第一章 “或记”逻辑的重要发现 1
1.1 无记忆电路与记忆电路 2
1.1.1 无记忆电路 2
1.1.2 记忆电路 2
1.1.3 记忆器件对人类进步起着巨大作用 5
1.2 异类或逻辑 5
1.2.1 输入值域和输出值域 5
1.2.2 异类输出输入 6
1.2.3 异类或逻辑 6
1.2.4 异类或门举例 7
1.3 同类或逻辑 11
1.3.1 同类输出输入 11
1.3.2 同类或逻辑 11
1.3.3 同类或门举例 11
1.4 记忆链 18
1.4.1 记忆链定义 18
1.4.2 稳记链 19
1.4.3 数字暂记链 20
1.4.4 模拟暂记链 23
1.5 或记逻辑的重要发现 26
1.5.1 记忆链原理 26
1.5.2 取代记忆两准则 26
1.5.3 或记逻辑 26
1.5.4 信号或记电路 27
1.6 大量或记逻辑事实 38
1.6.1 74LS08电路的或记功能 38
1.6.2 LSTTL或型低电平或记门的或记功能 45
1.6.3 74LS32电路的或记功能 56
1.6.4 LSTTL或型高电平或记门的或记功能 62
1.6.5 CC4081电路的或记功能 73
1.6.6 CC4071电路的或记功能 79
1.6.7 T1008电路的或记功能 85
1.6.8 T1032电路的或记功能 91
1.6.9 TTL或型低电平或记门的或记功能 97
1.6.10 CMOS单输入或记门丰富的或记功能 108
第二章 或记电路稳记定律 121
2.1 或记电路稳记定律表述 121
2.1.1 或记电路稳记定律的内容及或记代数表达式 121
2.1.2 稳记细胞的逻辑图 123
2.2 稳记细胞或记代数表达式的由来 123
2.2.1 等效逻辑电路与等效逻辑函数 125
2.2.2 两等效逻辑函数定律 126
2.2.3 “或非化同类或”定律 134
2.2.4 “或非化同类或”定律和摩根定律的关系 139
2.2.5 信号或记电路或记代数表达式的由来 140
2.2.6 稳记细胞或记代数表达式的由来 142
2.3 三类常用稳记细胞 143
2.3.1 三类常用稳记细胞的特点 143
2.3.2 低电平稳记细胞 145
2.3.3 稳记低电平新电路和原电路对比举例 148
2.3.4 高电平稳记细胞 202
2.3.5 稳记高电平新电路和原电路对比举例 204
2.3.6 高低电平稳记细胞 223
2.3.7 稳记高低电平新电路和原电路对比举例 224
2.4 或记电路稳记定律的理论证明 230
2.4.1 用低电平稳记细胞的实态时域逻辑图来证明 230
2.4.2 用低电平稳记细胞的实态时域或记代数表达式来证明 237
2.4.3 用稳记细胞实态时域逻辑图来证明 240
2.4.4 用稳记细胞实态时域或记代数表达式来证明 244
第三章 或记电路暂记定律一 249
3.1 或记电路暂记定律一表述 249
3.1.1 或记电路暂记定律一的内容及或记代数表达式 249
3.1.2 单值暂记细胞的逻辑图 253
3.2 三类常用暂记细胞 254
3.2.1 三类常用暂记细胞的特点 254
3.2.2 低电平暂记细胞 257
3.2.3 新、原低电平暂记器对比举例 259
3.2.4 高电平暂记细胞 277
3.2.5 新、原高电平暂记器对比举例 278
3.2.6 暂记器的指数动取域 294
3.2.7 高低电平暂记细胞—脉冲振荡器 300
3.2.8 脉冲振荡器举例 302
3.3 或记电路暂记定律一的理论证明 306
3.3.1 低电平信号？由CMOS低电平暂记器C端输入的实态时域工况逻辑图及其或记代数表达式 306
3.3.2 低电平信号？由CMOS低电平暂记器I端输入的实态时域工况逻辑图及其或记代数表达式 309
3.4 暂记时间三要素——定时电平、电阻、电容 312
3.4.1 暂记器的定时电平决定指数动取域、充得电压比和放失电压比的大小 312
3.4.2 暂记器暂记时间的三要素—定时电平、电阻、电容 326
3.4.3 定时电平直接影响暂记器暂记时间长短的实验 331
3.4.4 定时电平直接影响脉冲振荡器脉空大小的实验 355
3.4.5 新、原环形振荡器 367
第四章 或记电路暂记定律二 369
4.1 或记电路暂记定律二表述 369
4.1.1 或记电路暂记定律二的内容及或记代数表达式 369
4.1.2 或记电路暂记定律二中若干概念及符号含义 370
4.2 三类常用模拟暂记器 374
4.2.1 三类常用模拟暂记器的特点 374
4.2.2 三类常用模拟暂记器举例 376
4.3 或记电路暂记定律二的实验 387
4.3.1 低模暂记器的实验 387
4.3.2 高模暂记器的实验 392
4.3.3 双模暂记器的实验 394
5.1 运放单输入或记门 396
第五章 或记三定律在模拟电路中的应用 396
5.2 运放双模暂记器 397
5.2.1 运放双模暂记器的工作原理及特点 398
5.2.2 运故双模暂记器的实验 399
5.3 运放多功能新脉冲振荡器 404
5.3.1 运放多功能新脉冲振荡器的工作原理 404
5.3.2 运放多功能新脉冲振荡器的多种振荡功能及特点 405
5.3.3 运故多功能新脉冲振荡器的实验 409
5.4.1 运放新高电平暂记器 415
5.4 运放新暂记器 415
5.5 运放单脉冲发生器 416
5.4.2 运放新低电平暂记器 416
5.5.1 运放单脉冲发生器一 417
5.5.2 运放单脉冲发生器二 417
5.5.3 运放单脉冲发生器三 417
第六章 万能基本新器件 419
6.1 概述 419
6.2 万能基本新器件的优点 420
6.3 万能基本新器件ZC01 422
6.3.1 ZC01的组成 422
6.3.2 ZC01功能简介 424
6.4 万能基本新器件ZL03 435
6.4.1 ZL03的组成 435
6.4.2 ZL03功能简介 435
7.1 或记之间固有的内在密切关系 447
7.2 或记之间固有的外在密切关系 447
第七章 或记之间关系 447
7.2.1 不接记忆链 448
7.2.2 接稳记链 448
7.2.3 接新单值暂记链 448
7.2.4 接双值暂记链 448
7.2.5 接模拟暂记链 449
7.3.1 表示法 450
7.3.2 线路图表示法 450
7.3 或记之间关系表示法 450
7.3.3 逻辑图表示法 456
7.3.4 或记代数表示法 458
7.4 逻辑记忆学 460
7.5 记忆电路的实态实域 460
7.5.1 用实态时域描述记忆 460
7.5.2 实态时域逻辑等式 462
7.6 结语 472
符号表 477