第一章 晶体结构 1
什么是半导体？ 1
能带 1
金属、绝缘体和半导体 2
允许的和禁止的能量 3
价键 5
键的计算 5
原子轨道 6
杂化轨道 7
成键的定义和定则 10
键能隙和带能隙 12
四面体配位 12
层状结构 15
荧石键 17
相对论性的结构 18
硫族化合物 20
缺陷和超量化合物 20
过渡金属半导体 21
键长和半径 22
有理化半径 23
杂质半径 25
层键 26
小结 27
第二章 共价键和离子键 28
原子的电子位形 28
原子实的d电子 31
普适半导体模型 32
共价键和离子键的特性 32
对称势和反对称势 33
离子性的库尔森定义 33
离子性的泡令定义 34
泡令的定义推广到晶体 35
泡令定义的局限性 36
中间途径 37
同极能隙 38
复杂能隙和共振 39
异极能隙 41
离子性的最新定义 43
离子性定义的统计检验 47
边缘晶体 49
真实（无畸变）的标度 52
内聚能 52
共价成键的巡回特性 56
原子实修正 58
负电性表 59
历史的回顾 61
小结 61
第三章 弹性常数和压电常数 63
应力和应变 63
简谐应变能量 64
不变性条件 65
模型力场 66
金刚石点阵 67
闪锌矿点阵 69
切应变常数和离子性 70
内应变 73
压电常数 75
压电效应的由来 76
纤锌矿晶体 78
黄铜矿晶体 81
小结 83
第四章 点阵振动 84
布里渊区 84
实验决定ω(k) 87
简正模 88
模的描述 89
和定则 89
光学有源模 91
红外模和有效电荷 92
喇曼有源模 93
极化声子 94
金刚石型半导体的频散曲线 97
静电模型 98
闪锌矿型频散曲线 101
灰Sn的金属化 102
热膨胀 103
杂质原子的振动 105
小结 106
第五章 能带 107
能带理论的术语 107
近自由电子模型 108
硅的价带 110
琼斯（Jones）区 110
简化带 111
各向同性模型 112
久期方程 113
各向同性模型的介电函数 115
重要的各向异性 118
导带 119
带边的曲率 119
微扰理论 120
特殊情形 122
原子轨道 124
特殊的带结构 127
金刚石和硅 127
锗和砷化镓 128
锑化铟和砷化铟 130
灰锡和硫化汞 130
有效质量参数 131
PbS族 132
小结 138
第六章 赝势和电荷密度 139
原子的波函数 139
原子的赝势 140
晶体势 141
晶体的波函数 143
赝原子形状因子 144
金属键 147
共价键 149
离子键 150
半导体波函数 153
赝电荷密度 154
原子的电荷 155
键电荷 157
部分离子性的电荷分布 160
导带状态 163
带边与压力的关系 165
能隙与温度的关系 166
小结 169
第七章 基本光谱 170
单电子激发 171
线光谱和连续（带）谱 171
介电函数 173
和定则 173
直接跃迁阈 174
锗 177
光电子发射 179
微分技术 184
带间能量 185
原子实d电子 187
原子价的光谱学定义 191
带间能量的化学趋势 192
自旋-轨道分裂 197
晶体场分裂 201
非线性极化率 202
小结 203
第八章 半导体热化学 204
内聚能 205
泡令的描述 207
离子性和金属化 213
生成热 213
熔化熵 219
PbS或ANB10-N族 220
压强引起的相变 223
理想溶液 228
正常溶液 231
准二元合金 232
弯曲参量 234
准二元合金的结晶 236
虚拟晶体模型 236
元素合金中的光跃迁 239
准二元合金的能隙 242
小结 243
第九章 杂质 244
晶体生长和完美性 245
化合物半导体的理想化学配比 245
浅杂质态和深杂质态 246
填隙杂质和替位杂质的扩散 247
分配系数 248
施主和受主 250
等价杂质 252
球状（类氢）模型 253
能带边的简并 257
能谷的各向异性 260
化学移位和中心原胞修正 263
化合物半导体中的杂质态 265
自由激子和束缚激子 269
施主-受主对和等价杂质对 271
自补偿 273
多价杂质 274
过渡金属杂质 276
小结 276
第十章 势垒、结和器件 277
费米能级 277
能带弯曲 279
金属-半导体接触 281
p-n结 285
载流子注入和俘获作用 289
结型晶体管 292
隧道二极管 293
雪崩二极管 296
为什么要用Si？ 297
微波的进展 300
发光 304
结型激光器 305
谷间转移振荡器 308
半导体和材料科学 309
参考文献 311