目录 1
电离辐射环境中709集成运算放大器的特性分析与模拟试验 1
709放大器特性衰降的精确预测和质量保证 5
集成运算放大器的IEMP效应研究 10
运算放大器中子衰降的人工分析技术 19
108型运算放大器的总剂量辐射加固的研究 28
108A运算放大器的辐射总剂量均匀性研究 36
在加固系统中应用的运算放大器 44
集成电压调整器的辐射效应及其加固分析 57
一种简单有效的加固功率放大开关模式方式 65
中国电子学会可靠性与质量管理学会可靠性抗核辐射专业学组成立 72
一种流行的加固SG1524脉宽调制器 73
D/A转换器辐射损伤的计算机辅助分析 79
CMOS/SOS铝栅D/A转换器及其诊断晶体管的辐射效应 88
A/D转换器（AD571）电离辐射效应的SEM分析 94
抗辐射CMOS8位A/D转换器 101
DC/DC转换器失效模式的测量和预测技术 109
两种辐射加固的模拟转换开关 114
核辐射灵敏开关电路 120
抗辐射功率电路 124
用于线性电路的辐射加固CMOS器件 127
适度中子环境下双极晶体管和集成电路的辐射加固保证指南 132
钝化材料的核辐射效应引起的器件性能退化 141
电离辐射对扩散电阻的影响 148
光屏蔽对光电流补偿集成电路的影响 157
氯化氢吸除、掺铬和注铝对加固二氧化硅的影响 162
瞬态辐射加固结隔离集成电路的筛选方法 168
瞬态辐射加固结隔离工艺 175
LSI/VLSI制备工艺的辐射加固特性 178
一种用于LSI的介质隔离辐射加固工艺 182
一种同时生产辐射加固互补线性双极和线性CMOS金属栅器件的工艺 187
抗辐射电路的耐熔栅工艺 194
用于辐射加固的氢退火氮化物／氧化物介质结构 198
氮化硅钝化对高精度运算放大器抗总剂量辐射性能的影响 204
一种抗辐射的线性宏单元阵列 208
微电路内部元件的易损性分析 213
109～1012拉德（硅）／秒下MSI的测试 219
用于计算机辅助系统分析的复杂线性微电路简化端点模型 223
线性集成电路电离辐射效应的扫描电镜分析 230
用于加固的可靠性筛选和工艺设计的SEM辐射 240
测试条件对MOS辐射加固结果的影响 244
HS-3516RH型高转换率宽带抗辐射运算放大器 253
HS-3530RH低功耗抗辐射程控运算放大器 258
HS-3546RH型抗辐射高性能运算放大器 264
HS-4602RH型抗辐射高性能四运算放大器 272
HS-508ARH型过压保护抗辐射8通道CMOS模拟多路开关 281
HS-1840RH抗辐射高阻输入保护16通道CMOS模拟多路开关 288
HS-15530RH型抗辐射CMOS Manchester编／译码器 295