第一篇 微电子器件 3
第1章 硅数字集成电路 3
1.1概述 3
1.1.1定义与分类 3
1.1.2发展过程 3
1.1.3特点和需求 4
1.2微处理器 4
1.2.1概述 4
1.2.2主要技术性能 7
1.2.3应用范围 7
1.2.4技术发展趋势 7
1.3数字信号处理器 8
1.3.1概述 8
1.3.2主要技术性能 8
1.3.3应用范围 10
1.3.4技术发展趋势 10
1.4微控制器 10
1.4.t概述 10
1.4.2主要技术性能 11
1.4.3应用范围 12
1.4.4技术发展趋势 12
1.5存储器 13
1.5.1概述 13
1.5.2主要技术性能 13
1.5.3应用范围 14
1.5.4技术发展趋势 14
1.6总线接口 15
1.6.1概述 15
1.6.2技术发展趋势 16
1.7专用集成电路 17
1.7.1概述 17
1.7.2主要技术性能 17
1.7.3应用范围 18
1.7.4技术发展趋势 18
1.8可编程逻辑器件 19
1.8.1概述 19
1.8.2主要技术性能 21
1.8.3应用范围 22
1.8.4技术发展趋势 22
参考文献 23
第2章 硅模拟／混合信号集成电路 24
2.1概述 24
2.1.1定义和分类 24
2.1.2技术发展趋势 25
2.1.3应用范围 25
2.2放大器 27
2.2.1概述 27
2.2.2集成运算放大器 28
2.2.3功率放大器 29
2.2.4 RF放大器与低噪声放大器 29
2.3 A／D转换器 30
2.3.1概述 30
2.3.2主要技术性能 32
2.3.3应用范围 33
2.3.4技术发展趋势 33
2.4 D／A转换器 34
2.4.1概述 34
2.4.2主要技术性能 35
2.4.3应用范围 36
2.4.4技术发展趋势 36
2.5射频集成电路 36
2.5.1概述 36
2.5.2主要技术性能 37
2.5.3应用范围 38
2.5.4技术发展趋势 39
2.6电源及电源管理电路 39
2.6.1概述 39
2.6.2主要技术性能 40
2.6.3应用范围 40
2.6.4技术发展趋势 41
2.7其他类型的模拟／混合信号集成电路 41
2.7.1模拟专用集成电路 41
2.7.2其他类型的数据转换器 41
2.7.3接口集成电路 42
2.7.4模拟开关和多路选择器 42
参考文献 43
第3章 微波毫米波器件与电路 44
3.1概述 44
3.1.1基本分类 44
3.1.2发展概况 45
3.1.3应用范围 46
3.2硅微波功率器件 46
3.2.1概述 46
3.2.2主要技术性能 47
3.2.3应用范围 47
3.2.4技术发展趋势 48
3.3砷化镓微波功率器件 48
3.3.1概述 48
3.3.2主要技术性能 49
3.3.3应用范围 49
3.3.4技术发展趋势 50
3.4砷化镓低噪声场效应晶体管 50
3.4.1概述 50
3.4.2主要技术性能 50
3.4.3应用范围 50
3.4.4技术发展趋势 51
3.5磷化铟毫米波器件 51
3.5.1概述 51
3.5.2主要技术性能 51
3.5.3应用范围 51
3.5.4技术发展趋势 52
3.6微波毫米波二极管 52
3.6.1概述 52
3.6.2主要技术性能 52
3.6.3应用范围 53
3.6.4技术发展趋势 53
3.7单片功率放大器 53
3.7.1概述 53
3.7.2主要技术性能 54
3.7.3应用范围 54
3.7.4技术发展趋势 55
3.8单片低噪声放大器 55
3.8.1概述 55
3.8.2主要技术性能 55
3.8.3应用范围 56
3.8.4技术发展趋势 56
3.9单片振荡器和单片混频器 56
3.9.1概述 56
3.9.2主要技术性能 57
3.9.3应用范围 58
3.9.4技术发展趋势 58
3.10单片开关和单片衰减器 58
3.10.1概述 58
3.10.2主要技术性能 59
3.10.3应用范围 60
3.10.4技术发展趋势 60
3.11单片移相器 60
3.11.1概述 60
3.11.2主要技术性能 61
3.11.3应用范围 61
3.11.4技术发展趋势 61
3.12多功能单片微波集成电路 61
3.12.1概述 61
3.12.2主要技术性能 62
3.12.3应用范围 62
3.12.4技术发展趋势 62
参考文献 63
第4章 砷化镓超高速集成电路 64
4.1概述 64
4.1.1砷化镓超高速集成电路中的高速器件 65
4.1.2砷化镓超高速集成电路的单元逻辑电路结构 65
4.2砷化镓高速分频器 66
4.2.1概述 66
4.2.2主要技术性能 66
4.2.3产品应用范围 67
4.2.4技术发展趋势 67
4.3砷化镓模／数转换器与数／模转换器 67
4.3.1概述 67
4.3.2砷化镓模／数转换器和数／模转换器的主要技术性能 68
4.3.3应用范围 69
4.3.4技术发展趋势 69
4.4砷化镓多路选择器与多路分配器 69
4.4.1概述 69
4.4.2砷化镓多路选择器和多路分配器主要技术性能 71
4.4.3应用范围 71
4.4.4技术发展趋势 71
4.5砷化镓门阵列 72
4.5.1概述 72
4.5.2主要技术性能 72
4.5.3应用范围 73
4.5.4技术发展趋势 73
4.6直接数字频率合成器 73
4.6.1概述 73
4.6.2砷化镓直接数字频率合成器主要技术性能 73
4.6.3应用范围 74
4.6.4技术发展趋势 74
4.7数字射频存储器 74
4.7.1概述 74
4.7.2主要技术性能 75
4.7.3产品应用范围 76
4.7.4技术发展趋势 76
4.8新型超高速器件 76
参考文献 77
第5章 宽禁带半导体器件与电路 78
5.1概述 78
5.1.1宽禁带半导体的基本概念 78
5.1.2宽禁带半导体器件分类 79
5.1.3宽禁带半导体技术现状 79
5.1.4应用范围 82
5.2宽禁带半导体器件 82
5.2.1 GaN基HEMT微波器件 82
5.2.2其他GaN基电子器件 85
5.2.3碳化硅微波功率器件 86
5.2.4碳化硅功率器件 88
5.3宽禁带半导体光电器件 89
5.3.1 GaN基光电器件 89
5.3.2碳化硅探测器件 90
5.4其他宽禁带半导体器件 92
5.4.1氧化锌器件 92
5.4.2单光子器件 93
5.4.3宽禁带半导体纳米结构器件 93
5.4.4基于GaN的子带间跃迁光开关 93
5.4.5氮化物光催化剂 93
参考文献 94
第6章 功率半导体器件与功率集成电路 95
6.1概述 95
6.1.1功率半导体器件定义与分类 95
6.1.2功率半导体器件的发展 96
6.2功率二极管 96
6.2.1概述 96
6.2.2主要技术性能 97
6.2.3应用范围 97
6.2.4技术发展趋势 98
6.3功率双极型晶体管 98
6.3.1概述 98
6.3.2主要技术性能 99
6.3.3应用范围 99
6.3.4技术发展趋势 100
6.4晶闸管类器件 100
6.4.1概述 100
6.4.2主要技术性能 101
6.4.3应用范围 101
6.4.4技术发展趋势 101
6.5功率MOSFET 102
6.5.1概述 102
6.5.2主要技术性能 103
6.5.3应用范围 104
6.5.4技术发展趋势 104
6.6绝缘栅双极型晶体管 104
6.6.1概述 104
6.6.2主要技术性能 105
6.6.3应用范围 106
6.6.4技术发展趋势 106
6.7静电感应器件 107
6.7.1概述 107
6.7.2主要技术性能 107
6.7.3应用范围 108
6.7.4技术发展趋势 108
6.8智能功率集成电路 108
6.8.1概述 108
6.8.2主要技术性能 109
6.8.3应用范围 110
6.8.4技术发展趋势 110
6.9 SOI高压集成电路 111
6.9.1概述 111
6.9.2主要技术性能 111
6.9.3应用范围 112
6.9.4技术发展趋势 112
参考文献 112
第7章 混合集成电路与多芯片组件 113
7.1概述 113
7.1.1混合集成电路 113
7.1.2多芯片组件 114
