半导体器件的发展 王守武 1
一、前言 1
二、电子器件的结构与发展 8
三、超大规模和甚大规模集成电路的发展 35
四、光电器件与单块光电集成 66
五、结束语 88
参考文献 89
一、前言 98
MOS技术中的Si-SiO2界面物理 李志坚 98
二、MOS结构的电特性 102
三、Si-SiO2界面电子态研究 122
四、氧化层中的陷阱和MOS结构的辐照效应 147
五、相关的其他问题和对进一步工作的提示 171
六、结束语 173
参考文献 174
半导体器件的数值模型 谈根林 王以铭 182
一、前言 182
二、基本半导体方程 184
三、器件模拟的数值技术 206
四、不等温器件分析 229
五、异质结器件分析 243
六、半导体器件的蒙特卡罗分析 257
七、结束语 273
参考文献 274
异质结双极型晶体管 苏里曼 283
一、前言 283
二、晶格匹配 285
三、异质结的形成 289
四、异质结晶体管的能带设计 293
五、异质结晶体管各区的材料选择 312
六、异质结晶体管的结构设计 322
七、异质结晶体管的制作工艺 345
八、异质结晶体管的性能 363
九、异质结晶体管集成电路 378
十、结束语 387
参考文献 391