第一章 电子的微观特性及其运动规律 1
1-1原子的结构 1
1-2电子运动的轨道理论 4
1-3原子的壳层结构 15
1-4波粒二象性 18
1-5定态薛定谔方程 29
本章小结 33
复习思考题 34
第二章 晶体的结构与能带 36
2-1晶体的结合和结构 36
2-2锗、硅、砷化镓的晶体结构 48
2-3半导体晶体中的缺陷 51
2-4电子的共有化运动和能带 58
2-5晶体中电子的运动 有效质量 63
本章小结 68
复习思考题 69
第三章 掺杂半导体 70
3-1本征半导体的特性 70
3-2半导体掺杂 76
3-3n型半导体和p型半导体 79
3-4掺杂半导体在室温上下的载流子浓度 83
3-5掺杂半导体的本征情况 85
3-6深能级杂质和缺陷能级 87
本章小结 89
复习思考题 90
第四章 半导体中载流子的统计分布 91
4-1统计的规律性 91
4-2导带电子与价带空穴统计分布的一般表达式 101
4-3本征情况下的费米能级和载流子浓度 106
4-4杂质半导体的费米能级和载流子浓度 108
4-5简并半导体费米能级的位置和载流子浓度 113
4-6费米能级的物理意义 118
本章小结 120
复习思考题 121
第五章 半导体中载流子的迁移现象 123
5-1金属自由电子论 123
5-2半导体中载流子的运动方式 127
5-3半导体的电导率和散射 129
5-4电子和空穴的迁移率 134
5-5电阻率同杂质浓度和材料温度的关系 137
5-6半导体的霍耳效应 139
本章小结 142
复习思考题 143
第六章 非平衡载流子 145
6-1非平衡载流子及其产生 145
6-2非平衡载流子的复合与寿命 146
6-3准平衡态与准费米能级 156
6-4非平衡载流子的运动 158
本章小结 166
复习思考题 167
第七章 p-n结 168
7-1 p-n结的形成及杂质分布 168
7-2平衡p-n结 171
7-3 p-n结的伏安特性 175
7-4 p-n结的电容效应 184
7-5 p-n结的击穿特性 189
本章小结 196
复习思考题 197
第八章 金属与半导体接触 200
8-1金属-半导体接触 200
8-2金属-半导体接触的整流特性 202
8-3欧姆接触 206
本章小结 208
复习思考题 208
第九章 半导体表面 209
9-1表面空间电荷区 209
9-2理想MIS电容器的C-V特性 212
9-3硅-二氧化硅系统的性质 219
9-4实际MIS电容器的C-V特性及应用 223
9-5半导体场效应应用举例——MOS场效应晶体管 229
9-6表面电导率及迁移率 230
本章小结 231
复习思考题 232
第十章 半导体的光磁热电性质 233
10-1半导体的光学性质 233
10-2半导体的热电性质 241
10-3半导体磁电效应 244
本章小结 250
复习思考题 250
附录 252
一、常用的物理常数 252
二、锗、硅和砷化镓材料的物理性质 252