目录 2
译者的话 2
序言 2
第一章 器件模型及反相器分析 2
第一部分 2
1.1 结型二极管的特性及模型 2
1.1.1 结型p-n二极管特性 2
10.1.2 斜坡发生器 38 4
1.1.2 从另一个角度来讨论VI关系 4
1.1.3 二极管的几个工作区 5
1.1.4 结型p-n二极管中电流的定性解释 7
1.1.5 理想二极管电路模型 8
1.1.6 理想二极管与电压源串联构成的二极管模型 10
1.2 图解法分析二极管电路 11
1.2.1 负载线法 12
1.2.2 线性模型的解析法与图解法的比较 12
1.3 二极管讨论的总结 13
第二部分 14
1.4 双极型晶体管模型及其特性 14
1.4.1 晶体管的参考方向及电路图符号 14
1.4.2 结型晶体管的工作原理 15
1.4.3 双极型晶体管的埃伯斯-摩尔（Ebers-Moll）模型 17
1.4.4 正常状态放大区模型 18
1.4.6 截止区模型 19
1.4.7 饱和区模型 19
1.4.5 反接状态放大区模型 19
1.4.8 测得的晶体管特性 20
1.4.9 用模型拟合测量数据 23
1.5 晶体管反相器分析 24
1.5.1 用戴维宁等效电路简化输入及输出网络 24
1.5.2 采用晶体管基本模型的反相器的解析法 26
1.5.3 理论传输特性与实验传输特性的比较 28
1.5.4 晶体管反相器的图解分析 28
1.6 射极跟随器分析 30
1.7 MOS场效应管 32
1.7.1 MOS场效应管的特性 32
17.2 MOS场效应管反相器 34
1.8 晶体管讨论的总结 36
2.1 布尔代数 48
第二章 基本逻辑设计 48
2.1.1 真值表 49
2.1.2 基本定理 50
2.2 卡诺图 54
2.3 逻辑符号 59
2.4 二极管逻辑 60
2.4.1 二极管“或”门 61
2.4.2 二极管“与”门 62
2.5 总结 63
第三章 逻辑门电路 71
第一部分 71
3.1 饱和逻辑电路 71
3.1.1 晶体管反相器 71
3.1.2 噪声容限 72
3.1.3 扇出 73
3.1.4 噪声容限对扇出的影响 75
3.1.5 基极的过驱动系数 76
3.1.6 最坏情况设计 77
3.1.7 逻辑门电路 78
3.2 电阻-晶体管逻辑 79
3.2.1 RTL门的功耗 81
3.2.2 RTL门的传输延迟 81
3.2.3 低功耗RTL门 82
3.2.4 直接耦合晶体管逻辑 82
3.3 二极管-晶体管逻辑 83
3.3.1 基本DTL门的扇出 85
3.3.2 改进的DTL门 87
3.3.3 改型DTL门 88
3.3.4 930系列DTL门 91
3.4 晶体管-晶体管逻辑 95
3.4.1 输入晶体管 96
3.4.2 输出级 97
3.4.3 TTL门的扇出 99
3.4.4 54/74系列TTL门 101
3.5 不饱和逻辑电路 108
第二部分 108
3.6 射极耦合逻辑 110
3.6.1 ECL门的分析 111
3.6.2 MECL Ⅱ系列ECL门 113
3.7 MOS场效应管电路 119
3.7.1 MOS场效应管反相器 119
3.7.2 MOS场效应管门电路 120
3.7.3 互补MOS电路 121
3.7.4 CMOS门电路 124
3.8 各种电路的比较 125
3.9 中规模集成电路（MSI）和大规模集成电路（LSI） 126
3.10 总结 127
4.1 逻辑的实现 139
4.1.1 联接方法和集成度 139
第四章 组合逻辑设计 139
4.1.2 电路类型的选择 140
4.2 逻辑图的分析 142
4.2.1 全“与非”或全“或非”逻辑图的分析 142
4.2.2 混合的“与非”和“或非”逻辑单元 146
4.3 组合函数的综合 147
4.3.1 求解一个综合问题：表决机器 148
4.3.2 更进一步的逻辑综合例子：二进制加法器 152
4.3.3 “异-或”门和数字比较器 156
4.4 无关条件 157
4.4.1 代码转换 159
4.4.2 多路输出 161
4.5 电路实现中的一些考虑 162
4.5.1 不用的输入端的处理 162
4.5.2 线连逻辑 164
4.5.3 BCD（二-十进制）七段译码器/驱动器 167
4.6 总结 170
第五章 锁存器和触发器 182
5.1 锁存器 182
5.1.1 用“或非”门构成的锁存器的特性 184
5.1.2 用“与非”门构成的锁存器 185
5.1.3 锁存器应用举例：防止反跳的开关 187
5.2 时钟驱动的触发器 188
5.2.1 R-S触发器 188
5.2.2 触发器的激励表和特征表 190
5.2.3 数据存贮锁存器 190
5.3 具有存贮作用的触发器 191
5.3.2 主从触发器 192
5.3.1 含有延迟元件的计数触发器 192
5.3.3 J-K主从触发器 194
5.3.4 触发器初始状态的预置 197
5.4 D触发器 200
5.5 触发器之间的变换 201
5.6 施密特触发器 203
5.7 单稳态多谐振荡器 205
5.8 总结 206
第六章 计数器和寄存器 213
6.1 异步计数器 213
6.1.1 二进制行波计数器 214
6.1.2 减法计数器 215
6.1.3 十进制行波计数器 217
