目录 3
再版说明 3
外延硅薄膜中的杂质分布 5
用红外技术测量硅外延气相生长薄层的电阻率 14
外延装置中硅和二氧化硅的连续生长 19
用热生长氧化层法稳定硅表面 24
热氧化引起硅中杂质的再分布和结的形成 46
硅表面的氧化处理方法 54
硅器件制造中的光刻过程 66
硼通过氧化层在硅中的扩散 73
磷在二氧化硅薄膜中的扩散 83
金在硅中扩散的机构 94
掺金硅的性质 103
在硅上蒸发和合金的技术 111
硅晶体管的铝丝连接 120
晶体管参数与基区电阻率分布的关系 126
功率晶体管设计的某些问题 135
功率晶体管的自偏压截止效应 143
条状结构晶体管的基区电势分布对发射极注入电流密度和基极有效电阻的影响 145
大电流密度下晶体管截止频率（fT）下降的理论 153
硅晶体管发射极-基极结中复合电流的分布 167
结型三极管可迅速开关的最大功率密度 176
收集区内的少数载流子积累效应与晶体管的贮存时间 181
双扩散晶体管的注射效率 190
表面复合和沟道对p-n结和晶体管特性的影响 193
扩散p-n结的雪崩击穿特性 211
p-n结中雪崩击穿的确定 218
硅p-n结中的金属淀积 220
扩散结中的空间电荷层宽度 225
半导体硅中的漂移迁移率 230
硅本体和硅中扩散层的电阻率 233