目录 1
第一章 半导体的电子结构和导电性 1
1·1周期性势场中的电子 1
1·1·1晶格和例易晶格 1
1·1·2能带理论 2
1·2半导体的电子和空穴 7
1·2·1导体、绝缘体、半导体 7
1·2·2杂质能级 8
1·2·3电子和空穴的运动方程 11
1·3半导体的导电性 14
1·3·1载流子浓度的温度特性 14
1·3·2载流子的迁移率 18
1·3·3电子（空穴）的散射 21
1·3·4磁场效应 23
1·3·5实验分析、模型修正及其他问题 27
2·1霍耳效应及电阻率 32
第二章 半导体的电磁效应 32
2·2磁阻效应 36
2·3苏耳效应及其他 39
第三章 半导体中的载流子扩散、复合及俘获 41
3·1非平衡载流子的行为 41
3·2复合机构 42
3·2·1直接复合 43
3·2·2涌过复合中心的复合 43
3·2·3表面复合 46
3·3寿命测定法 47
3·4实验结果 47
3·5俘获现象 49
第四章 不均匀半导体和载流子注入及空间电荷 51
4·1扩散电位 51
4·2pn结和空间电荷 54
4·3载流子注入及空间电荷 59
5·2电子温度和迁移率 70
5·1欧姆定律和电场强度 70
第五章 强电场下的现象 70
5·3电场引起的电子浓度的变化 72
5·4隧道电流 74
第六章 压电电阻效应 76
6·1压电电阻系数 76
6·2压电电阻产生的原因、应力引起的能带结构的变化 78
第七章 半导体中的电流、电压放大现象 81
7·1pn钩结构 81
7·2陷阱的电流放大 84
7·3负电阻 85
7·3·1隧道二极管 85
7·3·2负质量放大器 86
第八章 光电效应 88
8·1光引起的载流子浓度变化和电子发射 88
8·1·1固体的光吸收和光电导 88
8·1·2光电导 93
8·1·3光电子发射 96
8·2光致电压的产生 97
8·2·1内部吸收光的情形 98
8·2·2pn结光生伏特 98
8·2·3光电磁效应 99
8·3半导体的发光 99
8·3·1发光机构 99
8·3·2场致发光 101
8·4增补（跃迁几率） 101
8·4·2跃迁定律 102
8·4·1跃迁几率的形式 102
第九章 温差电效应 104
9·1塞贝克效应、珀耳帖效应、汤姆孙效应 104
9·2绝对温差电动势（绝对塞贝克效应） 107
9·3半导体的温差电动势 108
9·4电阻率的温度系数 110
9·5热离子放射 111
参考资料 112