第2篇 3
第1章 绪论 3
1.1 硅器件及其工艺发展简史 3
目录 3
1.2 硅器件的分类 7
1.2.1 分立器件的分类 7
1.2.2 集成电路的分类 8
1.3 硅器件工艺的特点及要求 8
1.3.2 硅器件工艺是高级精密工艺 9
1.3.1 硅器件工艺是技术复杂的工艺 9
1.3.3 硅器件工艺是迅速发展的工艺 11
参考资料 12
第2章 硅集成电路元器件 13
及集成化工艺 13
2.1 集成电路中的电阻元件 13
2.1.1 扩散电阻元件 14
2.1.2 离子注入电阻元件 20
2.1.4 薄膜电阻元件 23
2.1.3 多晶硅电阻元件 23
2.2 集成电路中的电容元件 28
2.2.1 扩散结电容器 28
2.2.2 MOS电容器 35
2.2.3 薄膜电容器 36
2.3 集成晶体管 39
2.3.1 集成晶体管的寄生效应 39
2.3.2 集成npn晶体管 40
2.3.3 集成pnp晶体管 43
2.3.4 集成场效应晶体管 45
2.4 集成电路中的二极管 47
2.4.1 普通二极管 47
2.4.2 特种二极管 48
2.5 双极集成电路制作流程 49
及工艺 49
2.5.1 双极TTL电路制作流程与工艺 49
2.5.2 肖特基TTL电路制作流程与工艺 53
2.5.3 中电压线性集成电路制作流程与工艺 54
2.6.1 p沟铝栅MOS工艺 55
2.6 MOS集成电路制作流程 55
与工艺 55
2.6.2 n沟硅栅E/D MOS工艺 57
2.6.3 短沟n沟硅栅MOS工艺 61
2.6.4 CMOS工艺 63
2.7 其它电路 68
第3章 硅外延 69
3.1 外延种类及材料要求 69
3.1.1 硅外延的种类 69
3.1.2 器件对硅材料的要求 70
3.1.3 外延材料参数的选定 73
3.2 外延与器件的关系 75
及有关问题 75
3.2.1 外延与器件的关系 75
3.2.2 外延层杂质分布 75
3.2.3 外延层中的外扩散与自掺杂 77
3.2.4 外延后的图形漂移与畸变 81
3.2.5 外延层缺陷及其减少方法 84
3.3.1外延设备概述 85
3.3 外延设备与硅源 85
3.3.2 三种反应室的特点与比较 86
3.3.3 几种常用硅源的选用和比较 88
3.4 常压外延工艺 90
3.4.1 外延前工艺准备 90
3.4.2 外延工序 91
3.4.3 外延工艺条件选定与生长速率 91
3.4.4 掺杂外延 96
3.4.5 提高外延工艺质量的方法 98
3.4.6 外延常见工艺问题及其处理 99
3.5 低压外延与选择外延 101
3.5.1 低压外延 101
3.5.2 低压选择外延 103
3.5.3 等离子增强CVD外延 106
3.6 薄层外延 107
3.7 蓝宝石上硅外延（SOS） 109
3.7.1 CVD法SOS外延 109
3.7.3 固相外延法SOS外延 110
3.7.2 分子束外延法SOS外延 110
3.8 分子束硅外延 112
3.8.1 分子束外延的性质和特点 112
3.8.2 分子束外延设备简述 112
3.8.3 分子束外延工艺 114
3.9 外延层的测量 119
3.9.1 外延层厚度测量 119
3.9.2 外延层电阻率的测量 123
3.9.3 外延层少数载流子寿命测量 125
3.9.4 杂质分布测量 126
3.9.5 外延层缺陷的测量 126
参考资料 126
第4章 热氧化 128
4.1 二氧化硅膜的结构、性质和 128
用途 128
4.1.1 二氧化硅结构 128
4.1.2 二氧化硅膜的性质 130
4.1.3 二氧化硅膜对杂质的掩蔽 134
4.1.4 二氧化硅膜在器件中的应用 139
4.2 热生长二氧化硅原理 141
4.2.1 热氧化动力学 142
4.2.2 氧化速率常数与工艺的关系 144
4.2.3 干氧中的薄层氧化动力学 148
4.2.4 掺氯氧化动力学 149
4.2.5 高压氧化的动力学 151
4.3 热氧化工艺 154
4.3.1 干氧氧化 156
4.3.2 水汽氧化 159
4.3.3 湿氧氧化 160
4.3.4 三种氧化的比较 162
4.3.5 常压氢氧合成氧化 163
4.3.6 分压氧化 165
4.3.7 掺氯氧化 170
4.3.8 高压氧化技术 174