7.2 DC／DC变换器和EMI电源滤波器 115
7.2.1概述 115
7.2.2主要技术性能 116
7.2.3应用范围 117
7.2.4技术发展趋势 117
7.3交流功率放大器 118
7.3.1概述 118
7.3.2主要性能 118
7.3.3应用范围 119
7.3.4技术发展趋势 119
7.4脉宽调制放大器电路 119
7.4.1概述 119
7.4.2主要技术性能 120
7.4.3应用范围 120
7.4.4技术发展趋势 121
7.5轴角转换器 121
7.5.1概述 121
7.5.2主要技术性能 122
7.5.3应用范围 123
7.5.4技术发展趋势 123
7.6电压／电流基准源 123
7.6.1概述 123
7.6.2主要技术性能 124
7.6.3应用范围 125
7.6.4技术发展趋势 125
7.7中／低频放大器 125
7.7.1概述 125
7.7.2主要技术性能 127
7.7.3应用范围 127
7.7.4技术发展趋势 127
7.8微波功率放大器 127
7.8.1概述 127
7.8.2主要技术性能 128
7.8.3应用范围 128
7.8.4技术发展趋势 128
7.9微波低噪声放大器 129
7.9.1概述 129
7.9.2主要技术性能 129
7.9.3应用范围 130
7.9.4技术发展趋势 130
7.10微波频率源 130
7.10.1概述 130
7.10.2主要技术性能 130
7.10.3应用范围 131
7.10.4技术发展趋势 131
7.11微波T／R组件 131
7.11.1概述 131
7.11.2主要技术性能 132
7.11.3应用范围 132
7.11.4技术发展趋势 132
参考文献 133
第8章 抗辐射器件与电路 134
8.1概述 134
8.1.1辐射效应 135
8.1.2辐射试验 137
8.2抗辐射CMOS集成电路 138
8.2.1概述 138
8.2.2抗辐射微处理器系列电路 138
8.2.3抗辐射4000系列和54系列电路 140
8.2.4抗辐射专用集成电路 141
8.2.5抗辐射现场可编程门阵列电路 142
8.3抗辐射加固双极型集成电路 142
8.3.1概述 142
8.3.2抗辐射TTL、ECL电路和模拟电路 143
8.3.3抗辐射A／D和D／A转换器 143
8.3.4抗辐射DC／DC电源 145
8.4抗辐射CMOS／SOI器件 146
8.4.1概述 146
8.4.2 CMOS／SOI／SOS电路 147
8.5其他抗辐射器件 148
8.5.1抗辐射半导体发光二极管 148
8.5.2抗辐射砷化镓器件 148
8.5.3抗辐射电荷耦合器件 149
8.5.4抗辐射太阳电池 150
8.5.5抗辐射固体继电器 151
8.5.6其他抗辐射器件性能 152
8.6抗辐射加固电路发展动态 153
8.6.1国外抗辐射加固电路性能 153
8.6.2抗辐射加固电路发展趋势 154
参考文献 156
第9章 片上系统 157
9.1概述 157
9.2 SoC设计方法学及关键技术 158
9.2.1集成电路DSM工艺技术 159
9.2.2 IP设计和复用技术 159
9.2.3软、硬件协同设计技术 160
9.3 IP核 160
9.3.1微处理器 161
9.3.2存储器 161
9.3.3片上总线 162
9.3.4输入／输出接口 163
9.4数字图像处理SoC 163
9.4.1设计简介 163
9.4.2 TE的系统构成 163
9.4.3 TE中的IP模块 164
9.4.4 TE中的软件 164
9.4.5 TE的设计实现 164
9.5通信SoC芯片 165
9.5.1设计简介 165
9.5.2 FC中的主要IP模块 165
9.5.3 FC中的软件 166
9.6混合信号SoC芯片 166
9.6.1混合信号SoC芯片发展的基础 167
9.6.2混合信号SoC的关键技术 167
9.7弹上嵌入式C*SoC芯片 168
9.7.1设计简介 168
9.7.2系统构成 168
9.7.3系统内部的IP模块 169
9.7.4软件开发 170
9.7.5应用范围 170
9.8 SoC的发展趋势 170
9.8.1 SoC的产业化潜力 170
9.8.2 SoC的集成度越来越高 171
9.8.3 SoC的设计愈加复杂 172
9.8.4 SoC的跨学科拓展 172
参考文献 173
第10章 微电子工艺 174
10.1概述 174
10.2单片集成电路基本工艺 175
10.2.1扩散／氧化工艺 175
10.2.2薄膜工艺 176
10.2.3光刻工艺 180
10.2.4离子注入工艺 183
10.2.5平坦化工艺 184
10.2.6背面工艺 185
10.3单片集成工艺 185
10.3.1硅双极集成工艺 185
10.3.2硅CMOS集成工艺 186
10.3.3硅BiCMOS及SiGe集成工艺 187
10.3.4 SoI集成工艺 188
10.3.5砷化镓集成工艺 188
10.4混合集成电路及多芯片组件制作工艺 191
10.4.1混合集成电路制作工艺 192
10.4.2多芯片组件制作工艺 192
10.5微电子工艺发展趋势 194
第二篇 微电子机械系统 197
第1章 MEMS惯性器件 197
1.1概述 197
1.2 MEMS加速度计 198
1.2.1基本概念与工作原理 198
1.2.2主要技术性能 199
1.2.3产品应用范围 199
1.2.4技术发展趋势 200
1.3 MEMS陀螺仪 200
1.3.1基本概念与工作原理 200
1.3.2主要技术性能 201
1.3.3产品应用范围 202
1.3.4技术发展趋势 202
1.4微惯性测量组合 202
1.4.1基本概念与工作原理 202
1.4.2主要技术性能 203
1.4.3产品应用范围 204
1.4.4技术发展趋势 204
参考文献 204
第2章 RF MEMS器件 206
2.1概述 206
2.2 RF MEMS开关 207
2.2.1基本概念与工作原理 207
2.2.2主要技术性能 207
2.2.3产品应用范围 208
2.2.4技术发展趋势 208
2.3 RF MEMS移相器 208
2.3.1基本概念与工作原理 208
2.3.2主要技术性能 210
2.3.3产品应用范围 210
2.3.4技术发展趋势 210
2.4 RF MEMS滤波器 211
2.4.1基本概念与工作原理 211
2.4.2主要技术性能 212
2.4.3产品应用范围 213
2.4.4技术发展趋势 213
2.5其他RF MEMS器件 213
2.5.1基本概念与工作原理 213
2.5.2主要技术性能 215
2.5.3产品应用范围 215
2.5.4技术发展趋势 215
参考文献 215
第3章 MEMS传感器 217
3.1概述 217
3.2 MEMS磁通门磁强计 217
3.2.1基本概念与工作原理 217
3.2.2主要技术性能 218
3.2.3产品应用范围 219
3.2.4技术发展趋势 219
3.3 MEMS生化传感器 219
3.3.1基本概念与工作原理 219
3.3.2主要技术性能 220
3.3.3产品应用范围 221
3.3.4技术发展趋势 221
3.4 M EMS集成传感器 221
3.4.1基本概念与工作原理 221
3.4.2主要技术性能 222
3.4.3产品应用范围 222
3.4.4技术发展趋势 223
参考文献 223
第4章 MEMS集成应用系统 224
4.1概述 224
4.2微型飞行器 225
4.2.1基本概念与工作原理 225
4.2.2主要技术性能 226
4.2.3产品应用范围 226
4.2.4技术发展趋势 226
4.3空间微系统 227
4.3.1基本概念与工作原理 227
4.3.2主要技术性能 228
4.3.3产品应用范围 229
4.3.4技术发展趋势 229
4.4 MEMS传感器网络 230
4.4.1基本概念与工作原理 230
4.4.2主要技术性能 230
4.4.3产品应用范围 231
4.4.4技术发展趋势 231
第5章 MEMS与NEMS的发展趋势 232
5.1概述 232
5.2微机电系统发展趋势 232
5.3纳机电系统发展趋势 234
