第一章 引言 1
1.1．模型的目的 1
1.2．数值器件模型的历史 3
参考文献 5
第二章 一些基本性质 9
2.1．Poisson方程 9
2.2．连续性方程 12
2.3．载流子输运方程 13
2.4．载流子浓度 28
2.5．热流方程 49
2.6．基本半导体方程 51
参考文献 52
第三章 工艺模型 57
3.1．离子注入 58
3.2．扩散 78
3.3．氧化 90
参考文献 95
第四章 物理参数 99
4.1．载流子迁移率模型 99
4.2．载流子产生-复合模型 127
4.3．热导模型 146
4.4．热产生模型 147
参考文献 149
第五章 关于基本半导体方程的解析研究 155
5.1．定义域及边界条件 156
5.2．因变量 163
5.3．解的存在性 170
5.4．解的唯一性与非唯一性 171
5.5．定标 172
5.6．奇异扰动法 176
参考文献 179
第六章 基本半导体方程的离散化 182
6.1．有限差分 184
6.2．有限盒法 217
6.3．有限元 223
6.4．瞬态问题 236
6.5．设计一个网格 244
参考文献 248
第七章 非线性代数方程系统的解 251
7.1．牛顿法及其扩展 252
7.2．迭代法 258
参考文献 264
第八章 稀疏线性方程系统的解 266
8.1．直接法 266
8.2．排序法 268
8.3．松弛法 295
8.4．交替直接法 303
8.5．强隐式法 304
8.6．迭代法的收敛加速 307
参考文献 314
第九章 结果一瞥 318
9.1．MOSFET的击穿现象 318
9.2．闸流管的速率效应 332
参考文献 348