第1章 集成电路技术与产业发展 1
1.1 集成电路的发明与技术进步 3
1.1.1 集成电路与集成电路产业 3
1.1.2 集成电路发明前的技术准备 4
1.1.3 电子管、晶体管的发明与应用 6
1.1.4 集成电路的发明 9
1.1.5 集成电路产业中信息获取、存储与处理的里程碑 11
1.1.6 集成电路材料发展的里程碑 13
1.1.7 集成电路制造发展的里程碑 14
1.1.8 从工业时代到信息时代 17
1.1.9 信息的市场需求与技术推动 19
1.2 集成电路产业的特点与战略意义 22
1.2.1 集成电路的战略性与市场性 22
1.2.2 集成电路与国家安全 23
1.2.3 集成电路与绿色经济 25
1.2.4 集成电路与社会生活和社会文化 27
1.2.5 价值流向知识聚集的地方 29
1.3 集成电路产业的发展规律 30
1.3.1 摩尔定律和贝尔定律 30
1.3.2 金帆定律、吉尔德定律和梅特卡夫定律 33
1.3.3 微电子技术与产业的发展规律 35
1.3.4 摩尔定律的终结与软件的创新 39
1.4 世界集成电路产业的发展 42
1.4.1 世界GDP与人均GDP 42
1.4.2 集成电路产业链 46
1.4.3 圆片代工 48
1.4.4 集成电路产业结构的变迁 51
1.4.5 世界半导体企业销售额排名前10位的变化（1985—2015年） 53
1.4.6 全球半导体市场规模、区域分布及产品结构（1985—2016年） 55
1.4.7 世界半导体理事会 58
1.4.8 国际半导体设备与材料协会 60
1.4.9 全球半导体联盟 61
1.4.10 国际半导体技术路线图 62
1.4.11 世界主要集成电路研发机构 64
1.4.12 半导体市场分析 65
1.4.13 世界半导体贸易统计公司 67
1.4.14 全球主要集成电路市场研究公司 68
1.4.15 后摩尔时代集成电路科学技术展望 70
1.4.16 美国集成电路产业发展 73
1.4.17 欧洲集成电路产业发展 74
1.4.18 日本集成电路产业发展 75
1.4.19 韩国集成电路产业发展 76
1.4.20 中国台湾地区集成电路产业发展 78
1.5 中国集成电路产业的发展 79
1.5.1 中国GDP与人均GDP 79
1.5.2 避免中等收入陷阱和修昔底德陷阱 81
1.5.3 巴黎统筹委员会与瓦森纳协定 83
1.5.4 中国集成电路产业的发展（1965—1999年） 84
1.5.5 中国集成电路产业的发展与展望（2000—2030年） 86
1.5.6 1956—1967年科学技术发展远景规划纲要 88
1.5.7 国家高技术研究发展计划（863计划） 89
1.5.8 国家重点基础研究发展计划（973计划） 91
1.5.9 厦门集成电路战略研讨会 93
1.5.10 四项优惠政策与电子工业发展基金 94
1.5.11 电子计算机和大规模集成电路领导小组 95
1.5.12 “六五”“七五”“八五”科技攻关 96
1.5.13 国家科技重大专项 98
1.5.14 深化科技体制改革实施方案 100
1.5.15 无锡微电子工程 101
1.5.16 “908”工程 102
1.5.17 “909”工程 104
1.5.18 中芯国际集成电路制造有限公司 106
1.5.19 第二代居民身份证与金融IC卡 107
1.5.20 国发〔2000〕 18号文 109
1.5.21 国发〔2011〕 4号文 110
1.5.22 国家集成电路产业发展推进纲要 112
1.5.23 从“六五”计划到“推进纲要” 113
1.5.24 国家集成电路产业投资基金 115
1.5.25 中国集成电路产业销售额（2000—2016年） 116
1.5.26 中国集成电路设计业的发展（2000—2016年） 118
1.5.27 中国集成电路制造业的发展（2000—2016年） 119
1.5.28 中国集成电路封装测试业的发展（2000—2016年） 121
1.5.29 中国集成电路设备业的发展（2000—2016年） 122
1.5.30 中国集成电路材料业的发展（2000—2016） 124
1.5.31 中国集成电路设计业重点企业 125
1.5.32 中国集成电路制造业重点企业 127
1.5.33 中国集成电路封装测试业重点企业 128
1.5.34 中国集成电路专用设备重点企业 130
1.5.35 中国集成电路专用材料重点企业 132
1.5.36 中国集成电路市场规模与产品结构（2000—2016年） 134
1.5.37 中国集成电路进出口规模（2000—2016年） 136
1.5.38 中国的集成电路产业联盟 137
1.5.39 中国半导体行业协会 139
1.5.40 国家工业信息安全发展研究中心 140
1.5.41 中国电子技术标准化研究院 141
1.5.42 中国电子产品可靠性与环境试验研究所 143
1.5.43 中国电子信息产业发展研究院 144
1.5.44 中国电子科技集团公司集成电路研发机构 145
1.5.45 中国电子信息产业集团有限公司集成电路研发机构 147
1.5.46 中国航天科技集团公司集成电路研发机构 149
1.5.47 中国科学院集成电路科研机构 150
1.5.48 高等学校集成电路教学科研机构 151
1.5.49 上海集成电路研发中心有限公司 152
1.6 集成电路中的信息安全 153
1.6.1 集成电路与信息安全 153
1.6.2 对集成电路中信息安全性的攻击种类 155
1.6.3 非侵入式攻击 156
1.6.4 侵入式攻击 158
1.6.5 半侵入式攻击 159
1.6.6 存储器的信息安全防护 160
1.6.7 CPU的信息安全防护 162
1.6.8 密码算法实现的SCA防护 164
