理 278
§4 CCD器件的工作特点 283
§5 不同类型的CCD集成电路 285
第九章 MIS和绝缘体-半导体结构的器件和组件 294
§1 表面变容器 294
§2 MIS和绝缘体-半导体光敏器件 309
§3 绝缘栅MIS场效应晶体管 316
参考文献 329