目录 1
第一章 晶体定向的意义 1
一、对单晶制造方面的影响 1
二、对外延生长方面的影响 1
三、对器件制造方面的影响 2
四、对管芯划片方面的影响 2
第二章 晶体取向的表示方法 4
第一节 晶面和晶面指数 4
一、球面投影和极射赤面投影 8
第二节 晶面的投影表示 8
二、乌尔夫网和晶面间的角度测量 10
第三章 解理法定向 15
第一节 定向原理 15
第二节 解理插针法定向 18
第三节 解理测角法定向 20
一、定向测角仪 20
二、测角方法 20
三、三维转动台 21
四、定向操作步骤 22
第五节 〈112〉取向籽晶的解理法定向 25
一、砷化镓单晶的生长特性 25
第四节 ｛110｝晶面的解理法定向 25
二、水平区熔砷化镓单晶采用［112］方向生长的原因 27
三、〈112〉取向籽晶在石英舟中的正确放置方位 28
四、〈112〉取向籽晶定向 30
第四章 光图象法定向 32
第一节 定向原理 32
第二节 晶体断面的处理 33
一、机械处理 33
二、化学处理 36
第三节 光图象定向仪 36
第四节 定向操作步骤 37
第五节 〈111〉长苞硅单晶籽晶的定向切割 39
第六节 半导体晶片的最佳划片方位 44
一、硅、砷化镓〈111〉，〈100〉取向晶片最佳划片方位的选择 44
二、基准平面在单晶柱面上的确定方法 46
三、在单晶柱面上研磨基准平面的具体操作步骤 52
第七节 从一个晶面到另一个任意晶面的定向切割 53
第八节 半导体硅片的标准化条件 56
一、硅片直径 56
二、硅片厚度 56
三、硅片基准面的选择 57
四、硅片取向和导电类型的宏观表示 57
六、硅片的平行度和弯曲度 58
五、硅片的晶体取向准确度 58
第五章 Z射线定向 60
第一节 基本原理 60
第二节 X射线照相法定向 63
一、劳厄衍射斑点 64
二、极射赤面投影点的指数化方法 70
三、调整晶体取向的方法 75
第三节 单色X射线衍射法定向 78
一、定向原理 78
三、X射线定向仪简介 79
二、一般定向程序 79
四、用X射线定向仪定向的应用举例 86
第六章 切割机概况 94
第一节 内圆切割机 94
一、内圆切割机的构造 94
二、内圆切割刀片的安装 97
三、内圆切割机操作要点 98
四、内圆切割机的优缺点 99
第二节 往复式切割机和导丝切割机 100
一、往复式切割机的构造 101
二、操作要点 101
第三节 外圆切割机 102
三、往复式切割机的优缺点 102
第四节 超声波加工机 103
第五节 微电子束切割机 104
第七章 极性的确定方法 105
第一节 用荧光X射线确定极性 105
第二节 用化学腐蚀法确定极性 106
第三节 用光图象确定极性 108
附录 109
一、立方晶体晶面间的夹角 109
立方晶体某些高指数晶面间的夹角 110
三、立方晶体和六方晶体的几个标准极射赤面投影图 111
二、六方晶体晶面间的夹角 111
四、关于区熔法生长砷化镓单晶的生长棱线 121
五、几种主要半导体材料的常用化学腐蚀剂 126
六、MOS晶体管及其固体电路在制造中基片取向的考虑 130
七、结构因数 131
八、用X射线衍射法测定砷化镓衬底上外延生长磷砷化镓层的组份 131
九、半导体晶体表面加工损伤层深度的测定 136
十、YX-1型X射线定向仪电气原理图 139
十一、YX-1型X射线定向仪记录放大器电气原理图 140
十三、元素周期表 142
十四、锗，硅和Ⅲ-V族化合物半导体材料主要物理性能表 143
参考文献 144