第1章 集成电路制造概述 1
1.1 半导体工业发展概述 1
1.2 半导体材料基础 4
1.3 半导体生产污染控制 11
1.4 纯水的制备 15
第2章 多晶半导体的制备 20
2.1 工业硅的生产 20
2.2 三氯氢硅还原制备高纯硅 21
2.3 硅烷热分解法制备高纯硅 26
第3章 单晶半导体的制备 30
3.1 单晶硅的基本知识 30
3.2 直拉法制备单晶硅的设备及材料 35
3.3 直拉单晶硅的工艺流程 43
3.4 拉单晶过程中的异常情况及晶棒检测 48
3.5 悬浮区熔法制备单晶硅 57
3.6 化合物半导体单晶的制备 59
第4章 晶圆制备 64
4.1 晶圆制备工艺 64
4.2 晶圆的清洗、质量检测及包装 72
第5章 薄膜制备 77
5.1 氧化法制备二氧化硅膜 77
5.2 化学气相沉积法制备薄膜 83
5.3 物理气相沉积法制备薄膜 88
5.4 金属化及平坦化 90
第6章 金属有机物化学气相沉积 96
6.1 金属有机物化学气相沉积概述 96
6.2 金属有机物化学气相沉积设备 100
6.3 金属有机物化学气相沉积工艺控制和半导体薄膜的生长 107
6.4 金属有机物化学气相沉积生长的半导体薄膜质量检测 109
第7章 光刻 113
7.1 光刻概述 113
7.2 光刻工艺 120
第8章 刻蚀 135
8.1 刻蚀技术概述 135
8.2 干法刻蚀 141
8.3 等离子体刻蚀 144
8.4 反应离子刻蚀与离子束溅射刻蚀 151
8.5 湿法刻蚀 154
第9章 掺杂 159
9.1 热扩散 159
9.2 离子注入技术 165
参考文献 172