引言 1
第一章 理想的离子点阵 3
1. 引言 3
2. 离子晶体的凝聚力；理论 4
3. 凝聚力；与观测到的能量比较 10
4. 极键和同极键 12
5. 介电常数 13
5.1 离子的极化率 13
5.2 静电场的介电常数 23
6. 离子晶体中的点阵振动 28
1. 各种类型的点阵缺陷 32
第二章 在热平衡状态下的点阵的缺陷 32
2. 无序的程序；精确的公式 36
3. 点阵缺陷的扩散 40
4. 极性晶体的电解电导率 44
5. 用点阵缺陷理论的概念解释离子电导 48
6. 迁移率及激活能 54
7. 激活能的理论计算 66
8. 具有异常高的离子电导率的晶体 72
9. 附录：一个荷电粒子的扩散系数D和迁移率υ之间的爱因斯坦关系的理论推导 74
1. 在周期场中的电子 75
第三章 极性晶体中的电子 75
2. 用于讨论固体中凝聚力的一些方法；原子模型(海脱莱-伦敦模型)和集体电子模型(布罗哈模型) 76
2.1 正空穴 79
3. 极性晶体中的电子 81
4. 离子晶体中的正空穴 86
5. 电子陷住在晶体点阵中的不规则处 93
5.1 电子陷住在点阵的缺陷中 93
5.2 表面能级 99
5.3 在一个理想点阵中兰道的被陷住电子 99
6. 非金属的光吸收 102
7. 卤化硷金属晶体的紫外吸收光谱 108
8. 其他极性晶体的吸收光谱 114
9. 由于杂质和被陷电子所产生的吸收光谱 116
10. 吸收系数的绝对大小 118
11. 光电导 118
12. 在绝缘体中电子的平均自由程 119
第四章 卤化硷金属中的色中心及其有关现象 125
1. 成分不合乎化学比的晶体 125
2. 色中心的一个模型 127
3. 陷住在一个空阵点上的一个电子的吸收光谱 130
4. 绝缘晶体中的光电导 133
5.1 在具有色中心的卤化硷金属中 140
5. 光电子的移程 140
5.2 在不包括卤化硷金属在内的其他一些晶体中的光电子 148
6. 光电流和温度的关系 150
6.1 卤化硷金属 150
6.2 其他绝缘晶体 154
7. F中心的徒动 157
8. 与蒸气成热平衡的晶体 161
9. 由υ中心形成F中心 165
第五章 半导体和绝缘体 170
1. 半导体的类型 170
2. 电导率随温度的变化 175
3. 热激活能与光激活能之间的关系 179
4. 半导体的一些实验结果的讨论 182
5. 半导体中电子的迁移率 186
6. 金属和绝缘体之间的接触 187
7. 金属与半导体之间的接触 193
8. 金属与半导体之间的接触处的整流性质 196
9. 绝缘体中的次级光电流 205
10. 半导体中的光电流 208
11. 光生伏打效应用与氧化物光电池的性质 213
12. 极强电场中的电导 216
13. 介电击穿 218
1. 导论 223
第六章 发光及能量的耗散 223
2. 余辉的衰变 230
3. 能量耗散为热能的机构；发光的条件，以及荧光辐射与温度的关系 241
4. 非光电导的杂质激活燐光体；由铊激活的卤化硷金属燐光体 245
第七章 卤化银中的光化学过程及照相潜象 249
1. 卤化银的光化学还原作用 249
2. 印出效应 250
3. 银微粒的生长速率 254
4. 潜象 256
5. 化学显象 258
6. 潜象的大小 260
7. 低温对潜象形成的效应 261
8. 温度对初级过程的影响 264
9. 染色敏化 264
10. 黑夏尔效应 265
11. 倒易律的失效 268
第八章 涉及离子与电子二者输运的过程 272
1. 金属的氧化；沾污反应 272
2. 离子晶体的还原 285
2.1 核心的形成 289
附录：通用的离子半径表 293
名词索引 295