第6章 MEMS工艺技术 237
6.1概述 237
6.2表面微机械工艺 238
6.2.1基本概念 238
6.2.2典型工艺与技术指标 238
6.2.3技术应用范围 240
6.2.4技术发展趋势 240
6.3体硅微机械加工工艺 240
6.3.1基本概念 240
6.3.2关键工艺及技术指标 240
6.3.3典型工艺流程 241
6.3.4技术应用范围 242
6.3.5技术发展趋势 242
6.4 LIGA和UV-LIGA工艺 242
6.4.1基本概念 242
6.4.2典型工艺与技术指标 243
6.4.3技术应用范围 244
6.5 MEMS封装工艺 244
6.5.1基本概念 244
6.5.2典型工艺与技术指标 245
6.5.3技术应用范围 246
6.5.4技术发展趋势 246
6.6纳机电系统加工工艺 246
6.6.1基本概念 246
6.6.2典型工艺与技术指标 247
6.6.3技术应用范围 248
6.6.4技术发展趋势 248
第三篇 光电子元器件 250
第1章 激光器 250
1.1概述 250
1.2固体激光器 250
1.2.1基本概念与工作原理 250
2.2主要产品技术性能 251
1.2.3产品应用范围 254
1.2.4技术发展趋势 254
1.3半导体激光器 254
1.3.1基本概念与工作原理 254
1.3.2主要产品技术性能 255
1.3.3产品应用范围 255
1.3.4技术发展趋势 255
1.4泵浦用半导体激光器 255
1.4.1基本概念与工作原理 255
1.4.2主要产品及技术性能 256
1.4.3产品应用范围 256
1.4.4技术发展趋势 256
1.5气体激光器 257
1.5.1基本概念与工作原理 257
1.5.2主要产品技术性能 257
1.5.3产品应用范围 257
1.5.4技术发展趋势 257
第2章 红外光电及焦平面探测器组件 258
2.1概述 258
2.2光电导型红外探测器 259
2.2.1基本概念与工作原理 259
2.2.2产品主要技术性能 260
2.2.3产品应用范围 260
2.2.4技术发展趋势 260
2.3线列HgCdTe焦平面探测器组件 261
2.3.1带延时积分型线列HgCdTe焦平面探测器组件 261
2.3.2不带延时积分的单线列焦平面探测器组件 263
2.4凝视型HgCdTe焦平面探测器组件 265
2.4.1基本概念与工作原理 265
2.4.2产品主要技术性能 266
2.4.3产品应用范围 267
2.4.4技术发展趋势 267
2.5 InSb光伏型红外焦平面探测器 267
2.5.1基本概念与工作原理 267
2.5.2产品主要技术性能 268
2.5.3产品应用范围 269
2.5.4技术发展趋势 269
2.6 InGaAs短波红外焦平面组件 269
2.6.1基本概念与工作原理 269
2.6.2产品主要技术性能 270
2.6.3产品应用范围 271
2.7 PtSi焦平面探测器 271
2.7.1基本概念与工作原理 271
2.7.2产品主要技术性能 272
2.7.3产品应用范围 272
2.7.4技术发展趋势 273
2.8非制冷红外焦平面探测器 273
2.8.1基本概念和基本原理 273
2.8.2产品主要技术性能 274
2.8.3产品应用范围 274
2.8.4技术发展趋势 274
2.9量子阱红外焦平面探测器 274
2.9.1基本概念和工作原理 274
2.9.2产品主要技术性能 274
2.9.3产品应用范围 275
2.9.4技术发展趋势 275
参考文献 276
第3章 半导体光电探测器 277
3.1概述 277
3.2硅光电探测器 278
3.2.1概述 278
3.2.2主要产品技术性能 278
3.2.3产品应用范围 281
3.2.4技术发展趋势 281
3.3 InGaAs光电探测器 281
3.3.1 InGaAs PIN光电探测器 281
3.3.2 InGaAs雪崩光电二极管 283
3.4紫外探测器 284
3.4.1基本概念与工作原理 284
3.4.2产品主要技术性能 285
3.4.3产品应用范围 286
3.4.4技术发展趋势 286
参考文献 286
第4章 电荷耦合器件 287
4.1概述 287
4.2线阵CCD图像传感器 288
4.2.1基本概念与工作原理 288
4.2.2产品主要技术性能 288
4.2.3产品应用范围 289
4.2.4技术发展趋势 289
4.3 TDI可见光CCD图像传感器 290
4.3.1基本概念与工作原理 290
4.3.2产品主要技术性能 290
4.3.3产品应用范围 291
4.3.4技术发展趋势 291
4.4面阵CCD图像传感器 291
4.4.1基本概念及工作原理 291
4.4.2产品主要技术性能 292
4.4.3产品应用范围 294
4.4.4技术发展趋势 294
4.5 CCD信号处理器件 294
4.5.1基本概念与工作原理 294
4.5.2产品主要技术性能 295
4.5.3产品应用范围 296
4.5.4技术发展趋势 296
第5章 红外探测器用杜瓦与制冷机／器 297
5.1概述 297
5.2红外探测器用微型杜瓦 298
5.2.1基本概念与工作原理 298
5.2.2产品主要技术性能 299
5.2.3产品应用范围 299
5.2.4技术发展趋势 299
5.3红外探测器用微型制冷机 300
5.3.1基本概念与工作原理 300
5.3.2产品主要技术性能 301
5.3.3产品应用范围 302
5.3.4技术发展趋势 302
5.4节流制冷器 302
5.4.1基本概念与工作原理 302
5.4.2产品主要技术性能 304
5.4.3产品应用范围 304
5.4.4技术发展趋势 304
5.5辐射制冷器 304
5.5.1基本概念与工作原理 305
5.5.2产品主要技术性能 305
5.5.3产品应用范围 306
5.5.4技术发展趋势 306
5.6半导体制冷器 306
5.6.1基本概念和工作原理 306
5.6.2产品主要技术性能 307
5.6.3产品应用范围 308
第6章 微光夜视器件 309
6.1概述 309
6.2像增强器 309
6.2.1像增强器的基本概念与工作原理 309
6.2.2主要产品技术性能 313
6.2.3像增强器的应用范围 317
6.2.4像增强器的发展趋势 318
6.3微光摄像器件 318
6.3.1基本概念与工作原理 318
6.3.2微光摄像器件的结构类型和性能参数 318
6.3.3微光摄像器件的应用范围 320
6.3.4微光摄像器件的发展趋势 321
参考文献 321
第7章 平板显示器 322
7.1概述 322
7.2液晶显示器 323
7.2.1液晶显示器件工作原理 323
7.2.2产品主要技术性能 324
7.2.3产品应用范围 325
7.2.4技术发展趋势 325
7.3等离子体显示屏 325
7.3.1等离子体显示工作原理 325
7.3.2产品主要技术性能 326
7.3.3产品应用范围 326
7.3.4技术发展趋势 326
7.4电致发光显示器 327
7.4.1电致发光显示基本原理 327
7.4.2产品主要技术性能 327
7.4.3产品应用范围 328
7.4.4技术发展趋势 328
7.5场致发光显示器 328
7.5.1场致发射显示基本原理 328
7.5.2产品主要技术性能 329
7.5.3产品应用范围 329
7.5.4技术发展趋势 329
第8章 光电信息处理器件 330
8.1概述 330
8.2光电集成和光子集成器件 330
8.2.1基本概念与工作原理 330
8.2.2产品主要技术性能 331
8.2.3产品应用范围 332
8.2.4技术发展趋势 332
8.3光电传输组件 332
8.3.1基本概念与工作原理 332
8.3.2产品主要技术性能 332
8.3.3产品应用范围 336
8.3.4技术发展趋势 336
8.4光电耦合器 336
8.4.1基本概念及工作原理 337
8.4.2产品主要技术性能 338
8.4.3产品应用范围 340
8.4.4技术发展趋势 341
第9章 光纤光缆 342
9.1概述 342
9.2高强度耐疲劳光纤 343
