第1章 硅原料 1
1.1 概论 1
1.1.1 主要技术路线 1
1.1.2 杂质 2
1.2 冶金级硅 2
1.3 西门子法 3
1.4 冶金法 4
1.4.1 氧化去除硼 4
1.4.1.1 铸桶提纯熔渣 7
1.4.1.2 熔渣特性 9
1.4.2 与水蒸气反应去除硼 9
1.4.3 真空处理去除磷 9
1.4.4 凝固提纯 11
1.4.5 溶剂提纯 13
1.4.6 浸出去除杂质 15
1.4.7 电解/电化学纯化 15
1.4.8 沉淀去除夹杂 16
1.4.9 过滤去除夹杂 17
参考文献 17
第2章 切克劳斯基法 19
2.1 概论 19
2.2 热场设计 20
2.2.1 功率和生长速率 21
2.2.2 界面形状和热应力 22
2.2.3 氩气消耗和石墨降解 23
2.2.4 产额提升 24
2.3 连续加料 25
2.3.1 数次加料 25
2.3.2 镀膜坩埚 26
2.3.3 大尺寸和连续生长 27
2.4 改善晶体质量 27
2.5 小结 28
参考文献 29
第3章 区熔法 30
3.1 概论 30
3.2 原料棒 35
3.2.1 西门子法和硅烷法 35
3.2.2 切克劳斯基法 35
3.2.3 颗粒状原料 35
3.3 区熔法的掺杂 35
3.4 技术限制 36
3.5 二次区熔法 36
3.6 区熔法的潜力 37
3.7 小结 38
参考文献 38
第4章 定向凝固法 39
4.1 概论 39
4.2 控制结晶过程 39
4.3 晶体中的杂质 42
4.4 凝固的三维效应 46
4.5 小结 48
参考文献 48
第5章 枝晶铸造法 50
5.1 概论 50
5.2 小平面枝晶 51
5.3 平行孪晶 52
5.4 枝晶生长理论模型 55
参考文献 58
第6章 亚晶界 60
6.1 概论 60
6.2 亚晶界的结构分析 61
6.3 亚晶界的电学特性 63
6.4 亚晶界的产生机理 65
6.5 小结 67
参考文献 68
第7章 带硅生长 69
7.1 概论 69
7.2 带硅技术的各种类型 70
7.2.1 第1类带硅 71
7.2.1.1 边缘限制薄膜生长 71
7.2.1.2 线带 72
7.2.2 第Ⅱ类带硅 73
7.2.2.1 衬底带硅生长 74
7.2.3 技术比较 75
7.3 材料特性和太阳能电池工艺 75
7.3.1 耐火材料 76
7.3.2 带硅材料特性 76
7.3.2.1 边缘限制薄膜生长和线带 77
7.3.2.2 衬底带硅生长 78
7.3.3 带硅太阳能电池 78
7.3.3.1 带硅的氢化 79
7.3.3.2 太阳能电池工艺 80
7.4 小结 81
参考文献 82
第8章 球形硅 86
8.1 概论 86
8.2 过冷熔体的晶体生长 88
8.3 枝晶的分裂 89
8.4 一步滴管法 92
8.5 小结 95
参考文献 95
第9章 液相外延法 97
9.1 概论 97
9.2 生长动力学 98
9.3 溶剂和衬底的优化 100
9.3.1 溶剂的选择 100
9.3.2 衬底表面的自生氧化物 101
9.4 实验结果 102
9.4.1 外延层厚度和生长速率 102
9.4.2 外延层的掺杂和电学特性 103
9.5 多晶硅衬底上的生长 105
9.5.1 太阳能电池特性 107
9.6 低温液相外延法 107
9.7 异质衬底液相外延法 108
9.8 外延横向过度生长 110
9.9 高生产速率液相外延法 111
9.10 小结 112
参考文献 112
第10章 气相外延法 116
10.1 概论 116
10.2 理论分析 117
10.2.1 流体力学 118
10.2.2 生长动力学 118
10.2.2.1 气体中气流和衬底上气流 119
10.2.2.2 生长速率 119
10.2.2.3 边界层模型 120
10.3 实验方法 121
10.3.1 SiH2Cl2/H2系统 121
10.3.2 外延层的掺杂 122
10.3.2.1 掺杂水平 122
10.3.2.2 掺杂分布 123
10.4 外延生长设备 124
10.5 小结 126
参考文献 126
第11章 闪光灯退火 128
11.1 概论 128
11.2 实验设备 128
11.3 热扩散长度 129
11.4 相变 130
11.5 辐照度控制 131
11.6 制备太阳能电池 132
11.7 多晶硅薄膜的微结构 133
11.8 小结 137
参考文献 137
第12章 铝诱导层交换 139
12.1 概论 139
12.2 总体技术 140
12.3 动力学分析 143
12.4 结构特性和电学特性 145
12.5 渗透膜的影响 148
12.6 理论模型 149
12.7 光伏应用 153
12.8 小结 154
参考文献 155
第13章 热化学数据库和动力学数据库 159
13.1 概论 159
13.2 热化学数据库 160
13.2.1 热力学描述 160
13.2.1.1 元素和化学计量化合物 160
13.2.1.2 溶液 161
13.2.1.3 溶解度 162
13.2.1.4 平衡分配系数 162
13.2.1.5 退缩性溶解度 162
13.2.2 典型实例 163
13.3 动力学数据库 166
13.3.1 杂质扩散率 166
13.3.2 典型实例 167
13.4 应用热化学数据库和动力学数据库 169
13.4.1 溶解度和分配系数 169
13.4.2 表面张力 170
13.4.3 多晶硅中杂质的晶界偏析 172
13.4.4 确定洁净区宽度 174
13.5 小结 174
参考文献 175
英汉索引 180
汉英索引 229