4.4 热氧化过程中杂质的分凝及 182
再分布 182
4.4.1 热氧化过程中杂质的分凝现象及其产生原因 182
4.4.2 热氧化过程中杂质的再分布 183
4.5 氧化膜检测 187
4.5.1 氧化膜厚度检测 187
4.5.2 氧化膜缺陷检测 194
4.5.3 介电系数和击穿特性测量 196
4.5.4 应力测量 198
4.6 热生长SiO2-Si系统的性质与测试 199
4.6.1 热生长氧化硅系统中的电荷 199
4.6.2 Si-SiO2结构性质的测试分析 201
4.6.3 Si-SiO2结构性质的几种测量方法 207
4.6.4 关于MOS电容样品的制备 217
参考资料 218
第5章 扩散 221
5.1 扩散原理 221
5.1.1 扩散机构 221
5.1.2 杂质在硅中的固溶度 222
5.1.3 扩散方程 223
5.1.4 扩散系数和扩散的异常性 229
结构参数 244
5.1.5 扩散层的电学参数与 244
5.2 硅中扩散层和次表面层的平 246
均电导率？与表面浓度Ns的 246
关系曲线 246
5.3 扩散杂质源及其扩散特性 259
5.3.1 杂质源概述 259
5.3.2 硼扩散源 260
5.3.3 磷扩散源 269
5.3.4 砷扩散源 275
5.3.5 锑扩散源 277
5.3.6 金和铂扩散源 278
5.4 扩散方法 279
5.4.1 箱法扩散 280
5.4.2 液态源扩散 281
5.4.3 片状源扩散 282
5.4.4 固-固扩散 283
5.4.5 涂源扩散 283
5.4.6 气态源扩散 284
5.5 有害杂质的扩散及控制 285
5.5.1 有害杂质的类别及性质 285
5.4.7 闭管扩散 285
5.5.2 有害杂质在半导体器件中的作用 287
5.5.3 控制有害杂质的方法 289
5.6 杂质在多晶硅中的扩散 290
5.6.1 多晶硅的特性 290
5.6.2 多晶硅中的杂质扩散 292
5.6.3 多晶硅的掺杂方法 295
处理 296
5.7 扩散中常见的工艺问题及其 296
5.7.1 硼扩散后薄层电阻Rs偏高或偏低 297
5.7.2 扩散对器件击穿电压的影响及纠正措施 297
5.7.3 扩散对晶体管放大倍数的影响及纠正措施 299
5.7.4 磷扩散中的一些问题 300
5.7.5 合金点的产生及其影响 300
5.8 扩散层的测量 301
5.8.1 扩散结深测量 301
5.8.2 扩散层薄层电阻测量 305
5.8.3 扩散层杂质分布测量 308
参考资料 310
第6章 离子注入 312
6.1 概述 312
6.2 基本原理 313
6.2.1 平均投影射程？p、标准偏差σp、横向标准偏差△x 313
6.2.2 核阻止本领Sn（E）、电子阻止本领Se（E） 314
6.2.3 R、？p和σp的简单计算公式 316
6.2.4 LSS理论计算？pσp和△x 316
6.2.5 注入杂质的分布 328
6.2.6 沟道效应、单晶靶中的射程分布 329
6.2.7 结深的估算 330
6.2.8 掩蔽膜最小厚度的确定 331
6.2.9 注入损伤及损伤分布 331
6.2.10 注入损伤的消除 332
6.3 离子注入工艺 333
6.3.1 注入的工艺条件 333
6.3.2 注入掩蔽层的厚度 340
6.4 离子注入层的退火 341
6.4.1 热退火 342
6.4.2 激光退火 352
6.4.3 电子束退火 355
6.4.4 快速热退火 355
6.5 离子注入层的氧化和腐蚀 357
性能 357
6.6 注入层的检测 360
6.6.1 注入层的参数 360
6.6.2 检测 361
6.7.1 注入损伤形成高阻隔离层 363
6.7 非电活性杂质的离子注入 363
6.7.2 注入形成介质层 364
6.7.3 离子束混合 365
6.7.4 离子的源材料 367
参考资料 370
第7章 隔离技术 372
7.1 概述 372
7.1.1 隔离技术及其分类 372
7.2 pn结隔离 373
7.2.1 标准pn结隔离 373
7.1.2 隔离工艺设计 373
7.2.2 pn结对通隔离 376
7.2.3 集电极扩散隔离 377
7.3 介质-pn结混合隔离 378
7.3.1 等平面氧化物隔离 379