9.2.1基本概念与工作原理 343
9.2.2主要技术性能 343
9.2.3产品应用范围 344
9.2.4技术发展趋势 344
9.3偏振保持光纤 344
9.3.1基本概念与工作原理 344
9.3.2产品主要技术性能 346
9.3.3产品应用范围 346
9.3.4技术发展趋势 346
9.4耐辐照光纤 346
9.4.1基本概念与工作原理 346
9.4.2产品主要技术性能 347
9.4.3产品应用范围 347
9.4.4技术发展趋势 347
9.5掺稀土光纤 348
9.5.1基本概念与工作原理 348
9.5.2产品主要技术性能 348
9.5.3产品应用范围 349
9.5.4技术发展趋势 349
9.6传能光纤 350
9.6.1基本概念与工作原理 350
9.6.2产品主要技术性能 350
9.6.3产品应用范围 351
9.6.4技术发展趋势 351
9.7野战光缆 351
9.7.1基本概念与工作原理 351
9.7.2产品主要技术性能 351
9.7.3产品应用范围 352
9.7.4技术发展趋势 353
9.8海底光缆 353
9.8.1基本概念与工作原理 353
9.8.2产品主要技术性能 354
9.8.3产品应用范围 355
9.8.4技术发展趋势 355
9.9系留和拖曳光电复合缆 355
9.9.1基本概念与工作原理 355
9.9.2产品主要技术性能 356
9.9.3产品应用范围 357
9.9.4技术发展趋势 357
9.10舰载光缆及机载光缆 357
9.10.1基本概念与工作原理 357
9.10.2产品主要技术性能 358
9.10.3产品应用范围 358
9.10.4技术发展趋势 358
参考文献 358
第10章 光纤器件 359
10.1概述 359
10.2光纤光缆连接器 359
10.2.1基本概念与工作原理 359
10.2.2产品主要技术性能 360
10.2.3产品应用范围 361
10.2.4技术发展趋势 362
10.3光纤耦合器 362
10.3.1基本概念与工作原理 362
10.3.2产品主要技术性能 362
10.3.3产品应用范围 363
10.3.4技术发展趋势 364
10.4波分复用器 365
10.4.1基本概念与工作原理 365
10.4.2产品主要技术性能 365
10.4.3产品应用范围 365
10.4.4技术发展趋势 366
10.5光隔离器 366
10.5.1基本概念与工作原理 366
10.5.2产品主要技术性能 367
10.5.3产品应用范围 368
10.5.4技术发展趋势 368
10.6光开关 368
10.6.1基本概念和工作原理 368
10.6.2产品主要技术性能 370
10.6.3产品应用范围 370
10.6.4技术发展趋势 370
10.7光纤光栅 371
10.7.1基本概念及工作原理 371
10.7.2产品主要技术性能 372
10.7.3产品应用范围 373
10.7.4技术发展趋势 373
10.8光纤放大器 373
10.8.1基本概念与工作原理 373
10.8.2产品主要技术性能 374
10.8.3应用范围 375
10.8.4技术发展趋势 375
参考文献 376
第11章 光纤传感器 377
11.1概述 377
11.2光纤水听器 377
11.2.1基本概念与工作原理 377
11.2.2产品主要技术性能 378
11.2.3产品应用范围 378
11.2.4技术发展趋势 379
11.3光纤陀螺 379
11.3.1基本概念与工作原理 379
11.3.2产品主要技术性能 380
11.3.3产品应用范围 381
11.3.4技术发展趋势 381
11.4光纤加速度计 381
11.4.1基本概念与工作原理 381
11.4.2产品主要技术性能 382
11.4.3产品应用范围 383
11.4.4技术发展趋势 383
11.5光纤温度与应变传感器 383
11.5.1基本概念与工作原理 383
11.5.2产品主要技术性能 384
11.5.3产品的应用范围 385
11.5.4技术发展趋势 385
11.6其他光纤传感器 385
11.6.1基本概念与工作原理 385
11.6.2产品主要技术性能 386
11.6.3产品应用范围 387
11.6.4技术发展趋势 387
参考文献 387
第12章 集成光学器件 388
12.1概述 388
12.2集成光学分（合）路器 388
12.2.1基本概念与工作原理 388
12.2.2产品主要技术性能 389
12.2.3产品应用范围 390
12.2.4技术发展趋势 390
12.3集成光学强度调制器 390
12.3.1基本概念与工作原理 390
12.3.2产品主要技术性能 390
12.3.3产品应用范围 391
12.3.4技术发展趋势 391
12.4集成光学相位调制器 391
12.4.1基本概念与工作原理 391
12.4.2产品主要技术性能 391
12.4.3产品应用范围 392
12.4.4技术发展趋势 392
12.5集成光开关 392
12.5.1基本概念与工作原理 392
12.5.2产品主要技术性能 392
12.5.3产品应用范围 392
12.5.4技术发展趋势 393
参考文献 393
第13章 光电子元器件工艺 394
13.1概述 394
13.2半导体激光器工艺 394
13.3半导体探测器工艺 394
13.4红外焦平面探测器组件工艺 395
13.5 CCD器件工艺 396
13.6夜视器件的制造工艺 396
13.6.1像管的制造工艺 396
13.6.2光纤耦合的ICCD制造工艺 397
13.7平板显示器件工艺 397
13.8光纤器件制造工艺 399
13.9光纤工艺 399
第四篇 军用真空电子器件 404
第1章 速调管 404
1.1概述 404
1.1.1发展概况 404
1.1.2分类 404
1.2单注速调管 405
1.2.1基本概念和工作原理 405
1.2.2主要技术性能 406
1.2.3产品应用范围 407
1.2.4技术发展趋势 407
1.3多注速调管 407
1.3.1基本概念和工作原理 407
1.3.2主要技术性能 408
1.3.3产品应用范围 409
1.3.4技术发展趋势 410
参考文献 410
第2章 行波管 411
2.1概述 411
2.1.1发展概况 411
2.1.2分类 411
2.2螺旋线行波管 412
2.2.1基本概念和工作原理 412
2.2.2主要技术性能 414
2.2.3产品应用范围 416
2.2.4技术发展趋势 417
2.3耦合腔行波管 418
2.3.1基本概念和工作原理 418
2.3.2主要技术性能 419
2.3.3产品应用范围 421
2.3.4技术发展趋势 421
2.4多注行波管 422
2.4.1基本概念和工作原理 422
2.4.2主要技术性能 422
2.4.3产品应用范围 423
2.4.4技术发展趋势 423
参考文献 423
第3章 微波功率模块 424
3.1概述 424
3.1.1发展概况 424
3.1.2分类 424
3.2宽带连续波微波功率模块 425
3.2.1基本概念和工作原理 425
3.2.2主要技术性能 426
3.2.3产品应用范围 426
3.2.4技术发展趋势 427
3.3脉冲输出微波功率模块 427
3.3.1基本概念和工作原理 427
3.3.2主要技术性能 427
3.3.3产品应用范围 428
3.3.4技术发展趋势 428
参考文献 428
第4章 磁控管 429
4.1概述 429
4.1.1发展概况 429
4.1.2分类 429
4.2普通脉冲磁控管 430
4.2.1基本概念和工作原理 430
4.2.2主要技术性能 430
4.2.3产品应用范围 432
4.2.4技术发展趋势 433
4.3同轴磁控管 433
4.3.1基本概念和工作原理 433
4.3.2主要技术性能 434
4.3.3产品应用范围 435
4.3.4技术发展趋势 435
4.4捷变频磁控管 435
4.4.1基本概念和工作原理 435
4.4.2主要技术性能 436
4.4.3产品应用范围 437
4.4.4技术发展趋势 437
参考文献 437
第5章 正交场放大管 438
