第一章金属和半导体的接触 1
1.1能带结构 1
目 录 1
1.2表面能级 2
1.3电流－电压特性 5
1.3.1扩散理论 6
1.3.2两极管理论 7
1.4少数载流子的注入 7
2.1 pn结的整流理论 9
第二章pn结 9
2.1.1肖克莱理论 10
2.1.2特殊情形 13
2.1.3各种结 15
2.2 pn结的阻抗 16
2.2.1反向偏压的情形 16
2.2.2正向偏压的情形 17
2.3隧道结 18
2.4.1击穿机构 20
2.4 pn结的击穿现象 20
2.4.2结构缺陷和击穿 22
第三章pn结载流子扩散型晶体三极管 23
3.1 小注入一维模型晶体三极管的导纳参数 23
3.2晶体三极管实际工作状态的讨论 35
3.2.1对于略去电场的讨论 35
3.2.2关于边界条件的讨论 36
3.2.3对于电中性条件的讨论 38
3.3任一注入下的晶体三极管的工作情况 39
3.4.1表面复合对电流放大系数的影响 43
3.4晶体三极管的三维效应 43
3.4.2决定电流放大系数的因子 46
3.4.3由于结为曲面而引起的截止频率的降低 51
3.4.4基区电阻 54
第四章载流子漂移型晶体三极管 63
4.1载流子漂移型晶体三极管概述 63
4.2 内区的四端网络参数（指数函数分布） 67
4.2.1四端网络参数的计算 67
4.2.2 y参数的频率特性 72
4.2.3电流放大系数的频率特性的近似解 73
4.2.4同载流子扩散型晶体三极管特性的比较 74
4.2.5用电荷控制法进行分析 76
4.3 内区的四端网络参数（误差函数分布） 78
4.4大注入工作 80
4.5高杂质浓度时的各种特性 83
4.6漂移型晶体三极管的特性 87
第五章晶体三极管的电荷控制分析法 89
5.1概述 89
5.2大振幅工作的基本分析 89
5.2.1参数和等效电路 89
5.2.2参数的表达式 91
5.2.3开关时间和开关电路的设计 92
5.3比较精确的分析大振幅工作 94
5.3.1基本方程 94
5.3.2 qb与ic的关系 94
5.3.3集电极耗尽层电容的影响 95
5.4参数测量法 96
5.4.1有源区时间常数的测量法 96
5.4.2饱和时间常数的测量法 96
5.5.2杂质分布和基区渡越时间的关系 97
5.5.1空穴分布和基区渡越时间 97
5.5分析基区渡越时间 97
5.5.3基区渡越时间和α截止频率的关系 98
5.5.4分析迁移率与杂质浓度的依从关系 99
5.5.5基区渡越时间对注入水平的依从关系 99
第六章pnpn器件 101
6.1 pnpn结构的两种稳定工作方式 101
6.2断开接通两种状态之间的过渡区 103
6.3分析pnpn器件 105
6.4.1发射极注射效率随电流的变化 109
6.4电流放大系数α随电流的变化 109
6.4.2注入载流子输运系数随电流的变化 110
6.5开关特性 110
6.5.1接通作用 110
6.5.2断开作用 113
第七章变容器件 116
7.1概述 116
7.2杂质分布引起的电容对电压的依从关系 117
7.3三端变容器件 123
参考资料 125