《氧化锌半导体材料掺杂技术与应用》PDF下载

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  • 作  者:叶志镇,吕建国,张银珠等著
  • 出 版 社:杭州:浙江大学出版社
  • 出版年份:2009
  • ISBN:9787308066242
  • 页数:190 页
图书介绍:ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有许多优异的性能。但由于ZnO存在诸多的本征施主缺陷(如空位氧Vo和间隙锌Zni),对受主产生高度自补偿作用,天然为n型半导体,难以实现p型转变。ZnO薄膜p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术,也一直是ZnO研究中的主要课题,目前已取得重大进展,本书对此进行了详细阐述。

第1章ZnO概述 3

1.1引言 3

1.2 ZnO的基本性质 4

1.3 ZnO的能带结构 6

1.4 ZnO的形态及制备技术 9

ZnO体单晶 9

ZnO薄膜 11

ZnO纳米结构 15

1.5 ZnO的发光特性 16

1.6 ZnO的缺陷与掺杂 18

1.7 ZnO的应用 19

参考文献 21

第2章ZnO中的缺陷和非故意掺杂 31

2.1 ZnO薄膜中的层错、位错和晶界 31

ZnO薄膜的原生层错和扩展位错 31

ZnO薄膜中退火诱生层错 34

退火诱生缺陷的显微结构与形成机理 36

ZnO中的晶界 38

2.2 ZnO中的本征点缺陷 44

2.3 ZnO中绿色发光起源 47

2.4 ZnO中的氢杂质 48

氢在ZnO中作为施主 49

氢对ZnO p型掺杂的影响 49

参考文献 50

第3章ZnO透明导电薄膜 55

3.1 Ⅲ族元素掺杂 55

B元素掺杂 56

A1元素掺杂 56

Ga元素掺杂 63

In元素掺杂 65

ⅢB族元素掺杂 66

3.2其他族元素掺杂 66

Ⅳ族元素掺杂 66

Ⅴ族元素掺杂 67

Ⅵ族元素掺杂 68

Ⅶ族元素掺杂 68

La系元素掺杂 69

3.3 ZnO透明导电薄膜的应用 69

参考文献 71

第4章ZnO的p型掺杂 77

4.1本征p型ZnO 77

4.2 I族元素掺杂p型ZnO 80

IA族元素掺杂 81

IB族元素掺杂 86

4.3 V族元素掺杂p型ZnO 88

N元素掺杂 89

P元素掺杂 94

As元素掺杂 96

Sb元素掺杂 97

4.4 H辅助掺杂技术 99

4.5施主—受主共掺杂p型ZnO 104

A1-N共掺杂技术 106

Ga-N共掺杂技术 112

In-N共掺杂技术 113

其他共掺杂技术 116

4.6双受主共掺杂技术 116

参考文献 120

第5章ZnO基合金半导体 129

5.1能带调节工程 129

5.2 ZnMgO合金半导体 131

ZnMgO的晶体结构 131

ZnMgO薄膜研究现状 132

ZnO/ZnMgO异质结、超晶格与多量子阱 135

ZnMgO薄膜的p型掺杂 137

ZnMgO薄膜的n型掺杂 140

5.3 ZnCdO合金半导体 142

ZnCdO合金晶体结构 143

ZnCdO薄膜研究现状 143

参考文献 146

第6章ZnO稀磁半导体 153

6.1 ZnO稀磁半导体磁性来源及机理 153

6.2 ZnO稀磁半导体的掺杂体系 155

Mn掺杂ZnO基DMS 155

Co掺杂ZnO基DMS 156

6.3 ZnO稀磁半导体的应用 159

参考文献 161

第7章ZnO半导体器件 165

7.1 ZnO发光二极管 165

MIS结构LED 165

ZnO异质结LED 166

ZnO同质结LED 167

ZnO基PIN结LED 171

ZnO多量子阱LED 173

ZnO激光器 174

7.2 ZnO紫外光电探测器 175

ZnO光电导紫外探测器 175

ZnO光伏型紫外探测器 178

7.3 ZnO薄膜晶体管 181

7.4 ZnO的其他应用 184

ZnO压电器件 184

ZnO气敏元件 185

ZnO压敏器件 186

参考文献 187