目录 1
译者的话 1
序言（摘译） 1
第一章 绪论 1
第二章 硅材料的限度 9
§1 电阻率 10
§2 迁移率 22
§3 寿命 33
第三章 击穿现象 46
§4 雪崩击穿 47
§5 突变结 49
§6 线性缓变结 50
§7 结的边缘造型技术 52
§8 基极开路的晶体管的击穿 67
§9 结的制造 70
§10 结的钝化技术 74
§11 结的隔离方法 76
第四章 结栅场效应晶体管 79
§12 基本的器件物理 80
§13 设计考虑 95
§14 器件结构及其制造 97
第五章 MOS栅场效应晶体管 103
§15 基本的器件物理 104
§16 设计考虑 113
§17 器件结构及其制造 117
第六章 场控二极管 122
§18 基本的器件物理 123
§19 设计考虑 133
§20 器件结构及其制造 135
第七章 功率集成电路 142
§21 功率达林顿晶体管 142
§22 集成双极晶体管 146
§23 集成场效应晶体管 150
§24 热力学考虑 156
第八章 最新发展 159
§25 MOS栅晶闸管 159
§26 双极结型场效应晶体管 161
参考文献 163