目录 1
第一章 引论 1
1．提纲 1
2．半导体器件的分类 2
3．特殊说明 4
第二章 半导体物理及其性质——提要 4
物理常数表 8
1．引言 9
第一部分 半导体物理 9
2．晶体结构 9
3．能带 13
4．热平衡条件下载流子密度 17
5．载流子的迁移现象 25
6．声子谱及半导体的光学、热学及大电场性质 33
7．半导体器件动作的基本方程 43
第二部分 p-n结器件 53
第三章 p-n结二极管 53
1．引言 53
2．基本器件工艺 53
3．耗尽区及耗尽区电容 58
4．电流——电压特性 64
5．结的击穿 73
6．瞬变性能及噪音 82
7．端子机能 85
8．异质结 90
第四章 隧道二极管及反向二极管 98
1．引言 98
2．重掺杂效应 98
3．隧道过程 101
4．过量电流 108
5．掺杂、温度、电子聂击及压力所引起的电流电压关系 110
6．等效电路 118
第五章 碰撞雪崩渡越时间二极管（IMPATT二极管） 120
7．反向二极管 120
1．引言 126
2．静态特性 127
3．基本动态特性 135
4．普适的小信号分析 139
5．大信号分析 146
6．噪音 150
7．实验 152
1．引言 163
2．静态特性 163
第六章 结型晶体管 163
3．微波晶体管 173
4．功率晶体管 181
5．开关晶体管 185
6．单结晶体管 189
第七章 p-n-p-n及结型场效应器件 189
1．引言 198
2．p-n-p-n二极管及半导体可控整流器 199
3．结型场效应晶体管及限流器 209
2．萧脱基效应 223
第三部分 界面及薄膜器件 223
1．引言 223
第八章 金属—半导体器件 223
3．金属——半导体接触处的能带关系 225
4．萧脱基势垒中的电流输运理论 231
5．萧脱基势垒高度测量 240
6．箝位晶体管，萧脱基栅场效应晶体管及金属半导体雪崩（IMPATT）二极管 250
7．莫特势垒，点接触整流器及欧姆接触 252
8．空间电荷限制二极管 255
第九章 金属——绝缘体——半导体二极管 255
1．引言 260
2．理想的金属—绝缘体—半导体（MIS）二极管 260
3．表面态，表面电荷及空间电荷 270
4．金属功函数，晶体取向，温度，光照及辐射对MIS特性的影响 282
5．表面变抗，雪崩，隧道及电致发光MIS二极管 288
6．绝缘膜中的载流子输运 296
第十章 绝缘栅场效应晶体管及有关的表面效应 296
1．引言 306
2．在非平衡条件下的表面空间电荷区 307
3．沟道电导 310
4．基本器件特性 311
5．一般特性 316
6．用萧脱势垒接触作源极及漏极的绝缘栅场效应晶体管 326
7．有漂置栅的绝缘栅场效应晶体管——一种储存器件 328
8．表面电场对p-n结及金属—半导体器件的影响 331
2．绝缘栅薄膜晶体管（TFT） 338
第十一章 薄膜器件 338
1．引言 338
3．热电子晶体管 349
4．金属—绝缘体—金属结构 361
第十二章 光电子器件 369
1．引言 369
2．电致发光器件 369
3．太阳电池 377
4．光电探测器 383
1．引言 403
第十三章 半导体激光器 403
2．半导体激光器物理 404
3．结型激光器 410
4．其它泵源及激光器材料 423
第五部分 体效应器件 430
第十四章 体效应器件 430
1．引言 430
2．微分体内负阻 430
3．RWH机构 435
4．根氏振荡器及各种工作模式 439
5．有关的体效应器件 454