第1章 半导体物理基础 1
1.1 硅的结构和特性 1
1.2 电荷迁移 11
1.3 载流子注入 17
1.4 电荷载流子的激发和复合 17
1.5 连续性方程 24
1.6 泊松方程 25
1.7 强场效应 26
第2章 pn结 29
2.1 pn结的内建电压 29
2.2 耗尽层（空间电荷区） 32
2.3 pn结的伏安特性 34
2.4 射极效率 40
2.5 实际的pn结 42
第3章 pin二极管 50
3.1 高压二极管的基本结构 50
3.2 pin二极管的导通状态 51
3.3 pin二极管的动态工况 59
3.4 二极管反向恢复的瞬变过程 66
3.5 二极管工作条件的限制 70
3.6 现代pin二极管的设计 72
第4章 双极型晶体管 77
4.1 双极型晶体管的结构 77
4.2 双极型晶体管的电流增益 78
4.3 双极型晶体管的电流击穿 83
4.4 正向导通压降 85
4.5 基极推出（“柯克”效应） 85
4.6 二次击穿 87
第5章 晶闸管 89
5.1 晶闸管的结构和工作原理 89
5.2 触发条件 91
5.3 静态伏安特性 91
5.4 正向阻断模式和亚稳态区域 92
5.5 晶闸管擎住状态 95
5.6 反向阻断状态下的晶闸管 98
5.7 开通特性 100
5.8 关断特性 106
第6章 门极关断（GTO）晶闸管与门极换流晶闸管（GCT）／集成门极换流晶闸管（IGCT） 110
6.1 GTO晶闸管 110
6.2 GCT 125
第7章 功率MOSFET 130
7.1 场效应晶体管基本理论 130
7.2 场效应晶体管的I（V）特性 136
7.3 功率场效应晶体管的结构 139
7.4 功率场效应晶体管的开关特性 148
7.5 雪崩效应 153
7.6 源极-漏极二极管（体二极管） 155
第8章 IGBT 156
8.1 IGBT的结构和工作原理 156
8.2 IGBT的I（V）特性 158
8.3 IGBT的开关特性 162
8.4 短路特性 168
8.5 IGBT的强度 168
8.6 IGBT损耗的折衷方案 171
附录 176
附录A 符号表 176
附录B 常数 178
附录C 单位 179
附录D 单位词头（十进倍数和分数单位词头） 180
附录E 书写约定 181
附录F 电气工程中的电路图形符号 182
附录G 300K时的物质特性 183
附录H 缩略语 184
参考文献 186