目录 1
第一章 电子材料开发的重要性 1
1.1 电子材料在电子工业中的作用 1
1.2电子材料与需求的关系 2
1.3电子材料开发的特点 2
1.4 重要的电子材料技术 3
参考文献 4
第二章集成电路、大规模集成电路的材料技术 5
2.1硅器件的历史 5
2.2半导体集成电路的构成 9
2.2.1 高度集成化的要求 9
2.2.2双极集成电路与MOS集成电路 9
2.2.3 器件结构的微细化与材料、工艺技术 14
2.3各种工艺技术概论 17
2.3.1 高纯度材料的制备技术 17
2.3.2单晶制备技术 19
2.3.3外延技术 26
2.3.4 薄膜制备技术 32
2.3.5掺杂技术 42
2.3.6表面处理技术 53
2.3.7超微细加工技术 60
2.4分析、测量与评价技术 80
2.4.1光学法 81
2.4.2电气法 81
2.4.3 物理分析仪器法 82
2.4.4 硅器件工艺问题与分析功能复合化 102
参考文献 105
第三章存储器材料 110
3.1存储器的变迁 110
3.1.1第一时期（1955年前后） 111
3.1.2第二时期（1963年前后） 112
3.1.4第四时期（至今） 113
3.1.3第三时期（1970年前后） 113
3.2存储器的功能与特性 114
3.3半导体存储器（集成电路存储器） 118
3.3.1半导体存储器的构成 119
3.3.2 MOS静态存储器 120
3.3.3．MOS动态存储器 121
3.3.4双极存储器 124
3.3.5非易失性存储器 127
3.3.6半导体存储器的未来 128
3.4磁盘存储器 129
3.4.1磁盘存储器的概要 129
3.4.2数字磁记录的原理与理论 133
3.4.3磁盘 138
3.4.4磁头 141
3.5磁泡器件 148
3.5.1磁泡器件的工作原理 148
3.5.2 磁泡器件的特性与材料的各种磁常数 150
3.5.3磁泡材料 157
3.5.4磁泡器件的芯片构成 160
参考文献 164
第四章 化合物半导体 168
4.1化合物半导体的特点 168
4.2化合物半导体的晶体生长 172
4.2.1 块状晶体生长 172
4.2.2外延生长 173
参考文献 176
第五章光电子材料 177
5.1概论 177
5.2发光二极管 181
5.2.1显示用可见发光二极管 184
5.2.2红外发光二极管（IRED） 188
5.3.1原理 193
5.3半导体激光器 193
5.3.2条形激光器 197
5.3.3制作方法 198
5.3.4特性 199
5.3.5可靠性 201
5.3.6双异质结半导体激光器材料 203
5.3.7应用 204
5.4光检测器 205
5.4.1半导体光电二极管 205
5.4.2光电导检测器 213
5.4.3光电倍增管 214
5.5光纤 215
5.5.1光纤材料与制法 217
5.5.2光纤的特性 222
5.6集成光器件 225
5.6.1 集成用薄膜光器件 226
5.6.2光集成化 234
5.7摄像器件 236
5.7.1光电导摄像管 236
5.7.2增强型摄像管 239
5.7.3 固体摄像器件 240
5.8 平板显示器 245
5.8.1 液晶显示器 245
5.8.2 气体放电显示器 245
参考文献 262
第六章奇异的电子材料 267
6.1 高频器件材料（化合物半导体） 267
6.1.1 耿氏效应器件 267
6.1.2 场效应晶体管（FET） 268
6.1.3 CaAs集成电路 270
6.1.4超晶格器件 271
6.2声表面波材料 272
6.3.2光（电磁波）传感器 274
6.3传感器材料 274
6.3.1温度传感器 274
6.3.3磁传感器 276
6.3.4压力传感器 276
6.3.5气体、温度传感器 276
6.4能源有关材料 277
6.4.1光电变换材料 277
6.4.2光热变换材料 278
6.4.3 固体电解质 279
6.5超导材料 280
6.6．非晶材料 281
6.6.1 非晶硫硒碲化合物半导体 281
6.6.2 非晶硅 282
6.6.3 非晶光电导体 283
6.6.4非晶磁性体 283
6.7.2陶瓷磁性体 284
6.7.3陶瓷介质、压电体 284
6.7陶瓷材料 284
6.7.1何谓陶瓷 284
6.7.4陶瓷导体 285
6.8有机电子材料 285
6.8.1 高分子绝缘材料 286
6.8.2抗蚀剂材料 286
6.8.3液晶 286
6.8.4光电导体 287
6.8.5高分子驻极体 287
6.8.6光电子材料 287
参考文献 288
第七章 电子材料的未来 289
7.1现在材料的未来 289
7.2新材料 290