5.1概述 438
5.1.1发展概况 438
5.1.2分类 439
5.2前向波放大管 439
5.2.1基本概念和工作原理 439
5.2.2主要技术性能 440
5.2.3产品应用范围 441
5.2.4技术发展趋势 441
参考文献 442
第6章 回旋管 443
6.1概述 443
6.1.1发展概况 443
6.1.2分类 444
6.2回旋振荡管 444
6.2.1回旋振荡管的基本工作原理 444
6.2.2主要技术性能 445
6.2.3产品应用范围 446
6.2.4技术发展趋势 447
6.3回旋放大管 447
6.3.1回旋放大管的基本工作原理 447
6.3.2主要技术性能 448
6.3.3产品应用范围 449
6.3.4技术发展趋势 450
参考文献 450
第7章 高功率微波源 451
7.1概述 451
7.1.1发展概况 451
7.1.2分类 451
7.2高脉冲功率微波源 451
7.2.1基本概念和工作原理 451
7.2.2主要技术性能 452
7.2.3产品应用范围 453
7.2.4技术发展趋势 453
参考文献 453
第8章 气体放电器件 454
8.1概述 454
8.1.1发展概况 454
8.1.2分类 455
8.2天线开关管 456
8.2.1基本概念和工作原理 456
8.2.2主要技术性能 457
8.2.3产品应用范围 457
8.2.4技术发展趋势 458
8.3氢闸流管 458
8.3.1基本概念和工作原理 458
8.3.2主要技术性能 459
8.3.3产品应用范围 459
8.3.4技术发展趋势 460
8.4触发管 460
8.4.1基本概念和工作原理 460
8.4.2主要技术性能 461
8.4.3产品应用范围 462
8.4.4技术发展趋势 462
8.5过压过流保护放电管 463
8.5.1基本概念和工作原理 463
8.5.2主要技术性能 463
8.5.3产品应用范围 464
8.5.4技术发展趋势 464
8.6真空开关管 464
8.6.1基本概念和工作原理 464
8.6.2主要技术性能 465
8.6.3产品应用范围 465
8.6.4技术发展趋势 466
参考文献 466
第9章 真空显示器件 467
9.1概述 467
9.1.1发展概况 467
9.1.2真空显示器件分类 467
9.2机载平视管和下视管 468
9.2.1基本概念和工作原理 468
9.2.2主要技术性能 469
9.2.3产品应用范围 469
9.2.4技术发展趋势 470
9.3头盔管 470
9.3.1基本概念和工作原理 470
9.3.2主要技术性能 471
9.3.3产品应用范围 471
9.3.4技术发展趋势 471
9.4机载彩色显示管 471
9.4.1基本概念和工作原理 471
9.4.2主要技术性能 472
9.4.3产品应用范围 473
9.4.4技术发展趋势 473
参考文献 473
第10章 真空光电器件 474
10.1概述 474
10.1.1发展概况 474
10.1.2分类 474
10.2光电倍增管 475
10.2.1基本概念与工作原理 475
10.2.2主要技术性能 476
10.2.3产品应用范围 476
10.2.4技术发展趋势 476
10.3紫外光电管 477
10.3.1基本概念与工作原理 477
10.3.2主要技术性能 478
10.3.3产品应用范围 478
10.3.4技术发展趋势 479
10.4核辐射计数管 479
10.4.1基本概念与工作原理 479
10.4.2主要技术性能 480
10.4.3产品应用范围 480
10.4.4技术发展趋势 480
参考文献 481
第11章 军用特种光源 482
11.1概述 482
11.1.1发展概况 482
11.1.2军用特灯分类 482
11.2脉冲氙灯 482
11.2.1基本概念与工作原理 482
11.2.2主要技术性能 483
11.2.3产品应用范围 484
11.2.4技术发展趋势 484
11.3飞机着陆灯、滑行灯和着陆滑行灯 484
11.3.1基本概念与工作原理 484
11.3.2主要技术性能 484
11.3.3产品应用范围 485
11.3.4技术发展趋势 485
参考文献 485
第12章 真空电子器件制造工艺技术 486
12.1概述 486
12.1.1基本概念 486
12.1.2工艺技术特点 486
12.1.3制造工艺流程 487
12.2阴极及热子制造工艺 487
12.2.1概况 487
12.2.2阴极制造工艺 488
12.3陶瓷—金属封接工艺 491
12.3.1概况 491
12.3.2陶瓷金属化工艺 492
12.4制管工艺 493
12.4.1概况 493
12.4.2金属零件制造 493
12.4.3净化 493
12.4.4热处理 494
12.4.5涂覆工艺 494
12.4.6焊接工艺 494
12.4.7装配 495
12.4.8排气工艺 496
12.4.9在线检漏工艺 496
12.4.10测试 497
参考文献 498
第五篇 化学与物理电源 501
第1章 原电池 501
1.1概述 501
1.1.1基本定义与发展概况 501
1.1.2分类 501
1.1.3常用原电池的主要特性比较 502
1.1.4主要应用 503
1.2锂／二氧化锰电池 503
1.2.1基本概念与工作原理 503
1.2.2主要技术性能 504
1.2.3产品应用范围 505
1.2.4技术发展趋势 505
1.3锂／二氧化硫电池 506
1.3.1基本概念与工作原理 506
1.3.2主要技术性能 506
1.3.3产品应用范围 507
1.3.4技术发展趋势 507
1.4锂／亚硫酰氯电池 507
1.4.1基本概念与工作原理 507
1.4.2主要技术性能 508
1.4.3产品应用范围 510
1.4.4技术发展趋势 510
参考文献 510
第2章 蓄电池 511
2.1概述 511
2.1.1基本定义 511
2.1.2发展概况 511
2.1.3基本分类 512
2.2铅酸蓄电池 512
2.2.1基本概念与工作原理 512
2.2.2主要技术性能 514
2.2.3产品应用范围 515
2.2.4技术发展趋势 515
2.3锌氧化银蓄电池 515
2.3.1基本概念与工作原理 515
2.3.2主要技术性能 516
2.3.3产品应用范围 517
2.3.4技术发展趋势 517
2.4镉镍蓄电池 518
2.4.1基本概念与工作原理 518
2.4.2主要技术性能 519
2.4.3产品应用范围 521
2.4.4技术发展趋势 521
2.5金属氢化物镍蓄电池 521
2.5.1基本概念与工作原理 521
2.5.2产品主要技术性能 522
2.5.3产品应用范围 522
2.5.4技术发展趋势 522
2.6氢镍蓄电池 523
2.6.1基本概念与工作原理 523
2.6.2产品分类及其主要技术性能 524
2.6.3产品应用范围 526
2.6.4技术发展趋势 526
2.7锂离子蓄电池 527
2.7.1基本概念与工作原理 527
2.7.2产品主要技术性能 529
2.7.3产品应用范围 531
2.7.4技术发展趋势 532
2.8超级电容器 532
2.8.1基本概念与工作原理 532
2.8.2主要技术性能 533
2.8.3产品应用范围 535
2.8.4技术发展趋势 535
参考文献 535
第3章 储备电池 536
3.1概述 536
3.1.1基本概念 536
3.1.2分类、特点与应用 536
3.1.3常用储备电池系列的主要特性 536
3.2锌氧化银储备电池 537
3.2.1基本概念与工作原理 537
3.2.2主要技术性能 538
3.2.3产品应用范围 539
3.2.4发展趋势 540
3.3热电池 540
3.3.1基本概念与工作原理 540
3.3.2产品分类与主要技术性能 541
3.3.3产品应用范围 542
3.3.4技术发展趋势 543
3.4水激活电池 543
3.4.1基本概念与工作原理 543
3.4.2典型产品与主要技术性能 544
3.4.3产品应用范围 545
3.4.4发展趋势 545
参考文献 546
第4章 燃料电池 547
