第1章 二氧化硅材料基本特性 1
1.1 二氧化硅体材料基本特性 3
1.1.1 光学特性 5
1.1.2 热力学及其他特性 8
1.1.3 微结构和分子结构特性 9
1.2 二氧化硅薄膜材料基本特性 12
1.2.1 薄膜材料光学特性 14
1.2.2 薄膜材料力学与热力学特性 23
1.2.3 薄膜微结构和分子结构特性 26
1.2.4 薄膜材料其他特性 28
第2章 二氧化硅薄膜材料制备技术 31
2.1 二氧化硅薄膜材料沉积技术 31
2.1.1 真空基础 33
2.1.2 热蒸发沉积技术 35
2.1.3 离子束溅射沉积技术 41
2.1.4 磁控溅射沉积技术 42
2.1.5 热氧化技术 44
2.2 基片特性及二氧化硅薄膜沉积参数 44
2.2.1 基片特性 44
2.2.2 二氧化硅沉积参数 45
2.3 二氧化硅薄膜后处理技术 47
2.3.1 热退火后处理 48
2.3.2 热等静压后处理 49
第3章 二氧化硅薄膜材料光学特性 51
3.1 薄膜材料光学常数的测试与分析 51
3.1.1 光学薄膜计算分析 52
3.1.2 透反射光谱法 56
3.1.3 椭圆偏振光谱反演法 65
3.1.4 本书光谱和椭圆偏振参数的获得 71
3.2 弱吸收和极薄层的测试和分析 72
3.2.1 弱吸收的测试和分析 72
3.2.2 极薄层光学常数测试与分析 77
3.3 二氧化硅薄膜折射率特性 79
3.3.1 IBS SiO2薄膜的折射率特性 80
3.3.2 IBS SiO2薄膜折射率计算的对比 82
3.3.3 IBS SiO2薄膜折射率的离散性 85
3.3.4 不同制备技术的SiO2薄膜折射率差异 86
3.3.5 全光谱的SiO2薄膜折射率比较 88
3.4 二氧化硅薄膜吸收特性 89
3.4.1 薄膜材料吸收的分类研究方法 89
3.4.2 薄膜材料可见光弱吸收特性 90
3.4.3 紫外区吸收和短波截止特性 93
3.4.4 OH根吸收和激光损伤特性 95
第4章 二氧化硅薄膜的后处理效应和时效 98
4.1 热退火处理效应 98
4.1.1 折射率和厚度的演变规律 98
4.1.2 可见弱吸收特性的演变规律 105
4.1.3 紫外区吸收和短波截止特性 107
4.1.4 OH根吸收和激光损伤特性 109
4.2 热等静压处理效应 113
4.3 薄膜的时效特性 114
4.3.1 IBS SiO2薄膜的时效特性 115
4.3.2 不同沉积技术和参数的SiO2薄膜时效 118
第5章 二氧化硅薄膜材料力学和热力学特性 122
5.1 力学特性测试技术 122
5.1.1 力学特性 122
5.1.2 应力测试技术 126
5.1.3 显微硬度测试技术 129
5.2 二氧化硅薄膜应力特性 130
5.2.1 应力特性 130
5.2.2 二氧化硅薄膜应力时效特性 136
5.2.3 应力与光学特性的关联性 137
5.3 二氧化硅薄膜热力学特性 138
第6章 二氧化硅薄膜材料短程有序微结构特性 142
6.1 短程微结构和微结构分析技术 142
6.1.1 短程微结构的振动特性 142
6.1.2 红外光谱分析法 145
6.1.3 介电常数分析法 149
6.2 不同制备方法的二氧化硅薄膜短程微结构 155
6.2.1 SiO2薄膜的介电常数 155
6.2.2 SiO2薄膜的含羟基缺陷 158
6.2.3 SiO2薄膜的微结构特性 159
6.3 二氧化硅薄膜短程微结构热处理效应 162
6.3.1 介电常数热处理效应 162
6.3.2 微结构低频振动特性 163
6.3.3 羟基结构振动特性 164
6.3.4 非对称伸缩振动特性 165
第7章 二氧化硅光学薄膜材料的应用 168
7.1 高折射率材料的基本特性 168
7.1.1 Ta2O5薄膜特性 168
7.1.2 HfO2薄膜特性 170
7.2 低损耗光学薄膜 173
7.2.1 高反膜 173
7.2.2 减反射膜 178
7.2.3 激光陀螺放电等离子体特性 184
7.2.4 等离子体对多层膜特性的影响 187
7.3 滤光膜技术 189
7.3.1 窄带滤光片 190
7.3.2 截止滤光片 197
参考文献 202