译者前言 1
导言 平面工艺 1
第一篇 固态工艺 5
第一章 汽相生长 5
1.1 生长的动力学 7
1.2 气相质量转移 11
1.3 气体的一些性质 17
第二章 热氧化 20
2.1 氧化物生长的动力学 21
2.2 空间电荷对氧化的影响 29
第三章 固态扩散 33
3.1 流密度 33
3.2 输运方程 39
3.3 扩散层 40
3.4 与简单扩散理论的偏离 56
3.5 热氧化过程中杂质的再分布 66
3.6 通过二氧化硅层的扩散(氧化物掩蔽) 72
3.7 外延生长中杂质的再分布 75
4.1 固体的能带理论 86
第二篇 半导体和半导体器件 86
第四章 半导体物理基础 86
4.2 半导体中的电子和空穴 89
4.3 费米-狄喇克分布函数 93
4.4 平衡态下半导体的重要公式 94
4.5 电子和空穴的输运 101
第五章 非平均条件下的半导体 112
5.1 注入 112
5.2 复合过程的动力学 122
5.3 低注入下的寿命 130
5.4 表面复合 132
5.5 复合-产生中心的来源 136
第六章 p-n结 144
6.1 静电学 146
6.2 突变结的空间电荷区 149
6.3 线性缓变结的空间电荷区 158
6.4 扩散结的空间电荷区 160
6.5 电容-电压特性 164
6.6 电流-电压特性 167
6.7 结的击穿 186
6.8 瞬态性质 196
第七章 结型晶体管 203
7.1 晶体管的工作原理 204
7.2 晶体管中的电流；电流增益 209
7.3 简单理论的极限和修正 218
7.4 基区电阻 224
7.5 最大电压极限 226
7.6 最小电压极限 229
7.7 热极限 232
第八章 结型场效应晶体管 239
8.1 工作原理 240
8.2 结型场效应晶体管的特性 244
8.3 简单理论的修正 249
第三篇 表面效应和表面控制器件 256
第九章 半导体表面理论 256
9.1 表面空间电荷区的特性--平衡情况 257
9.2 理想MIS(或MOS)结构 264
9.3 功函数差、绝缘体中电荷、表面态对MOS特性的影响 271
第十章 表面对p-n结的影响 282
10.1 表面空间电荷区特性--非平衡情况 282
10.2 栅控二极管结构 288
10.3 表面空间电荷区中的复合-产生过程 291
10.4 场感应结和沟道电流 297
10.5 表面对结击穿电压的影响 302
第十一章 表面场效应晶体管 309
11.1 工作原理 310
11.2 表面场效应晶体管的特性 313
11.3 简单理论的修正 320
11.4 其它类型的表面场效应晶体管 322
第十二章 硅-二氧化硅系统的性质 327
12.1 快表面态 328
12.2 氧化物内的空间电荷 330
12.3 表面态电荷 335
12.4 势垒能量 338
12.5 表面迁移率 339
12.6 氧化物表面的电导 340
12.7 其它绝缘体 343