7.3.2 多孔硅氧化隔离 395
7.3.3 多晶硅隔离 398
7.3.4 V形槽隔离 400
7.4.1 SiO2-多晶硅介质隔离 403
7.4 介质隔离 403
7.4.2 V形槽介质隔离 404
7.4.3 正沟槽介质隔离 404
7.4.4 改进的介质隔离 406
7.5 隔离特性的检测与分析 406
7.5.1 隔离特性检测 407
7.5.2 隔离特性分析 408
参考资料 409
第8章 光刻 410
8.1 概述 410
8.2.1 光刻胶的类型及感光机理 412
8.2 光刻胶及其特性 412
8.2.2 光刻胶的性能 429
8.2.3 光刻胶的种类 440
8.3 光刻技术 440
8.3.1 涂胶 440
8.3.2 前烘 444
8.3.3 定位与曝光 445
8.3.4 显影 449
8.3.5 坚膜 451
8.3.6 腐蚀 452
8.3.7 去胶 456
8.4 干法工艺 457
8.4.1 干法去胶 458
8.4.2 干法腐蚀 459
8.4.3 干法显影 471
8.5 光刻质量讨论 473
参考资料 478
9.1.1 CVD的定义及分类 480
9.1 CVD原理 480
第9章 化学气相淀积 480
9.1.2 化学气相淀积动力学 481
9.1.3 低压化学气相淀积原理 483
9.1.4 等离子体增强化学气相淀积原理 485
9.2 化学气相淀积工艺 486
9.2.1 CVD工艺基础 486
9.2.2 常压CVD工艺特点及设备 490
9.2.3 LTCVD SiO2和掺杂SiO2 492
9.2.4 LPCVD生产设备及一般工艺特点 500
9.2.5 低压低温淀积SiO2和PSG 503
9.2.6 低压中温淀积SiO2和PSG 505
9.2.7 LPCVD淀积Si3N4 513
9.2.8 LPCVD淀积多晶硅和掺杂多晶硅 520
9.2.9 PECVD工艺 532
9.2.10 光CVD 551
9.2.11 CVD金属及金属硅化物 554
9.2.12 化学气相淀积用的原材料 559
9.3.2 折射率测量 563
9.3.1 膜厚测量 563
9.3 CVD膜质量检测 563
9.3.3 介质膜的电阻率测量 564
9.3.4 介质膜的介电强度测量 565
9.3.5 介质膜的介电常数测量 565
9.3.6 C-V法测试介质膜的钝化 565
性能 565
9.3.7 膜应力及热膨胀系数的测定 566
9.3.8 CVD膜腐蚀速率的测定 568
9.3.10 表面形貌、晶体结构、化学组分的分析与测定 570
9.3.9 膜的表面缺陷及针孔密度的测定 570
9.4 CVD膜在器件制造中的 576
应用 576
参考资料 578
第10章 接触与互连 580
10.1 概述 580
10.1.1 金属化工艺的作用 580
10.1.2 金属化系统的要求 580
10.1.3 金属-半导体接触 581
10.2.1 常用金属的基本性质 582
10.2 常用金属和金属硅化物的 582
基本性质 582
10.2.2 常用金属硅化物的基本 589
性质 589
10.2.3 金属-硅平衡相图 603
10.3 金属化薄膜的制备 603
10.3.1 真空蒸发 603
10.3.2 溅射 612
10.3.3 其它淀积技术简介 619
结特性 620
10.4 肖特基势垒及其制备 620
10.4.1 金属-半导体肖特基势垒 620
10.4.2 肖特基势垒结的制作 623
10.4.3 肖特基势垒特性的劣化及防止措施 624
10.4.4 几种肖特基势垒二极管的结构和特点 626
10.4.5 肖特基势垒二极管的面积 626
缩小原理 626
10.4.6 几种常用金属-硅肖特基势垒 626
10.5.1 金属化系统 628
10.5 金属化互连技术 628
10.5.2 互连线设计 640
10.5.3 互连线制备 643
10.6 金属化的检测与在线监控 648
10.6.1 膜厚检测 648
10.6.2 表面电阻及接触电阻测量 653
10.7 附录：金属相图 660
参考资料 677
11.1.1 钝化膜及介质膜的重要性和作用 679
11.1.2 对钝化膜及介质膜性质的一般要求 679
第11章 表面钝化 679
11.1 概述 679
