目录 1
第一章 半导体材料的检测 1
§1.1 半导体晶体缺陷的检测 1
§1.2 导电类型的测量 2
§1.3 硅单晶杂质补偿度的测量 7
§1.4 硅单晶材料体内少子寿命的测量 22
§1.5 半导体材料电阻率的测量 36
§2.1 功率晶体管电流放大系数的测量 44
参考文献………………………………………………………………4？第二章 电力半导体器件电流放大系数的测量 44
§2.2 电流放大系数在晶闸管中的作用 46
§2.3 用音频法测量晶闸管的电流放大系数 53
§2.4 用测量晶闸管V-1的方法测量电流放大系数 64
参考文献 66
第三章 电力半导体器件少子寿命的测量 68
§3.1 概述 68
§3.2 用频率法测量晶闸管长基区少子有效寿命 70
§3.3 开路电压衰减法测量电力半导体器件的少子寿命 72
§3.4 贮存电荷法测量硅整流元件的少子寿命 79
§3.5 正弦半波反向恢复法测量电力半导体器件少子寿命 82
§3.6 线性电流反向恢复法测量电力半导体器件少子寿命 84
§3.7 光学法测量电力半导体器件少子寿命 89
§3.8 大注入下的硅整流元件和晶闸管少子寿命的测量 90
参考文献 95
第四章 杂质浓度分布的测量 97
§4.1 PN结结深的测量 97
§4.2 用探针法测量半导体扩散层的薄层电阻 101
§4.3 用薄层电阻法测量表面杂质浓度 104
§4.4 阳及氧化剥层法测量杂质浓度分布 107
§4.5 用C-V水银探针法测量杂质浓度分布 110
§4.6 用C-V法测量晶闸管的杂质浓度分布 127
§4.7 扩展电阻法测量杂质浓度分布 134
§4.8 光学法测量晶闸管导通下载流子浓度分布 142
§4.9 电力半导体器件中深能级杂质的测量 144
参考文献 157
第五章 PN结及硅元件表面电场和空间电荷 159
区的测量 159
§5.1 表面电场和空间电荷区的测量 159
§5.2 “金属探针法”测量PN结表面电场的分布 160
§5.3 “激光探针法”测量表面空间电荷区宽度 166
§5.4 容-压法测量体内空间电荷区展宽 172
参考文献 178
第六章 晶闸管扩展速度的观测 180
§6.1 概述 180
§6.2 扩展理论 181
§6.3 用瞬态导通正向压降法测量扩展速度 192
§6.4 用探针法测量晶闸管的扩展速度 204
§6.5 用红外法观测硅晶闸管瞬态导通扩展 206
§6.6 晶闸管瞬态导通扩展的观测 222
参考文献 236
第七章 电力半导体器件热特性的测量 239
§7.1 热阻 239
§7.2 功率晶体管稳态热阻的测量 244
§7.3 功率晶体管瞬态热阻的测量 255
§7.4 晶闸管瞬态热阻测试 266
§7.5 电力半导体器件热分布的测量 285
参考文献 296
第八章 电力半导体器件二次击穿的检测 298
§8.1 大功率晶体管的安全工作区和二次击穿 298
§8.2 大功率晶体管的二次击穿 300
§8.3 大功率晶体管二次击穿的检测方法 312
§8.4 大功率晶体管正偏二次击穿测试线路 317
参考文献 330
第九章 电力半导体器件的中间测试——伏安 332
特性测试 332
§9.1 晶闸管的伏安特性及其伏安特性中间检测的必要性 332
§9.2 晶闸管伏安特性测试线路原理 338
§9.3 光点跟迹法测伏安特性 344
§9.4 晶闸管门极伏安特性及其测试线路原理 350
§9.5 半自动停表法测门极参数 357
参考文献 360
第十章 显微技术及其在半导体技术中的应用 362
§10.1 透射电子显微镜 362
§10.2 扫描电子显微镜 366
§10.3 质谱仪 389
§10.4 离子微探针技术 393
§10.5 俄歇电子能谱分析 401
§10.6 红外电视显微镜 410
参考文献 414