4.1概述 547
4.1.1基本概念 547
4.1.2特点 547
4.1.3分类、特征及应用 547
4.2碱性燃料电池 548
4.2.1基本概念与工作原理 548
4.2.2基本技术性能 549
4.2.3产品应用范围 550
4.2.4技术发展趋势 550
4.3质子交换膜燃料电池 550
4.3.1基本概念与工作原理 550
4.3.2主要技术性能 551
4.3.3产品应用范围 551
4.3.4技术发展趋势 552
4.4甲醇质子交换膜燃料电池 552
4.4.1基本概念与工作原理 552
4.4.2主要技术性能 552
4.4.3产品应用范围 552
4.4.4技术发展趋势 553
4.5再生式燃料电池 553
4.5.1基本概念与工作原理 553
4.5.2主要技术性能 553
4.5.3产品应用范围 554
4.5.4技术发展趋势 555
第5章 太阳电池 556
5.1概述 556
5.1.1基本定义和特点 556
5.1.2发展概况 556
5.1.3分类 557
5.2硅太阳电池 557
5.2.1基本概念和工作原理 557
5.2.2产品分类及其主要技术性能 558
5.2.3产品应用范围 559
5.2.4技术发展趋势 559
5.3砷化镓太阳电池 559
5.3.1基本概念和工作原理 559
5.3.2产品分类及其主要技术性能 560
5.3.3产品应用范围 561
5.3.4技术发展趋势 561
5.4薄膜太阳电池 562
5.4.1基本概念和工作原理 562
5.4.2产品分类及其主要技术性能 563
5.4.3产品应用范围 563
5.4.4技术发展趋势 563
5.5聚光太阳电池 564
5.5.1基本概念和工作原理 564
5.5.2产品分类及其主要技术性能 564
5.5.3产品应用范围 564
5.5.4技术发展趋势 565
参考文献 565
第6章 温差发电器 566
6.1概述 566
6.2基本概念和原理 566
6.3产品分类及基本技术性能 567
6.3.1产品分类 567
6.3.2主要技术性能 568
6.4产品应用范围 569
6.5技术发展趋势 569
第7章 化学与物理电源的制造工艺 571
7.1概述 571
7.2化学电源产品的典型制造工艺 572
7.2.1电极的分类与工艺要求 572
7.2.2典型电极制造工艺 573
7.2.3典型电池组装工艺 574
7.3物理电源产品的典型制造工艺 575
7.3.1太阳电池基本制造工艺 575
7.3.2温差发电器制造工艺 575
第六篇 特种元器件 579
第1章 物理量传感器 579
1.1概述 579
1.1.1基本分类 579
1.1.2发展概况 579
1.1.3物理量传感器的发展趋势 580
1.2力敏元件 581
1.2.1基本概念和工作原理 581
1.2.2产品分类及其主要技术性能 581
1.2.3产品应用范围 583
1.2.4技术发展趋势 583
1.3力与力矩传感器 583
1.3.1基本概念和工作原理 583
1.3.2主要技术性能 583
1.3.3产品应用范围 584
1.3.4技术发展趋势 584
1.4压力传感器 584
1.4.1基本概念和工作原理 584
1.4.2主要技术性能 585
1.4.3产品应用范围 585
1.4.4技术发展趋势 586
1.5位移传感器 586
1.5.1基本概念和工作原理 586
1.5.2主要技术性能 586
1.5.3产品应用范围 587
1.5.4技术发展趋势 587
1.6加速度传感器 587
1.6.1基本概念和工作原理 587
1.6.2主要技术性能 588
1.6.3产品应用范围 589
1.6.4技术发展趋势 589
1.7流量与流速传感器 590
1.7.1基本概念及工作原理 590
1.7.2主要技术性能 590
1.7.3产品应用范围 591
1.7.4技术发展趋势 591
1.8铂膜热敏电阻与传感器 591
1.8.1基本概念和工作原理 591
1.8.2主要技术性能 592
1.8.3产品应用范围 593
1.8.4技术发展趋势 593
1.9锰铜薄膜超高压力传感器 593
1.9.1基本概念及工作原理 593
1.9.2主要技术性能 595
1.9.3产品应用范围 595
1.9.4技术发展趋势 595
参考文献 595
第2章 化学量传感器 596
2.1概述 596
2.2电容型湿度传感器 598
2.2.1基本概念及工作原理 598
2.2.2主要技术性能 598
2.2.3产品应用范围 599
2.2.4技术发展趋势 599
2.3氧气传感器 599
2.3.1 Zr02系氧气传感器 599
2.3.2光纤氧气传感器 601
2.4溴气传感器 602
2.4.1基本概念与工作原理 602
2.4.2主要技术性能 603
2.4.3产品应用范围 603
2.4.4技术发展趋势 603
2.5一氧化碳传感器 604
2.5.1基本概念与工作原理 604
2.5.2主要技术性能 604
2.5.3产品应用范围 605
2.5.4技术发展趋势 605
2.6氯气传感器 605
2.6.1基本概念与工作原理 605
2.6.2主要技术性能 606
2.6.3产品应用范围 606
2.6.4技术发展趋势 606
2.7烟雾传感器 606
2.7.1基本概念及工作原理 606
2.7.2主要技术性能 607
2.7.3产品应用范围 607
2.7.4技术发展趋势 607
2.8微集成光学气体传感器 607
2.8.1基本概念与工作原理 607
2.8.2主要技术性能 608
2.8.3产品应用范围 608
2.8.4技术发展趋势 609
2.9场效应管型微集成NOx传感器阵列 609
2.9.1基本概念及工作原理 609
2.9.2主要技术性能 610
2.9.3产品应用范围 611
2.9.4技术发展趋势 611
2.10多功能组合传感器 611
2.10.1基本概念及工作原理 611
2.10.2主要技术性能 611
2.10.3产品应用范围 612
2.10.4技术发展趋势 612
参考文献 613
第3章 生物传感器 614
3.1概述 614
3.2声表面波生化传感器 615
3.2.1基本概念与工作原理 615
3.2.2主要技术性能 616
3.2.3产品应用范围 616
3.2.4技术发展趋势 617
参考文献 617
第4章 微波／毫米波磁性元器件 618
4.1概述 618
4.2环行器／隔离器 619
4.2.1基本概念与工作原理 619
4.2.2主要技术性能 620
4.2.3产品应用范围 622
4.2.4技术发展趋势 622
4.3磁调谐滤波器 622
4.3.1基本概念与工作原理 622
4.3.2主要技术性能 623
4.3.3产品应用范围 623
4.3.4技术发展趋势 624
4.4磁调谐振荡器 624
4.4.1基本概念与工作原理 624
4.4.2主要技术性能 625
4.4.3产品应用范围 625
4.4.4技术发展趋势 625
4.5磁调谐组件 625
4.5.1基本概念与工作原理 625
4.5.2主要技术性能 626
4.5.3产品应用范围 627
4.5.4技术发展趋势 627
4.6铁氧体移相器 627
4.6.1基本概念与工作原理 627
4.6.2主要技术性能 628
4.6.3产品应用范围 629
4.6.4技术发展趋势 629
4.7铁氧体变极化器 629
4.7.1基本概念与工作原理 629
4.7.2主要技术性能 630
4.7.3产品应用范围 630
4.7.4技术发展趋势 630
4.8铁氧体开关与调制器 631
4.8.1基本概念与工作原理 631
4.8.2主要技术性能 631
4.8.3产品应用范围 631
4.8.4技术发展趋势 632
4.9静磁波器件 632
4.9.1基本概念与工作原理 632
4.9.2主要技术性能 632
4.9.3产品应用范围 633
4.9.4技术发展趋势 634
参考文献 634
第5章 软磁与抗电磁干扰元器件 635
5.1概述 635
5.2射频铁氧体宽带元器件 636
5.2.1基本概念与工作原理 636
5.2.2主要技术性能 636
5.2.3产品应用范围 637
5.2.4技术发展趋势 637
5.3高功率软磁元器件 637