11.1.3 钝化膜及介质膜的种类、特性及其适用范围 680
11.2 磷硅玻璃（PSG）和硼磷 681
硅玻璃（BPSG） 681
11.2.1 PSG和BPSG的性质、特 681
点和钝化机理 681
11.2.2 PSG和BPSG的钝化工艺 683
11.3.1 Si3N4的性质及钝化机理 684
11.3 氮化硅（Si3N4） 684
11.3.2 制备Si3N4膜的主要工艺技术 686
11.4 氧化铝（Al2O3）和其它 687
金属氧化物 687
11.4.1 Al2O3的性质、特点 687
11.4.2 Al2O3膜的制备工艺 689
晶硅（SIPOS） 695
11.5.1 SIPOS钝化的特点和原理 695
11.5 半绝缘掺氧（或掺氮）多 695
11.4.3 其它金属氧化物 695
11.5.2 SIPOS饨化工艺 697
11.5.3 SIPOS钝化的应用 699
11.6 非晶硅（a-Si∶H） 699
11.6.1 a-Si∶H钝化的特点及 699
机理 699
11.7.1 聚酰亚胺系树脂的通性 700
11.7 聚酰亚胺 700
11.6.2 a-Si∶H钝化膜的生长及基本机理 700
11.6.3 a-Si∶H钝化膜在硅器件及集成电路上的应用 700
11.7.2 聚酰亚胺（PI）的性质和钝化机理 701
11.7.3 PI膜的钝化工艺 702
11.7.4 PI膜的应用 703
参考资料 704
12.1 探针接触质量的诊断分析 705
12.1.1 探针接触质量的电学诊断法 705
第12章 芯片参数分析 705
12.1.2 探针接触质量诊断编程注意事项 708
12.2 微电子测试结构在半导体 710
工艺监测分析中的应用 710
12.2.1 半导体材料电阻率的微电子测试结构 710
12.2.2 掺杂薄层电阻的微电子测试结构 711
12.2.3 导电薄层线宽的微电子测试结构 715
12.2.4 掩膜套准误差的测试结构 716
12.2.5 “欧姆接触”电阻的微电子测试结构 718
12.2.6 半导体表面问题的微电子测试结构及其分析 719
12.2.7 LSI中的微电子监测图形分析 722
12.2.8 监测结构参数的自动测试系统 726
12.3 集成电路中元器件的性能 727
分析 727
12.3.1 集成电路中电阻的性能分析 728
12.3.2 集成电路中晶体管的性能分析 731
12.3.3 集成电路中扩散二极管的性能分析 737
12.4 双极逻辑门电路的性能 741
分析 741
12.3.4 集成电路中扩散结电容的性能分析 741
12.4.1 TTL门电路的性能分析 742
12.4.2 ECL门电路的性能分析 752
12.4.3 I2L门电路的性能分析 755
12.4.4 STTL门电路的性能分析 758
12.5 模拟电路芯片的性能分析 762
12.5.1 运算放大器芯片的性能 762
分析 762
12.5.2 转换器芯片的性能分析 764
12.6 MOS电路芯片的性能 766
分析 766
12.5.3 D/A与运算放大器衔接后 766
的性能分析 766
12.6.1 MOS单管的基本参数 767
失常分析 767
12.6.2 MOS集成电路的直流参数分析 780
12.6.3 MOS集成电路的交流参数分析 785
12.6.4 MOS集成电路的功能分析 786
参考资料 795
13.2.1 圆片减薄的目的意义 797
13.2.2 减薄方法分类和特点 797
第13章 组装 797
13.2 圆片减薄 797
13.1 概述 797
13.2.3 减薄工艺 798
13.2.4 减薄的技术要求和检测方法 799
13.2.5 减薄的设备与材料 799
13.3.2 划片的分类和特点 801
13.3.3 划片工艺 801
13.3 划片与分片 801
13.3.1 划片、分片的目的和要求 801
13.3.4 分片 805
13.3.5 划片设备与刀具 805
13.4 检验 807
13.4.1 检验的目的与意义 807
13.4.2 检验方法和设备 807
13.4.3 检验标准 808
13.5.1 装架的目的和要求 809
13.5.2 装架的分类和特点 809
13.5 装架 809
13.5.3 装架工艺 810
