绪论半导体和集成电路 1
历史 1
集成电路（IC） 1
制造 2
参考文献 4
第一部分 半导体材料属性 6
第1章 固体晶格结构 6
1.0概述 6
1.1 半导体材料 6
1.2 固体类型 7
1.3 空间晶格 7
1.4 金刚石结构 12
1.5 原子价键 13
1.6 固体中的缺陷和杂质 15
1.7 半导体材料的生长 16
1.8 小结 18
重要术语解释 18
知识点 19
复习题 19
习题 19
参考文献 21
第2章 量子力学初步 22
2.0概述 22
2.1 量子力学的基本原理 22
2.2 薛定谔波动方程 26
2.3 薛定谔波动方程的应用 29
2.4 原子波动理论的延伸 37
2.5 小结 40
重要术语解释 40
知识点 41
复习题 41
习题 41
参考文献 44
第3章 固体量子理论初步 45
3.0概述 45
3.1 允带与禁带 45
3.2 固体中电的传导 54
3.3 三维扩展 61
3.4 状态密度函数 63
3.5 统计力学 66
3.6 小结 72
重要术语解释 72
知识点 73
复习题 73
习题 73
参考文献 76
第4章 平衡半导体 78
4.0概述 78
4.1 半导体中的载流子 78
4.2 掺杂原子与能级 86
4.3 非本征半导体 89
4.4 施主和受主的统计学分布 94
4.5 电中性状态 98
4.6 费米能级的位置 102
4.7 小结 107
重要术语解释 107
知识点 108
复习题 108
习题 108
参考文献 112
第5章 载流子输运现象 113
5.0概述 113
5.1 载流子的漂移运动 113
5.2 载流子扩散 124
5.3 杂质梯度分布 127
5.4 霍尔效应 129
5.5 小结 131
重要术语解释 132
知识点 132
复习题 132
习题 133
参考文献 137
第6章 半导体中的非平衡过剩载流子 139
6.0概述 139
6.1 载流子的产生与复合 139
6.2 过剩载流子的性质 143
6.3 双极输运 145
6.4 准费米能级 157
6.5 过剩载流子的寿命 158
6.6 表面效应 162
6.7 小结 165
重要术语解释 165
知识点 166
复习题 166
习题 166
参考文献 171
第二部分 半导体器件基础 174
第7章 pn结 174
7.0概述 174
7.1 pn结的基本结构 174
7.2 零偏 175
7.3 反偏 180
7.4 结击穿 186
7.5 非均匀掺杂pn结 189
7.6 小结 192
重要术语解释 193
知识点 193
复习题 194
习题 194
参考文献 198
第8章 pn结二极管 199
8.0概述 199
8.1 pn结电流 199
8.2 产生-复合电流和大注入 212
8.3 pn结的小信号模型 219
8.4 电荷存储与二极管瞬态 226
8.5 隧道二极管 228
8.6 小结 230
重要术语解释 231
知识点 231
复习题 231
习题 232
参考文献 236
第9章 金属半导体和半导体异质结 238
9.0概述 238
9.1 肖特基势垒二极管 238
9.2 金属-半导体的欧姆接触 250
9.3 异质结 253
9.4 小结 260
重要术语解释 261
知识点 261
复习题 261
习题 262
参考文献 265
第10章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础 266
10.0概述 266
10.1 双端MOS结构 266
10.2 电容-电压特性 280
10.3 MOSFET基本工作原理 287
10.4 频率限制特性 300
10.5 CMOS技术 303
10.6 小结 305
重要术语解释 305
知识点 306
复习题 306
习题 307
参考文献 313
第11章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管：概念的深入 314
11.0概述 314
11.1 非理想效应 314
11.2 MOSFET按比例缩小理论 321
11.3 阈值电压的修正 323
11.4 附加电学特性 328
11.5 辐射和热电子效应 334
11.6 小结 338
重要术语解释 339
知识点 339
复习题 340
习题 340
参考文献 344
第12章 双极晶体管 346
12.0概述 346
12.1 双极晶体管的工作原理 346
12.2 少子的分布 352
12.3 低频共基极电流增益 358
12.4 非理想效应 367
12.5 等效电路模型 377
12.6 频率上限 382
12.7 大信号开关 386
12.8 其他的双极晶体管结构 388
12.9 小结 391
重要术语解释 392
知识点 393
复习题 393
习题 393
参考文献 399
第13章 结型场效应晶体管 401
13.0概述 401
13.1 JFET概念 401
13.2 器件的特性 405
13.3 非理想因素 416
13.4 等效电路和频率限制 418
13.5 高电子迁移率晶体管 421
13.6 小结 426
重要术语解释 427
知识点 427
复习题 427
习题 428
参考文献 431
第三部分 专用半导体器件 434
第14章 光器件 434
14.0概述 434
14.1 光学吸收 434
14.2 太阳能电池 437
14.3 光电探测器 443
14.4 光致发光和电致发光 451
14.5 发光二极管 454
14.6 激光二极管 458
14.7 小结 463
重要术语解释 464
知识点 464
复习题 465
习题 465
参考文献 468
第15章 半导体微波器件与功率器件 469
15.0概述 469
15.1 隧道二极管 469
15.2 耿氏二极管 470
15.3 雪崩二极管 472
15.4 功率双极晶体管 473
15.5 功率MOSFET 478
15.6 半导体闸流管 483
15.7 小结 491
重要术语解释 491
知识点 492
复习题 492
习题 493
参考文献 494
附录A 部分参数符号列表 496
附录B 单位制、单位换算和通用常数 502
附录C 元素周期表 505
附录D 能量单位——电子伏特 506
附录E 薛定谔波动方程的推导 508
附录F 有效质量概念 509
附录G 误差函数 513
附录H 部分习题参考答案 514
索引 521