5.3.1基本概念与工作原理 637
5.3.2主要技术性能 637
5.3.3产品应用范围 638
5.3.4技术发展趋势 638
5.4高导软磁铁氧体元器件 638
5.4.1基本概念与工作原理 638
5.4.2主要技术性能 639
5.4.3产品应用范围 639
5.4.4技术发展趋势 639
5.5电磁干扰／射频干扰抑制铁氧体元器件 640
5.5.1基本概念与工作原理 640
5.5.2主要技术性能 641
5.5.3产品应用范围 642
5.5.4技术发展趋势 642
参考文献 643
第6章 军用永磁元件 644
6.1概述 644
6.2铝镍钴系列元件 646
6.2.1基本概念与工作原理 646
6.2.2主要技术性能 646
6.2.3产品应用范围 646
6.2.4技术发展趋势 647
6.3铁氧体系列元件 647
6.3.1基本概念与工作原理 647
6.3.2主要技术性能 648
6.3.3产品应用范围 648
6.3.4技术发展趋势 648
6.4稀土永磁系列元件 648
6.4.1基本概念与工作原理 648
6.4.2主要技术性能 648
6.4.3产品应用范围 649
6.4.4技术发展趋势 650
参考文献 650
第7章 声表面波器件 651
7.1概述 651
7.2声表面波滤波器及滤波器组 652
7.2.1基本概念与工作 652
7.2.2主要技术性能 652
7.2.3产品应用范围 654
7.2.4技术发展趋势 654
7.3声表面波振荡器 654
7.3.1基本概念与工作原理 654
7.3.2主要技术性能 655
7.3.3产品的应用范围 655
7.3.4技术发展趋势 655
7.4声表面波延迟线 656
7.4.1基本概念与工作原理 656
7.4.2主要技术性能指标 656
7.4.3产品应用范围 656
7.4.4技术发展趋势 656
7.5声表面波色散延迟线 656
7.5.1基本概念与工作原理 656
7.5.2主要技术性能指标 657
7.5.3产品应用范围 657
7.5.4技术发展趋势 658
7.6声表面波可编程相关器 658
7.6.1基本概念与工作原理 658
7.6.2主要技术性能 658
7.6.3产品应用范围 659
7.6.4技术发展趋势 659
7.7声表面波频率合成器 659
7.7.1基本概念与工作原理 659
7.7.2主要技术性能 659
7.7.3主要应用范围 660
7.7.4技术发展趋势 660
参考文献 660
第8章 体声波器件 661
8.1概述 661
8.2体声波微波延迟线 661
8.2.1基本概念与工作原理 661
8.2.2主要技术性能 662
8.2.3产品应用范围 662
8.2.4技术发展趋势 663
8.3薄膜体声波谐振器 663
8.3.1基本概念与工作原理 663
8.3.2主要技术性能 663
8.3.3产品应用范围 664
8.3.4技术发展趋势 664
参考文献 665
第9章 声光元器件 666
9.1概述 666
9.2声光调制器 667
9.2.1基本概念与工作原理 667
9.2.2主要技术性能 667
9.2.3产品应用范围 668
9.2.4技术发展趋势 668
9.3声光Q开关 668
9.3.1基本概念与工作原理 668
9.3.2主要技术性能 669
9.3.3产品应用范围 669
9.3.4技术发展趋势 669
9.4声光移频器 670
9.4.1基本概念与工作原理 670
9.4.2主要技术性能 670
9.4.3声光移频器产品应用范围 670
9.4.4技术发展趋势 670
9.5声光偏转器 671
9.5.1基本概念与工作原理 671
9.5.2主要技术性能 671
9.5.3产品应用范围 672
9.5.4技术发展趋势 672
9.6声光可调滤光器 672
9.6.1基本概念与工作原理 672
9.6.2主要技术性能 672
9.6.3产品应用范围 673
9.6.4技术发展趋势 673
参考文献 673
第10章 振动惯性器件 674
10.1概述 674
10.1.1概念与分类 674
10.1.2基本原理 674
10.1.3发展历程与展望 675
10.1.4特点和应用 675
10.2压电陀螺 676
10.2.1基本概念和工作原理 676
10.2.2主要技术性能 677
10.2.3产品应用范围 677
10.2.4技术发展趋势 678
10.3石英微机械振动陀螺 678
10.3.1基本概念和工作原理 678
10.3.2主要技术性能 679
10.3.3产品应用范围 679
10.3.4技术发展趋势 680
10.4半球谐振陀螺仪 680
10.4.1基本概念和工作原理 680
10.4.2主要技术性能 681
10.4.3产品应用范围 681
10.4.4技术发展趋势 681
10.5石英振梁加速度计 682
10.5.1基本概念和工作原理 682
10.5.2主要技术性能 682
10.5.3产品应用范围 683
10.5.4技术发展趋势 683
参考文献 683
第11章 特种元器件基本工艺 684
11.1传感器主要工艺 684
11.1.1薄膜工艺概述 684
11.1.2陶瓷工艺 685
11.2磁性器件主要工艺 687
11.2.1旋磁器件主要工艺 688
11.2.2软磁与抗电磁干扰器件主要工艺 689
11.2.3永磁器件主要工艺 690
11.3声表器件工艺 690
11.3.1概述 690
11.3.2基本工艺 691
11.3.3声表器件工艺的发展趋势 692
参考文献 692
第七篇 机电组件与通用元件 694
第1章 微特电机 694
1.1自整角机、旋转变压器、轴角编码器组件 694
1.1.1自整角机 694
1.1.2旋转变压器 696
1.1.3多极和双通道旋转变压器 697
1.1.4旋转变压器型轴角编码器组件 699
1.2直流电动机 700
1.2.1永磁直流电动机 700
1.2.2永磁直流伺服电动机 700
1.2.3永磁直流力矩电动机 701
1.2.4空心杯电枢永磁式直流伺服电动机 702
1.3异步电动机 703
1.3.1交流伺服电动机 703
1.3.2中频异步电动机 703
1.4同步电动机 704
1.4.1基本概念与工作原理 704
1.4.2主要技术性能 704
1.4.3产品应用范围 704
1.5步进电动机 704
1.5.1基本概念与工作原理 704
1.5.2主要技术性能 705
1.5.3产品应用范围 705
1.6无刷永磁直流电动机 705
1.6.1无刷直流电动机 706
1.6.2无刷直流力矩电动机 706
1.6.3永磁交流伺服电动机 707
1.7测速机、发电机 708
1.7.1空心杯转子交流测速发电机 708
1.7.2直流测速发电机、永磁直流低速测速发电机 709
1.7.3航空发电机 710
1.7.4中频发电机及机组 711
1.8微特电机技术发展趋势 712
参考文献 713
第2章 继电器 714
2.1电磁继电器 714
2.1.1基本概念与工作原理 714
2.1.2主要技术性能 715
2.1.3产品应用范围 716
2.2固体继电器 716
2.2.1基本概念与工作原理 716
2.2.2主要技术性能 717
2.2.3产品应用范围 718
2.3延时继电器 719
2.3.1基本概念与工作原理 719
2.3.2主要技术性能 720
2.3.3产品应用范围 720
2.4特种继电器 720
2.4.1射频继电器 721
2.4.2温度继电器 721
2.4.3断路器 721
2.4.4高压真空继电器 722
2.4.5其他特种继电器 722
2.5技术发展趋势 722
参考文献 723
第3章 电连接器与开关 724
3.1低频连接器 724
3.1.1基本概念与工作原理 724
3.1.2主要技术性能 725
3.1.3产品应用范围 726
3.2射频连接器 726
3.2.1基本概念与工作原理 726
3.2.2主要技术性能 728
3.2.3产品应用范围 728
3.3特种连接器 729
3.3.1基本概念与工作原理 729
3.3.2主要技术性能 730
3.3.3产品应用范围 730
3.4插座 730
3.4.1基本概念与工作原理 731
