第一章 功率MOSFET简介 1
1.1 符号、术语及其定义 1
1.2 TMOS的基本结构、工作机理与物理过程 6
1.3 功率MOSFET的特殊优点 10
第二章 功率MOSFET的基本特性 13
2.1 输出特性 13
2.2 MOSFET基本参数 14
2.3 温变特性 15
2.4 漏-源二极管 16
第三章 使用TMOS功率MOSFET设计者（Designer s）数据表 19
3.1 概述 19
3.2 设计者数据表 19
3.3 安全工作区 26
第四章 使用大功率MOSFET时的设计依据——大功率MOSFET的保护 28
4.1 安全工作区 28
4.2 漏-源过压保护 31
4.3 封装和引线电感的考虑 33
4.4 功率MOSFET的雪崩和dv/dt限制 34
4.5 栅极保护 34
第五章 功率MOSFET的雪崩和dv/dt限制 35
5.1 漏-源雪崩状态下的功率MOSFET 35
5.2 漏-源dv/dt额定值 38
5.3 推荐的换向安全工作区（CSOA）说明格式 41
5.4 高压高速CSOA测试装置 43
5.5 使用CSOA说明 44
5.6 CSOA与UIS的关系 45
第六章 栅极驱动要求 47
6.1 功率MOSFET栅极驱动要求 47
6.2 输入电容 47
6.3 栅极充电说明 50
6.4 栅极充电参数的利用 52
6.5 开关时间的计算 55
6.6 共源极开关 58
第七章 功率MOSFET的并联 81
7.1 在开关应用中功率MOSFET的并联使用 81
7.2 线性应用的并联功率MOSFET 96
7.3 并联MOSFET的应用 101
第八章 大功率开关电源 108
8.1 100kHz开关型功率电源 108
8.2 20kHz开关 113
8.3 高压回扫换流器 114
8.4 双晶体管电流型正向变流器 116
8.5 功率因数修正 128
8.6 半导体器件的初选 130
第九章 电机控制 132
9.1 在步进电机控制中使用功率MOSFET 132
9.2 H桥性能比较 138
9.3 小功率电机双向控制 140
9.4 电机脉宽调速 142
9.5 无刷电机控制器的三器件方案 142
9.6 一马力脱线无刷永磁体电机驱动 153
9.7 小功率电机与微处理器接口 164
9.8 模拟输入与小功率电机之间的接口 173
第十章 水平扫描电路 183
10.1 设计例子 183
10.2 电路描述 185
10.3 快速强电流MOSFET驱动器 186
第十一章 电流敏感的功率MOSFET 189
11.1 敏感器件（SENSEFET）产品 189
11.2 非正常条件下的感测电压 195
11.3 SENSEFET兼容集成电路 197
11.4 用于高频的SENSEFET产品 199
11.5 结论 200
第十二章 功率MOSFET和其它半导体功率开关的相对效率 201
第十三章 特性与测量 209
13.1 功率MOSFET的正偏安全工作区（FBSOA）测试 209
13.2 开关安全工作区（SSOA） 215
13.3 作为开关使用的功率MOSFET的漏-源二极管的特性 221
13.4 热测量 227
13.5 热测试装置 230
13.6 测量功率MOSFET的电容 233
13.7 功率MOSFET的其它特性的测量 234
13.8 波形记录仪对功率MOSFET的测量技术 238
第十四章 可靠性与质量 244
14.1 引言 244
14.2 可靠性测试 244
14.3 可靠性检验程序 250
14.4 可靠性的实质 252
第十五章 功率半导体器件的安装 254
15.1 引言 254
15.2 装配表面的准备 255
15.3 界面处理 256
15.4 绝缘问题 258
15.5 紧固件和附件特性 261
15.6 紧固方法 263
15.7 插座安装 270
15.8 接线端子的连接 271
15.9 电路板的清洗 273
15.10 热系统评价 273
15.11 附录A 热阻概念 274
15.12 附录B 界面热阻测量 275
15.13 附录C 附件来源 277
15.14 封装标志 277
第十六章 静电放电和功率MOSFET 279
16.1 静电放电的产生 279
16.2 静电放电和功率MOSFET 280
16.3 器件敏感性的测量 282