13.5.4 装架设备与工具 818
13.6 键合 821
13.6.1 丝焊技术 821
13.6.2 叩焊和梁式引线技术 828
13.6.3 集成电路自动载带键合 831
13.6.4 引线键合的设备、工具和材料 836
参考资料 855
14.2.1 气密性 856
14.2 密封要求 856
14.1 概述 856
第14章 密封与检漏 856
14.2.2 湿度控制 857
14.2.3 工艺温度 858
14.2.4 静电防护 858
14.3 焊封工艺 859
14.3.1 突缘电阻焊 859
14.3.2 钎焊密封工艺 865
14.3.3 平行缝焊密封工艺 870
14.3.4 特种焊接方法 873
14.4.1 基本要求 874
14.4 低温玻璃密封工艺 874
14.4.2 析晶玻璃（微晶玻璃）与非析晶玻璃的比较 875
14.4.3 常用低温玻璃料成分 875
14.4.4 常用低温玻璃料性能 876
14.4.5 低温玻璃密封工艺 877
14.5 粘封工艺 878
14.5.1 常用材料的选择 878
14.5.2 粘封工艺 880
14.6.1 塑封材料 882
14.5.3 常见问题及解决办法 882
14.6 塑料封装 882
14.6.2 塑封工艺 885
14.6.3 质量与检验 886
14.7 检漏 887
14.7.1 漏率 887
14.7.2 氦质谱检漏仪背压法 887
14.7.3 放射性同位素Kr85检漏法 895
14.7.4 氟碳化合物加压检漏法 898
14.7.5 半导体管壳检漏 900
参考资料 901
第15章 管壳 902
15.1 概述 902
15.2 管壳类型 903
15.3 硅器件管壳设计 905
15.3.1 管壳电参数设计 905
15.3.2 管壳的热设计 918
15.3.3 管壳结构设计 929
15.4.1 金属-玻璃管壳制造工艺 932
15.4 管壳制造工艺 932
15.4.2 多层陶瓷管壳制造工艺 938
15.4.3 黑陶瓷低熔玻璃管壳工艺 943
15.4.4 陶瓷金属化工艺 946
15.4.5 管壳金属零件的清洁处理 952
15.4.6 钎焊工艺 954
15.4.7 管壳电镀工艺 956
15.5 管壳材料 961
15.5.1 金属材料 961
15.5.2 陶瓷材料 964
15.5.3 焊料 967
15.6 新型管壳简介 969
15.6.1 芯片载体和引线网阵 969
15.6.2 用于多芯片封装的传热组件（TCM） 971
15.6.3 带有热管的封装 973
15.6.4 LSI和VLSI封装中的软误 974
差问题 974
参考资料 975
16.1.1 半导体器件产品的失效规律 977
第16章 硅器件可靠性 977
16.1 概述 977
16.1.2 怎样提高硅器件的可靠性 980
16.2 加速应力试验 982
16.2.1 加速试验的目的和意义 982
16.2.2 加速试验的基本原理 982
16.2.3 加速试验的实施方法 985
16.2.4 同加速试验有关的若干技术问题 996
16.3 失效分析 999
16.3.1 概述 999
16.3.2 失效分析技术 999
16.3.3 失效模式和失效机理 1008
16.4 可靠筛选和考核 1019
16.4.1 筛选的目的和意义 1019
16.4.2 筛选条件的选择 1019
16.4.3 常用筛选项目或手段简介 1020
16.4.4 按质量或可靠性等级确定的筛选程序 1024
16.4.6 可靠性考核 1029
16.4.5 PDA控制和验收 1029
16.4.7 若干可靠性考核试验实例 1033
16.5 硅器件的辐照效应及其 1046
加固 1046
16.5.1 辐射环境 1046
16.5.2 辐照效应及其损伤机理 1046
16.5.3 硅器件的核加固技术 1049
16.5.4 硅器件的电磁脉冲效应及其加固 1065
参考资料 1067
第17章 清洗 1069
17.1 概述 1069
17.2 硅片表面洁净度 1069
17.2.1 硅片表面状态分类 1069
17.2.2 污染质的来源 1070
17.2.3 污染质的分类 1072
17.2.4 硅片表面洁净度 1073
17.3.1 清洗的热力学过程 1074
