第一章 高性能、高集成度集成电 1
路的发展动向 1
1.1 前言 1
1.2 MOS IC 3
目录 7
主要英文缩写词 7
1.3 双极型IC 11
1.4 其它型式IC和新型IC 12
1.5 将来的方向 13
参考文献 14
第二章 高密度双极LSI的外延 16
生长工艺 16
2.1 序论 16
2.2 外延生长工艺的原料和设备等问题 17
2.3 外延层的评价法 18
2.4 外延层的厚度和电阻率的控 24
制及其均匀性 24
2.5 自掺杂 32
2.6 图形的塌边和错位 39
2.7 外延层中的晶体缺陷 41
参考文献 44
2.8 结束语 44
第三章 离子注入技术 48
3.1 前言 48
3.2 低密度离子注入 49
3.3 高密度离子注入 64
3.4 在LSI上的应用 78
3.5 结束语 82
参考文献 84
第四章 高精度扩散技术 88
4.1 前言 88
4.2 扩散技术的现状 89
4.3 扩散的基础 95
4.4 扩散的异常性 99
4.5 工艺模拟 115
4.6 结束语 116
参考文献 117
第五章 微细元件的栅氧化膜 120
5.1 微细化引起的变化 120
5.2 微细化带来的问题 121
5.3 Si-SiO2界面存在的问题 165
5.4 多晶硅上氧化膜的性质 174
5.5 SiO2和Si-SiO2界面特性的最新评价方法 179
参考文献 182
5.6 结束语 182
第六章 硅上的金属薄膜 188
6.1 前言 188
6.2 问题的提出和研究方法 188
6.3 硅表面的金属吸附层结构 191
6.4 单晶硅表面上的金属薄膜 193
6.5 结束语 206
参考文献 206
第七章 半导体表面的稳定化 209
7.1 序言 209
7.2 等离子体氮化膜钝化 211
7.3 表面净化 216
7.4 高压氧化法 220
7.5 结束语 225
参考文献 225
第八章 用带电粒子束进行测试的 226
工艺技术 226
8.1 用带电粒子进行测试的方法 226
8.2 离子微分析的原理 227
8.3 设备和测量 234
8.4 应用 242
参考文献 250
8.5 结束语 250
第九章 工艺诱生缺陷 253
9.1 前言 253
9.2 工艺诱生缺陷的种类 253
9.3 热应力位错 255
9.4 氧化和热处理引起的堆垛层错 260
9.5 缺陷对器件特性的影响 268
9.6 吸除工艺 270
9.7 结束语 272
参考文献 272
10.2 工艺设计 276
10.1 前言 276
第十章 工艺最佳化 276
10.3 工艺改进 285
10.4 结束语 286
参考文献 286
《特约稿件》薄膜外延生长 287
1．前言 287
3．核生长和逐层生长的基本特征 291
2．超高真空电子显微镜“现场”观察法 296
4．逐层生长的几个问题 299
5．有关核生长的几个问题 308
参考文献 325