第一章 半导体表面物理基础 1
1.1 表面空间电荷层及其电场、电荷密度和电容 1
1.2 表面空间电荷层的六种基本状态 9
1.3 表面过剩载流子浓度、表面电导、沟道电导 20
1.4 表面散射和表面迁移率 25
1.5 表面量子化效应和反型层厚度 30
参考资料 36
第二章 MOS结构的C－V（电容－电压）特性 37
2.1 用近似方法分析理想MOS结构的C－V特性 37
2.2 实际MOS结构的C－V特性 45
2.3 不均匀掺杂树底MOS结构的C－V特性 57
2.4 禁带中深能级对MOS结构C－V特性的影响 65
参考资料 70
第三章 硅-二氧化硅系统的电荷和陷阱 71
3.1 二氧化硅层中的可动离子电荷 71
3.2 二氧化硅层中的固定氧化物电荷 78
3.3 硅-二氧化硅界面的界面陷阱电荷 82
3.4 氧化物陷阱电荷 92
3.5 由杂质引起的界面陷阱和界面附加电荷 99
参考资料 107
第四章 热载流子向二氧化硅中的注入和电离辐射效应 109
4.1 热载流子向二氧化硅中的注入和注入方法 109
4.2 MOS电容器的雪崩注入 113
4.3 热载流子注入的物理模型 117
4.4 电离辐射在二氧化硅中感生的正电荷 122
4.5 电离辐射感生氧化物正电荷物理模型 126
4.6 电离辐射感生的界面陷阱 128
4.7 硬化技术 130
参考资料 132
第五章 硅-二氧化硅界面性质的电学测量 133
5.1 用MOS结构高频C－V特性测量界面电荷 133
5.2 用MOS结构C－V特性确走导电类型、测量硅衬底杂质浓度与杂质浓度分布 144
5.3 用MOS结构的脉冲C－t特性测量硅中少子寿命 150
5.4 用离子电流法测量二氧化硅层中的可动离子密度 156
5.5 用准静态C－V特性测量界面陷阱密度 159
5.6 用交流电导法测量界面陷阱密度 166
5.7 用光电流－电压法测量二氧化硅中的电荷分布 174
5.8 用电荷－电容法测量界面的多种基本参数 181
参考资料 190
附录 192
附录一 式（5－90）的推导 192
附录二 符号表 193
附录三 物理常数表 199
附录四 硅、二氧化硅的重要性质（27℃） 199
附录五 习题 200