目录 1
第一章 物理概念（李昌猷译） 1
1.1 引言 1
1.2 锗晶体 1
1.3 完美锗晶体中的电子性态 2
1.4 晶体的缺陷 4
1.5 辐射能缺陷 4
1.6 化学杂质缺陷 6
1.7 原子无序排列所造成的缺陷 9
1.8 能带 10
1.9 结 13
1.10 二极管作用 14
1.11 费密能级 16
1.12 晶体管作用 18
1.13 点接触型二极管 22
1.14 点接触型晶体管 24
1.15 光电晶体管 25
1.16 锗的制备 26
1.17 面接合型晶体管构造 28
1.18 点接触型晶体管构造 29
第二章 特性曲线、参数、等效电路（李昌猷译） 32
2.1 引言 32
2.2 晶体管作为电路元件 32
2.3 面接合型晶体管的特性曲线；一般考虑 33
2.4 共基极特性曲线 34
2.5 共发射极特性；z参数 37
2.6 共发射极特性；y参数 41
2.7 共发射极特性；h参数 42
2.8 低频等效电路 44
2.9 低频等效电路分析的近似方法 46
2.10 线性四端网络 46
2.11 无源线性四端网络的等效电路 50
2.12 有源线性四端网络的双发生器等效电路 51
2.13 有源线性四端网络的单发生器等效电路 51
2.14 将晶体管当为线性有源四端网络 55
2.15 面接合型晶体管参数的测量 59
2.16 辅助对称 61
2.17 对称晶体管 62
2.18 电流增幅晶体管 64
2.19 点接触型晶体管 65
2.20 点接触型晶体管的特性曲线和等效电路 66
第三章 基本放大器组态（汤国权译） 70
3.1 引言 70
3.2 基本放大器 71
3.3 共发射极放大器 73
3.4 共基极放大器 76
3.5 共集电极放大器 79
3.6 晶体管与电子管电路的直接类似和对偶类似 81
3.7 用z参数分析晶体管放大器 86
3.8 用h参数分析晶体管放大器 99
3.9 晶体管噪声 108
3.10 有噪声时晶体管的网络表示法 110
第四章 直流偏置电路（汤国权译） 117
4.1 引言 117
4.2 运用点的建立 117
4.3 自偏 119
4.4 影响运用点的各种因素 122
4.5 Ico对于静止电流的影响 124
4.6 αcb的改变对于静止电流的影响 127
4.7 集电极电压的稳定性 128
4.8 稳定性和偏置的分别控制 130
4.9 电流反馈稳定法 133
4.10 综合自偏 135
第五章 低频放大器（汤国权译） 137
5.1 低频放大器的分类 137
5.2 晶体管放大器的基本电路 138
5.3 电阻电容耦合放大器 140
5.4 电阻电容耦合放大器的频率响应 143
5.5 电阻电容耦合放大器的自偏 146
5.6 电阻电容耦合放大器的设计 150
5.7 稳定的电阻电容耦合放大器的实用设计 154
5.8 电阻电容耦合放大器的效率 157
5.9 变压器耦合 158
5.10 阻抗耦合放大器 160
5.11 辅助对称放大器 161
5.12 放大器控制 164
5.13 终端电路 167
5.14 晶体管放大器的反馈 169
第六章 功率放大器（何羽译） 173
6.1 引言 173
6.2 面接合型功率晶体管的特性 173
6.3 单晶体管功率放大器 175
6.4 功率放大器的非线性 178
6.5 电流放大系数随发射极电流的变化 179
6.6 αcb的非线性对放大器畸变的影响 180
6.7 非线性输入阻抗的影响 182
6.8 推挽放大 183
6.9 倒相器 184
6.10 B类放大器 186
6.11 B类辅助对称电路 190
6.12 B类放大器的高温运用 192
第七章 高频运用（何羽译） 196
7.1 引言 196
7.2 面接合型晶体管中电荷的流动 197
7.3 电抗效应 200
7.4 通用等效电路 201
7.5 本征晶体管的等效电路 204
7.6 基层宽度调制 207
7.7 实用等效电路 209
7.8 运用频率的范围 212
7.9 共发射极与共集电极等效电路 214
7.10 面接合型晶体管的高频性能 217
7.11 短路电流放大系数的讨论 225