3.4.2主要技术性能 731
3.4.3产品应用范围 731
3.5开关 731
3.5.1基本概念与工作原理 732
3.5.2主要技术性能 732
3.5.3产品应用范围 733
3.6连接器与开关技术发展趋势 733
参考文献 733
第4章 电传输线 734
4.1对称电缆 734
4.1.1基本概念与工作原理 734
4.1.2主要技术性能 734
4.1.3产品应用范围 735
4.2同轴电缆 736
4.2.1基本概念与工作原理 736
4.2.2主要技术性能 736
4.2.3产品应用范围 737
4.3特种线缆 737
4.3.1基本概念与工作原理 737
4.3.2主要技术性能 738
4.3.3产品应用范围 738
4.4波导 738
4.4.1基本概念与工作原理 738
4.4.2主要技术性能 739
4.4.3产品应用范围 739
4.5技术发展趋势 739
参考文献 740
第5章 电阻器、电位器 741
5.1电阻器 741
5.1.1薄膜电阻器 741
5.1.2片式电阻器 742
5.1.3精密箔式电阻器 743
5.1.4微波大功率负载电阻 744
5.1.5衰减器 745
5.2电位器 746
5.2.1片式电位器 746
5.2.2精密线绕电位器 747
5.2.3导电塑料电位器 748
5.3热敏电阻器 749
5.3.1主要技术性能 750
5.3.2产品应用范围 751
5.3.3技术发展趋势 751
5.3.4主要工艺流程 751
5.4氧化锌压敏电阻器 751
5.4.1主要技术性能 753
5.4.2产品应用范围 754
5.4.3技术发展趋势 754
5.4.4主要工艺流程 754
参考文献 754
第6章 电容器 755
6.1有机薄膜电容器 755
6.1.1聚苯硫醚薄膜电容器 755
6.1.2片式有机薄膜电容器 756
6.1.3高比能高压脉冲金属化聚丙烯薄膜电容器 757
6.1.4高频脉冲聚丙烯薄膜电容器 757
6.1.5有机薄膜电容器技术发展趋势 758
6.1.6主要工艺流程 758
6.2陶瓷电容器 758
6.2.1高可靠多层瓷介电容器 759
6.2.2微波高Q／射频大功率电容器 760
6.2.3大容量 761
6.2.4高压MLCC 761
6.2.5高温MLCC 761
6.2.6陶瓷电容器材料和工艺 762
6.3云母电容器 762
6.3.1主要技术性能 763
6.3.2产品应用范围 763
6.3.3技术发展趋势 763
6.3.4主要工艺流程 763
6.4铝电解电容器 763
6.4.1主要技术性能 765
6.4.2产品应用范围 765
6.4.3技术发展趋势 765
6.4.4主要工艺流程 765
6.5钽电容器 765
6.5.1主要技术性能 767
6.5.2产品应用范围 768
6.5.3技术发展趋势 768
6.5.4工艺流程 768
6.6聚合物固体电解质电解电容器 768
6.6.1主要技术性能 769
6.6.2产品应用范围 770
6.6.3技术发展趋势 770
6.6.4主要工艺流程 770
参考文献 770
第7章 复合元件和集成无源元件 771
7.1射频干扰／电磁干扰抑制滤波器 771
7.1.1电连接器用EMI滤波阵列 771
7.1.2片式多层EMI滤波器 772
7.1.3 EMP滤波连接器 773
7.1.4馈通型滤波器与电源滤波器 774
7.1.5 EMI滤波器技术发展趋势 774
7.2 LC复合带通滤波器 775
7.3电阻网络与阻容网络 776
7.3.1主要技术性能 777
7.3.2产品应用范围 777
7.3.3技术发展趋势 777
7.3.4主要工艺流程 777
7.4平衡—不平衡变换器 777
7.5微波介质器件 778
7.6集成无源元件 779
7.6.1产品应用范围 779
7.6.2技术发展趋势 779
7.6.3主要工艺流程 779
参考文献 780
第8章 压电晶体器件 781
8.1晶体谐振器 781
8.1.1主要技术性能 782
8.1.2产品应用范围 782
8.1.3技术发展趋势 782
8.2普通晶体振荡器 783
8.2.1主要技术性能 783
8.2.2技术发展趋势 783
8.3压控振荡器 783
8.3.1主要技术性能 783
8.3.2产品应用范围 784
8.3.3技术发展趋势 784
8.4温度补偿晶体振荡器 784
8.4.1主要技术性能 784
8.4.2产品应用范围 784
8.4.3技术发展趋势 784
8.5数字温度补偿晶体振荡器 784
8.5.1主要技术性能 785
8.5.2产品应用范围 785
8.5.3技术发展趋势 785
8.6恒温晶体振荡器 785
8.6.1主要技术性能 786
8.6.2产品应用范围 786
8.6.3技术发展趋势 786
8.7晶体滤波器 786
8.7.1主要技术性能 787
8.7.2产品应用范围 787
8.7.3技术发展趋势 787
8.8主要工艺流程 787
参考文献 788
第八篇 支撑技术 790
第1章 电子信息材料 790
1.1概述 790
1.2半导体材料 791
1.2.1基本概念与工作原理 791
1.2.2主要技术性能 791
1.2.3产品应用范围 792
1.2.4技术发展趋势 792
1.3 SOI材料 792
1.3.1基本概念与工作原理 792
1.3.2主要技术性能 793
1.3.3产品应用范围 793
1.3.4技术发展趋势 793
1.4激光晶体材料 793
1.4.1基本概念与工作原理 793
1.4.2主要技术性能 794
1.4.3产品应用范围 794
1.4.4技术发展趋势 794
1.5红外探测材料 794
1.5.1基本概念与工作原理 794
1.5.2主要技术性能 795
1.5.3产品应用范围 795
1.5.4技术发展趋势 795
1.6压电晶体材料 796
1.6.1基本概念与工作原理 796
1.6.2主要技术性能 796
1.6.3产品应用范围 796
1.6.4技术发展趋势 796
1.7磁性材料 797
1.7.1基本概念与工作原理 797
1.7.2制备工艺与主要技术性能 797
1.7.3产品应用范围 798
1.7.4技术发展趋势 798
1.8真空电子器件用陶瓷材料 799
1.8.1基本概念 799
1.8.2主要性能 799
1.8.3产品应用范围 800
1.8.4技术发展趋势 800
1.9真空电子器件用金属材料 800
1.9.1基本概念 800
1.9.2主要技术性能 800
1.9.3产品应用范围 801
1.9.4技术发展趋势 801
1.10元器件封装关键材料 801
1.10.1基本概念 801
1.10.2陶瓷封装材料 802
1.10.3金属封装材料 802
1.10.4金属基复合封装材料 803
1.10.5技术发展趋势 804
参考文献 804
第2章 专用设备 805
2.1概述 805
2.2单晶炉 806
2.2.1基本概念及工作原理 806
2.2.2主要技术性能 807
2.2.3产品应用范围 807
2.2.4技术发展趋势 807
2.3内圆切片机 807
2.3.1基本概念及工作原理 807
2.3.2主要技术性能 807
2.3.3产品应用范围 807
2.3.4技术发展趋势 808
2.4硅片倒角机 808
2.4.1基本概念及工作原理 808
2.4.2主要技术性能 808
2.4.3产品应用范围 808
2.4.4技术发展趋势 808
2.5气相外延炉 808
2.5.1基本概念及工作原理 808
2.5.2主要技术性能 809
2.5.3产品应用范围 809
2.5.4技术发展趋势 809
2.6分子束外延系统 809
2.6.1基本概念及工作原理 809
2.6.2主要技术性能 810
2.6.3产品应用范围 810
2.6.4技术发展趋势 810
2.7立式氧化炉 810
2.7.1基本概念及工作原理 810
2.7.2主要技术性能 811
2.7.3产品应用范围 811
2.7.4技术发展趋势 811
2.8低压化学气相淀积系统 811
2.8.1基本概念及工作原理 811
2.8.2主要技术性能 812
2.8.3产品应用范围 812
2.8.4技术发展趋势 812
2.9等离子体