目录 1
第一章晶体管的制法及其类型 1
1.1晶体管与电子管比较 1
1.2晶体管发展史（略） 2
1.3晶体管的基本结构 2
1.4半导体晶体的生长 3
1.5制造结的基本方法 5
1.6晶体管的制作方法 6
1.7生长结法 7
1.8双面杂质接触法 9
1.9单面杂质接触法 11
1.10外延平面法 13
1.11晶体管工艺学的范围 14
第二章原子结构及能带理论 15
2.1引 论 15
2.2量子假设 15
2.3行星状的原子 16
2.4氢光谱 17
2.5波耳原子 17
2.6量子波动力学 18
2.7量子态 19
2.8能带理论 21
问 题 23
2.9晶体中的能带 23
第三章半导体 24
3.1能带理论的应用 24
3.2固体的电导性质 24
3.3半导体晶体 25
3.4空穴电导 26
3.5费米－狄拉克分布函数 27
3.6载流子的平衡浓度 28
3.7本征电导 30
3.8半导体的杂质电导 31
3.9杂质原子的电离能 32
3.10电荷中性 33
3.12杂质半导体中的费米能级 34
3.11半导体命名法 34
3.13少数载流子密度 37
问 题 38
第四章半导体晶体的性质 39
4.1引 论 39
4.2载流子的漂移运动 39
4.3漂移迁移率 40
4.4半导体中的电流 46
4.5电阻率 47
4.6少数载流子密度 49
4.7载流子的扩散运动 49
4.8寿 命 51
4.9复合中心 52
4.10半导体表面 55
附 录 57
问 题 58
第五章p-n结理论 60
5.1引 论 60
5.2能级的电位表示 60
5.3平衡时的p-n结 61
5.4有外加电压时的p-n结 62
5.5载流子电流及注入电平 64
5.6连续性方程及扩散方程 66
5.7直流电压——电流分析 67
5.8突变结电容 72
5.9缓变结电容 75
问 题 85
第六章p-n结的特性 86
6.1引 论 86
6.2反向电流特性 86
6.3反向电流和温度的关系 88
6.4耗尽層电荷产生 89
6.5反向电压雪崩击穿 90
6.6缓变结中的雪崩击穿 93
6.7正向电流特性 95
6.8正向大电流效应 97
6.9 p-n结中的少数载流子储存 100
6.10大量生产的结型整流器 101
问 题 102
第七章晶体管绪论 103
7.1引 论 103
7.2理想放大器 103
7.3由p-n结综合成的放大器 104
7.4 p-n-p结型晶体管 105
7.5电流增益理论 106
7.6共基极晶体管特性 108
7.7共发射极晶体管特性 110
7.8高频特性 112
7.9交流等效电路 113
7.10最佳晶体管参量设计 114
问 题 116
第八章结型晶体管理论 118
8.1一维模论 118
8.2 p-n-p能位图 118
8.3假设及边界条件 119
8.4发射极及收集极电流 120
8.5均匀基区的电流增益理论 123
8.6均匀基区的截止频率 127
8.7缓变基区的电流增益理论 129
8.8缓变基区的截止频率 133
8.9发射结及收集结电容 134
问 题 135
8.10各种晶体管工艺所产生的杂质剖面图 135
第九章结型晶体管特性 136
9.1晶体管直流参数 136
9.2共发射极电流增益β 136
9.3收集极反向电流 138
9.4收集极击穿电压 141
9.5发射极反向特性 143
9.6基区电阻 144
9.7缓变基区的薄層电阻 148
9.8基极输入及收集极饱和电压 150
问 题 153
9.9参量的温度关系 153
第十章晶体管大电流特性 154
10.1大电平注入理论 154
10.2表面复合随电流的变化 157
10.3体复合随电流的变化 158
10.4发射效率随电流的变化 159
10.5电流增益的合成变化 161
10.6基区电导调制 163
10.7基区的电流集边现象 164
10.8电流对基区截止频率的影响 165
问 题 166
11.1晶体管频率分析引论 167
11.2基区宽变效应 167
第十一章低频囘授效应 167
11.3收集极输出电导 168
11.4发射极输入电阻 170
11.5基区囘授电阻 171
11.6收集极扩散电容 172
11.7低频等效电路 173
问 题 174
第十二章低频h参量 175
12.1晶体管的小信号参量 175
12.2共基极h参量 176
12.3对等效电路的应用 177
12.4输入阻抗h？b 177
12.5反向——电压囘授hrb 178
12.6正向电流傅输hrb 179
12.7输出导纳hob 179
12.8随发射极电流的变化 179
12.9随收集极电压的变化 182
12.10随温度的变化 182
12.11共发射极h参量 183
问 题 184
第十三章高频h参量 186
13.1引 论 186
13.2少数载流子电流的普遍解 186
13.3基区变宽效应的引进 189
13.4导纳方程 192
13.5变换到h参量 195
13.6与基区截止频率及基区电阻的关系 196
13.7 hrb的频率变化 197
13.8 hlb的频率变化 200
13.9 hrb的频率变化 201
13.10 hob的频率变化 202
13.11高频等效电路 204
问 题 205
第十四章晶体管的频率响应 206
14.1共基极电流增益的频率变化 206
14.2发射极延迟时间常数 206
14.3基区渡越时间 207
14.5收集极延迟时间常数 208
14.4收集结耗尽層渡越时间 208
14.6a截止频率fab 209
14.7共发射极电流增益的频率变化 210
14.8 β截止频率fae及电流增益带宽频率 210
14.9 fT随电压及电流的变化 211
14.10最佳fT的设计理论 213
问 题 213
第十五章结型晶体管放大器 214
15.1引 论 214
15.2一般四端网络的功率增益 214
15.3低频放大器功率增益 215
15.4最大有用功率增益 218
15.5高频共发射极h参量 221
15.6高频放大器功率增益 223
15.7最高振荡频率 224
15.8功率增益随电压及电流的变化 224
15.9最佳功率增益——带宽的设计理论 225
问 题 228
第十六章结型晶体管开关 229
16.1开关晶体管引论 229
16.2开关过程的定性描述 230
16.3基区储存电荷晶体管分析 232
16.4延迟时间 235
16.5上升时间 236
16.6储存时间 238
16.7下降时间 242
16.8开关晶体管的电荷参量 242
问 题 244
第十七章晶体管的设计原理 245
17.1制造过程对晶体管设计的限制 245
17.2生长结晶体管 245
17.3合金晶体管 247
17.4扩散基区合金晶体管 248
17.5台型及平面型晶体管 249
17.6外延晶体管 250
17.7半导体集成电路引论 252