6.2 同步计数器 219
6.2.1 二进制同步计数器 219
6.2.2 十进制同步计数器 222
6.2.3 一般的BCD同步计数器 224
6.3 移位寄存器 226
6.3.1 串行-并行变换器 226
6.3.2 并行-串行变换器 227
6.4 环形计数器 228
6.5 移位计数器 230
6.6 存贮单元 232
6.7 总结 233
第七章 小信号放大器 240
7.1 晶体管电路模型 240
7.1.1 埃伯斯-摩尔模型 241
7.1.2 小信号晶体管模型 241
7.1.3 跨导 243
7.1.4 欧姆电阻 244
7.1.5 基区宽度调制 245
7.1.6 混合π模型 246
7.2 基本共射极放大器 247
7.2.1 直流工作状态 247
7.2.2 小信号特性 248
7.3 共射极放大级的级联 249
7.4 基本射极跟随器 252
7.4.1 直流工作状态 253
7.4.2 小信号特性 254
7.5 共集极放大级的级联 257
7.6 基本共基极放大器 259
7.6.1 直流工作状态 260
7.6.2 小信号特性 260
7.7 小信号参数总结 263
第八章 差动放大器 279
8.1 单端放大器 279
8.2 差动放大器 280
8.3 差动放大对 283
8.3.1 直流工作状态 283
8.3.2 工作方式 284
8.3.3 小信号特性 286
8.4 级联差动对 291
8.4.1 直流工作状态 292
8.4.2 小信号特性 293
8.5 转换成单端形式的方法 296
8.5.1 用电阻和电流源转移电平的方法 296
8.5.2 用射极跟随器转移电平的方法 297
8.6 集成电路中的电流源 298
8.6.1 二极管偏置方案 299
8.6.2 改进的二极管偏置方案 300
8.6.3 用不相同晶体管组成的电流源 300
8.7 整个差动放大器的设计举例 301
8.7.1 全部采用n-p-n管的运算放大器的设计 301
8.7.2 直流工作状态 302
8.7.3 小信号特性 305
8.7.4 MC1530/MC1531运算放大器 310
8.8 741型运算放大器的设计特点 311
8.8.1 小信号特性 315
8.9 各种电路的比较 320
8.10 总结 321
第九章 电阻反馈及频率补偿 335
9.1 理想的运算放大器 335
9.1.1 增益 336
9.1.2 输入电阻 336
9.1.3 输出电阻 336
9.1.4 输入失调电压 336
9.1.5 响应时间 336
9.2 基本电路单元 337
9.2.1 电压跟随器 337
9.2.2 同相放大器 338
9.2.3 反相放大器 339
9.3 反馈 340
9.3.1 基本性质 341
9.3.2 反馈方程 341
9.3.3 增益灵敏度 343
9.3.4 同相放大器 345
9.3.5 反相放大器 350
9.3.6 总结 354
9.4 频率响应 355
9.4.1 稳定性 355
9.4.2 波德（Bode）图 356
9.4.3 运算放大器的波德图 362
9.5 频率补偿 365
9.5.1 窄带补偿 365
9.5.2 宽带补偿 366
9.6 总结 368
第十章 数字和线性集成电路的应用 380
10.1 双斜率数字电压表 380
10.1.1 双斜率数字电压表的原理 381
10.1.3 电压比较器 387
10.1.4 简化的双斜率数字电压表 387
10.1.5 电流源IREF的切换 390
10.1.6 数字电压表的计数器设计 392
10.1.7 过载指示 395
10.1.8 控制逻辑 395
10.1.9 振荡器（脉冲发生器）的设计 399
10.1.10 数字电压表的评述 404
10.2 数字-模拟转换 405
10.2.1 一个简单的权电阻数字-模拟转换器 405
10.2.2 使用晶体管开关的权电阻数字-模拟转换器 407
10.3 锁相环 408
10.3.1 相位比较器 408
10.3.2 压控振荡器 410
10.3.3 一个简单的锁相环 412
10.4 总结 414
10.3.4 数字倍频器 414
附录A 集成电路的制造工艺 424
A.1 结的平面工艺 424
A.2 电路元件 425
A.2.1 集成双极型晶体管 425
A.2.2 集成扩散电阻 426
A.2.3 集成电容器 426
A.2.4 MOS晶体管 427
A.3 集成芯片的封装 428
附录B 电路定律 430
B.1 实际电压源和理想电压源 430
B.2 实际电流源和理想电流源 431
B.3.1 基尔霍夫电流定律 432
B.3.2 基尔霍夫电压定律 432
B.3 基尔霍夫定律 432
B.3.3 集成电路分析中电流方向的规定 433
B.4 电路定律的应用 434
B.5 戴维宁定理 435
B.5.1 戴维宁等效电路 436
B.6 诺顿定理 438
B.6.1 诺顿等效电路 438
B.7 叠加原理 439
C.1 十进制 442
附录C 数制和代码 442
C.2 二进制 443
C.2.1 十进制整数的变换 443
C.3 八进制 444
C.3.1 十进制变换 444
C.3.2 二进制变换 445
C.4 数的代码 446
C.4.1 BCD代码 446