第一章 外延生长概述 4
1-1 什么是外延生长 4
1-2 外延生长的种类 4
1-3 外延生长的特点 8
1-4 器件对外延片的一般要求 10
参考文献 11
第二章 衬底的制备 12
2-1 单晶的定向 13
2-2 单晶的切割 18
2-3 单晶片的研磨 21
2-4 单晶片的倒角 29
2-5 单晶片的化学腐蚀 30
2-6 单晶片的抛光 31
2-7 单晶片的化学清洗 37
2-8 单晶片质量的检测 41
参考文献 46
第三章气相外延生长 47
3-1 气相外延生长的淀积反应 48
3-2 气相外延生长的热力学 57
3-3 气相外延生长的动力学 66
3-4 气相外延生长的成核和生长 87
3-5 气-液-固外延生长 92
参考文献 93
第四章 硅气相外延生长 95
4-1 氢还原SiCl4硅外延生长原理 97
4-2 氢还原SiCl4硅外延生长设备 101
4-3 氢还原SiCl4硅外延生长工艺 113
4-4 氢还原SiCl4硅外延生长参数控制 120
4-5 硅外延层质量的检测 162
4-6 硅外延层缺陷的分析 184
4-7 氢还原SiHCl3硅外延生长 195
4-8 硅烷热分解硅外延生长 196
4-9 二氯硅烷和混合源硅外延生长 201
参考文献 208
第五章 硅气相外延的发展 209
5-1 完美硅外延生长 209
5-2 选择硅外延生长 215
5-3 低压硅外延生长 218
5-4 低温硅外延生长 225
5-5 很低压硅外延生长 228
5-6 增强等离子体硅外延生长 231
参考文献 239
第六章 砷化镓气相外延生长 241
6-1 氯化物歧化法GaAs气相外延生长 242
6-2 GaAs外延层电学特性控制 256
6-4 Ga/HCl/AsCl3/H2体系GaAs外延生长 264
6-3 GaAs外延层的缺陷 264
6-5 GaAs的选择外延生长 265
6-6 GaP和InP气相外延生长 269
6-7 GaAs1-xPx气相外延生长 270
参考文献 276
第七章 金属有机化合物气相外延生长 278
7-1 MOVPE技术概要 278
7-2 MOVPE设备 280
7-3 MOVPE生长GaAs及其影响因素 283
5-7 离子团束硅外延生长 285
5-8 P-CVD硅外延生长 288
7-4 MOVPE生长GaAs的反应机理 289
7-5 MOVPE法生长Ga1-xAlxAs 291
7-6 GaxIn1-xAs1-yPy的MOVPE外延生长 294
7-7 MOVPE技术的现状 295
参考文献 298
第八章 液相外延生长 299
8-1 液相外延生长方法和装置 300
8-2 从二组分溶液液相外延生长原理 304
8-3 从二组分溶液中瞬态生长 311
8-4 从含有两个以上组分的溶液中的异质外延生长 317
8-5 平衡相图 327
8-6 液相外延层电性能和发光性能的控制 332
8-7 液相外延层表面形貌 341
8-8 液相外延生长的实例 343
参考文献 354
第九章 固相外延生长 356
9-1 无输运介质的固相外延生长 357
9-2 有输运介质的固相外延生长 363
9-3 固相外延生长小结 373
参考文献 374
第十章 分子束外延生长 375
10-1 分子束外延生长设备 377
10-2 分子束外延生长的源气化 379
10-3 分子束外延生长动力学 382
10-4 分子束外延生长GaAs 386
10-5 分子束外延生长其它化合物半导体 389
10-6 分子束外延生长硅 394
10-7 分子束外延在超晶格制备方面的应用 397
参考文献 398
11-1 电外延生长技术 400
第十一章 其它外延生长技术 400
11-2 热壁外延生长技术 420
11-3 化学束外延生长技术 427
11-4 利用离子的化合物半导体外延生长技术 433
11-5 利用光的化合物半导体外延生长技术 436
11-6 原子层、分子层外延生长技术 442
参考文献 451
第十二章 异质外延生长 454
12-1 GaAs/Si外延生长 454
12-2 SOS外延生长 462
12-3 SOI外延生长 468
参考文献 481