17.3.2 化学清洗的一般步骤 1074
17.3 清洗的基本原理 1074
17.3.3 硅片清洗剂 1075
17.3.4 其它硅片清洗工艺 1082
17.3.5 硅片的干燥 1083
17.3.6 碱金属离子沾污的预防和清除 1083
17.4 清洗用纯水、试剂、气体 1084
和环境简介 1084
17.4.1 纯水 1084
17.4.2 化学试剂的级别 1085
17.5.1 常用硅片清洗腐蚀液 1086
17.4.3 气体 1087
17.4.4 环境 1087
17.5 硅片清洗 1088
17.5.2 典型清洗方法 1089
17.5.3 清洗效果的检测 1092
17.6 器具和物料的清洗 1093
17.7 化学清洗中的安全操作 1096
17.7.1 关于化学药品的危险性 1096
17.7.2 安全操作 1097
简介 1102
17.8.1 常用器具 1102
17.8 化学清洗常用器具和设备 1102
17.8.2 常用设备 1103
参考资料 1107
第18章 掩模版制造 1108
18.1 掩模原版制造 1109
18.1.1 刻图照相法 1109
18.1.2 计算机辅助制版 1113
18.1.3 光学图形发生器制版 1124
18.2.1 精缩机 1129
18.2 主掩模制造 1129
18.2.2 精缩工艺 1131
18.2.3 分步重复的掩模套合误差分析 1137
18.2.4 电子束制版 1138
18.3 工作掩模制造 1145
18.3.1 复印设备及原理 1145
18.3.2 复印工艺 1146
18.3.3 复印保真度 1148
18.4.1 几种底版材料的性能比较 1150
18.4 底版材料 1150
18.4.2 匀胶铬版 1151
18.4.3 氧化铁版 1157
18.5 掩模质量控制 1162
18.5.1 质量控制标准 1162
18.5.2 质量检验方法 1163
第19章 计算机辅助设计（CAD） 1168
19.1 CAD概述 1168
19.2 计算机辅助逻辑设计 1169
19.2.1 逻辑设计阶段的CAD基本内容 1170
19.2.2 逻辑综合 1171
19.2.3 逻辑模拟 1174
19.3 电路分析 1181
19.3.1 电路方程的建立 1181
19.3.2 线性代数方程的求解 1190
19.3.3 非线性电路的直流分析 1201
19.3.4 动态电路的瞬态分析 1209
19.4 计算机辅助器件分析 1222
19.4.1 器件分析简介 1222
19.4.2 器件分析程序的数值求解及物理模型 1223
19.4.3 器件分析程序的用户输入语句 1229
19.5 计算机辅助工艺模拟 1236
19.5.1 计算机辅助工艺模拟的意义和内容 1236
19.5.2 工艺模型模拟程序的语言文本 1237
19.5.3 工艺的物理模型 1245
19.6 计算机辅助自动测试及 1253
分析 1253
19.6.1 意义 1253
19.6.2 自动测试原理 1253
19.6.3 测试软件 1258
19.7 展望 1264
19.7.1 大网络模拟技术 1265
19.7.2 版图自动设计技术 1266
19.7.3 自动版图分析和校验系统 1267
19.7.4 器件和工艺的精确模拟 1267
19.7.7 CAD数据库和CAD系统 1268
参考资料 1268
19.7.6 优化技术 1268
19.7.5 可测试性设计 1268
第20章 硅器件工艺展望及新工艺 1271
简介 1271
20.1 硅工艺发展概述 1271
20.1.1 工艺发展与器件发展的 1271
关系 1271
20.1.2 双极及MOS工艺水平 1273
20.1.3 工艺发展的总趋势 1274
20.2.1 硅圆片大直径化 1275
20.2 硅工艺发展现状及预测 1275
20.2.2 材料低缺陷化 1278
20.2.3 横向微细加工技术 1279
20.2.4 纵向微细加工及工艺低 1285
温化 1285
20.2.5 工艺控制精密化 1290
20.3 新工艺技术选介 1294
20.3.1 半导体工艺中的激光加工技术 1294
20.3.2 吸除技术 1306
20.3.3 绝缘衬底上硅单晶化（SOI）技术 1311
参考资料 1317