目录 1
前言 1
第一章 有机半导体电输运的一些基本概念 1
§1.1 π电子，σ电子，定域与非定域轨道及状态的基本概念 1
§1.2 能带模型 7
1.2.1 载流子漂移迁移率 12
主要符号表 13
1.2.2 霍耳效应 18
§1.3 隧道模型 22
§1.4 跳跃模型 23
§1.5 分子晶体中的极化子 31
§1.6 暗电导 37
1.6.1 激活能 38
1.6.2 补偿效应 40
1.6.3 构象子 42
1.6.4 各向异性 44
1.6.5 频率关系 44
§1.7 温差电效应 48
1.8.1 载流子从电极注入 57
1.8.2 本征激发 57
§1.8 载流子产生 57
1.8.3 非本征激发 59
1.8.4 场助产生 59
§1.9 陷阱的形成 60
1.9.1 不包括杂质时的结构缺陷 60
1.9.2 化学杂质产生的缺陷 67
1.10.1 寿命状态的概念 68
§1.10 寿命和弛豫电导 68
1.10.2 弛豫状态的概念 70
第二章 载流子的接触注入 74
§2.1 电接触，势垒和电导的一些基本概念 74
2.1.1 电接触，功函数和接触电势 75
2.1.2 电接触类型 84
2.1.3 表面态 99
§2.2 载流子从接触处穿过势垒的注入 104
2.2.1 势垒降低和肖脱基效应 105
2.2.2 电场增强热电子发射 109
2.2.3 场致发射 117
2.2.4 热电子场致发射 125
§2.3 穿过薄绝缘膜的隧道效应 127
2.3.1 一般化势垒 128
2.3.2 矩形势垒 133
2.3.3 弹性与非弹性隧穿 144
2.3.4 金属-绝缘膜-半导体（MIS）体系 150
2.3.5 空间电荷和陷阱以及杂质电导的影响 159
第三章 空间电荷电导——一种载流子注入 169
§3.1 关于空间电荷电导的一些基本概念 169
§3.2 固体中一种载流子的（单）平面注入 175
3.2.1 理论 175
3.2.2 标度规则 195
3.2.3 理论与实验的一些对比 197
§3.3 从非平面接触电极产生的一种载流子（单）注入 222
3.3.1 在不考虑热生成自由载流子时的球形注入接触 222
3.3.2 在不考虑热生成自由载流子时的圆柱注入接触 226
3.3.3 有热生成自由载流子时的球形注入接触 228
§3.4 电解质-绝缘体系统 234
3.4.1 交换电流 236
3.4.2 电解质-绝缘体界面间的平衡性质 238
3.4.3 在绝缘体内部存在着在能量上和空间上不同分布的陷阱时，电解质-绝缘体系统的电流-电压特性 250
第四章 空间电荷电导——两种载流子注入 262
§4.1 有关俘获和复合过程的术语的定义和物理概念 262
4.1.1 俘获速率和俘获截面 264
4.1.2 复合速率和复合截面 265
4.1.3 划分能级 267
4.1.4 库仑陷阱 271
4.1.5 自由电子-自由空穴的复合 275
4.1.6 特征时间 277
§4.2 复合过程动力学 280
4.2.1 没有复合中心和没有陷阱的情况（带-带复合） 281
4.2.2 有单组复合中心，但没有陷阱的情况 284
4.2.3 有单组复合中心和有陷阱的情况 288
4.2.4 具有双能级的复合中心、但没有陷阱的情况 289
4.2.5 具有多能级的复合中心、但没有陷阱的情况 291
4.2.6 俄歇效应 293
§4.3 固体中两种载流子（双）平面注入 297
4.3.1 没有复合中心和没有陷阱的情况 299
4.3.2 没有复合中心、但有陷阱的情况 306
4.3.3 有复合中心、但没有陷阱的情况 313
4.3.4 有复合中心和有陷阱的情况 330
4.3.5 标度规则 332
5.1.1 丝状一种载流子（单）注入 333
第五章 特殊条件下的电输运 333
§5.1 固体中丝状载流子注入 333
5.1.2 丝状两种载流子（双）注入 339
§5.2 载流子扩散的影响 346
5.2.1 一种载流子（单）注入 346
5.2.2 两种载流子（双）注入 349
§5.3 高电场效应，普尔-夫伦克耳以及翁萨格模型 350
5.3.1 从体限制至电极限制电导过程的过渡 351
5.3.2 从电极限制至体限制电导过程的过渡 357
5.3.3 从单注入至双注入过程的过渡 358
5.3.4 载流子迁移率的场强关系 360
5.3.5 普尔-夫伦克耳去俘获模型 363
5.3.6 翁萨格模型 374
§5.4 热激去俘获和非外赋电导 379
5.4.1 热激电流 380
5.4.2 热激去极化电流 387
5.4.3 等温衰减电流 390
5.4.4 非外赋电导 391
§5.5 电流瞬变现象 395
5.5.1 一种载流子（单）平面注入瞬变电流 395
5.5.2 两种载流子（双）平面注入瞬变电流 421
§5.6 时变场下的空间电荷电导 429
5.6.1 一种载流子（单）平面注入 429
5.6.2 两种载流子（双）平面注入 433
§5.7 弛豫半导体内的载流子输运 439
5.7.1 弛豫半导体内的少子注入 439
5.7.2 理论与实验的一些对比 449
第六章 光电子过程 453
§6.1 基本概念 453
6.1.1 分子的电子状态 453
6.1.2 激子离解 459
6.1.3 光电导的量子产额和量子效率 466
6.1.4 非平衡稳态统计学 469
§6.2 光电导 475
6.2.1 非本征光电导 478
6.2.2 本征光电导 500
§6.3 光电发射 512
6.3.1 电接触的光电注入 512
6.3.2 结晶固体的光电发射 521
§6.4 光生伏打效应 532
6.4.1 体光生伏打效应 533
6.4.2 表面光生伏打效应 535
6.4.3 p-n结的光生伏打性质 543
6.4.4 反常光生伏打效应 544
§7.1 绪言 547
第七章 发光 547
7.1.1 夫兰克-康登原理 550
7.1.2 辐射和非辐射的跃迁过程 551
§7.2 激子的形成与特性 555
7.2.1 激子的动力学性质 560
7.2.2 激子输运过程 572
7.2.3 激子扩散 577
§7.3 光致发光 588
7.3.1 荧光 588
7.3.2 磷光 621
§7.4 电致发光 627
7.4.1 在不随时间变化电场作用下的电致发光 627
7.4.2 在时变场中的电致发光 644
7.4.3 在磁场作用下的电致发光 656
文献目录 662
参考书 662
论文 664