7.12 用h参数决定电路元件 227
7.13 π形电路 229
7.14 T形电路 232
附录1 234
附录2 235
第八章 晶体管参数的物理意义（何羽译） 240
8.1 扩散问题 240
8.2 扩散方程 241
8.3 直流边界条件 242
8.4 直流解 243
8.5 直流特性 245
8.6 小信号电导 248
8.7 基层宽度调制 249
8.8 交流边界条件 250
8.9 交流解 251
8.10 本征晶体管的短路导纳 253
8.11 表面复合 256
8.12 短路电流放大系数及其随电流的变化 258
8.13 过渡层 261
8.14 基层扩展电阻 265
8.15 面接合型四极管 266
8.16 晶体管参数的温度依从关系 267
附录1：电导率关系 270
第九章 高频放大器（班冀超译） 275
9.1 引言 275
9.2 晶体管放大器和电子管放大器在高频时的比较 275
9.3 最大功率增益的计算 277
9.4 设计狭带和宽带放大器的一般讨论 280
9.5 短路稳定晶体管狭带放大器的耦合网络 281
9.6 用短路不稳定晶体管的狭带放大器 290
9.7 自动增益控制系统 292
9.8 宽带放大器 298
9.9 用特殊高频晶体管的放大器 305
9.10 晶体管高频放大器的中和及单向 306
第十章 振荡器（班冀超译） 310
10.1 引言 310
10.2 持续振荡的条件 312
10.3 负电阻二端网络 313
10.4 晶体管负电阻电路 317
10.5 高频考虑 320
10.6 频率稳定 322
10.7 晶体控制振荡器 325
10.8 振荡器频率倍增器 326
10.9 弛张振荡器 326
10.10 自猝振荡器 331
10.11 四端振荡器 332
10.12 通用的四端振荡器 333
10.13 科耳皮兹振荡器；起振条件 335
10.14 科耳皮兹振荡器；频率稳定 335
10.15 哈脱莱振荡器；起振条件 337
10.16 哈脱莱振荡器；频率稳定 338
10.17 调集电极振荡器 338
10.18 晶体控制 339
10.19 点接触型晶体管反馈振荡器 339
第十一章 调制与解调（班冀超译） 341
11.1 晶体管特性曲线的非线性 341
11.2 指数曲线所产生的谐波 348
11.3 调制放大器 349
11.4 平衡调制与辅助对称 351
11.5 面接合型晶体管调幅振荡器 354
11.6 调频及频率稳定 361
11.7 点接触型调制振荡器 362
11.8 晶体管混频器 364
11.9 变频器 373
11.10 二极管检波器 374
11.11 集电极检波 375
11.12 在集电极检波器及B类放大器中有最小畸变时所需偏压 377
11.13 集电极检波器及B类放大器最佳偏压点与温度的关系 379
11.14 用非线性元件的运用点稳定法 379
12.1 引言 384
第十二章 脉冲电路（成众志译） 384
12.2 点接触型晶体管的大信号运用 386
12.3 触发作用及触发电路 390
12.4 点接触型晶体管的触发作用 394
12.5 基本单稳电路 399
12.6 传输线控制单稳电路 407
12.7 几种实用单稳电路 408
12.8 基本双稳电路 411
12.9 双晶体管双稳电路 414
12.10 闸门电路 417
12.11 直流运用点稳定法 419
12.12 点接触型晶体管的瞬变效应 421
12.13 点接触型晶体管的高频等效电路 423
12.14 触发电路的稳定性判据 424
12.15 发射极高频策动点特性曲线 426
12.16 基本双稳电路的开关要求 427
12.17 触发电路瞬变效应的图解表示 430
12.18 非饱和双稳电路 432
12.19 面接合型晶体管脉冲电路 433
12.20 面接合型晶体管的大信号运用 434
12.21 面接合型晶体管双稳电路 436
12.22 面接合型晶体管单稳电路 443
12.23 复式面接合型晶体管元件 444
12.24 面接合型晶体管闸门电路 445
索引 451