1.6.9 密码算法实现的FIA防护 165
1.6.10 鲁棒性与信息安全1661.7集成电路知识产权 167
1.7.1 中国集成电路知识产权现状 167
1.7.2 硅知识产权核 168
1.7.3 集成电路IP核现状 169
1.7.4 工业和信息化部软件与集成电路促进中心 170
1.7.5 上海硅知识产权交易中心有限公司 172
1.7.6 硅知识产权交易、合作与共享及集成电路知识产权诉讼典型案例 173
1.8 国际竞争与合作 175
1.8.1 客户自有技术和代工厂自有技术 175
1.8.2 技术授权 176
1.8.3 半导体公司并购 178
1.8.4 圆片代工企业的未来趋势及商业模式 180
1.8.5 450mm圆片时代 181
1.9 集成电路企业管理 184
1.9.1 集成电路企业类型 184
1.9.2 集成电路企业组织结构 186
1.9.3 集成电路企业经营管理 188
1.9.4 集成电路企业生产管理 191
1.9.5 集成电路企业资产管理 192
1.9.6 集成电路企业信息管理 194
1.10 人才培养 196
1.10.1 近代科学教育的发展 196
1.10.2 国内大学微电子专业设置与学历教育情况 200
1.10.3 人才培养相关政策和示范性微电子学院 201
1.10.4 海外高层次人才引进计划 203
1.10.5 长江学者奖励计划 204
1.10.6 中国科学院百人计划 205
1.10.7 国家杰出青年科学基金 206
1.10.8 集成电路人才培训 207
1.10.9 关于营造企业家健康成长环境弘扬优秀企业家精神更好发挥企业家作用的意见 208
第2章 集成电路产品门类与应用 211
2.1 集成电路产品的发展与分类 213
2.1.1 集成电路产品发展概述 213
2.1.2 集成电路产品的分类 215
2.1.3 集成电路产品的功能与结构 217
2.2 按制造工艺划分的集成电路产品门类 218
2.2.1 集成电路制造工艺与产品 218
2.2.2 双极型集成电路 219
2.2.3 平面CMOS集成电路 221
2.2.4 双扩散金属氧化物集成电路 222
2.2.5 双极互补金属氧化物集成电路 224
2.2.6 双极-互补-双扩散金属氧化物集成电路 226
2.2.7 鳍式场效应晶体管集成电路 227
2.2.8 绝缘体上硅集成电路 229
2.2.9 砷化镓器件 231
2.2.10 磷化铟器件 232
2.2.11 氮化镓器件 233
2.2.12 碳化硅器件 234
2.2.13 异质结双极晶体管 236
2.2.14 系统级封装集成电路 237
2.2.15 微／纳机电系统 238
2.2.16 其他先进工艺产品 240
2.3 数字集成电路产品 242
2.3.1 数字集成电路 242
2.3.2 静态随机存取存储器 243
2.3.3 动态随机存取存储器 245
2.3.4 双倍速率同步动态随机存取存储器 246
2.3.5 低功耗双倍速率同步动态随机存取存储器 248
2.3.6 图形双倍速率同步动态随机存取存储器 249
2.3.7 一次可编程和多次可编程存储器 251
2.3.8 闪速存储器 253
2.3.9 固态硬盘 255
2.3.10 嵌入式多媒体卡 256
2.3.11 嵌入式多芯片封装存储器 258
2.3.12 x86架构处理器 261
2.3.13 IA-64架构处理器 263
2.3.14 POWER系列架构处理器 265
2.3.15 MIPS架构处理器 267
2.3.16 ARM架构处理器 269
2.3.17 UltraSPARC架构处理器 270
2.3.18 C-SKY架构处理器 272
2.3.19 图形处理器 273
2.3.20 微控制器 276
2.3.21 数字信号处理器 278
2.3.22 现场可编程门阵列 279
2.3.23 专用集成电路 281
2.3.24 网络处理器 283
2.3.25 安全加密处理器 285
2.3.26 高级处理器 286
2.4 模拟与模数混合集成电路产品 289
2.4.1 模拟集成电路产品 289
2.4.2 模／数转换器 291
2.4.3 数／模转换器 293
2.4.4 比较器 294
2.4.5 运算放大器 295
2.4.6 仪表放大器 296
2.4.7 专用放大器 297
2.4.8 电源管理集成电路 298
2.4.9 交流／直流转换器 299
2.4.10 直流／直流转换器 301
2.4.11 开关电源控制器 301
2.4.12 低压差线性稳压器 303
2.4.13 发光二极管驱动器 305
2.4.14 液晶显示器驱动器 306
2.4.15 电动机控制器 308
2.4.16 串行／解串器 308
2.4.17 串行通信与通用串行总线接口 310
2.4.18 以太网接口集成电路 313
2.4.19 标清与高清视频传输接口 314
2.4.20 高清多媒体接口集成电路 315
2.4.21 高技术配置接口 317
2.4.22 DDR SDRAM接口 318
2.4.23 接口转换集成电路 321
2.4.24 控制器局域网总线 322
2.4.25 内部集成电路总线 323
2.4.26 高频调谐器 324
2.4.27 数字视频广播调制解调 325
2.4.28 蜂窝移动通信集成电路 327
2.4.29 音频编解码器 329
2.4.30 视频编解码器 330
2.4.31 电力线通信 330
2.4.32 数字用户线路 332
2.4.33 无源光纤网络和电缆调制解调器 332
2.5 射频集成电路产品 334
2.5.1 射频领域集成电路产品 334
2.5.2 射频功率放大器 335
2.5.3 低噪声放大器 337
2.5.4 混频器 338
2.5.5 振荡器 340
2.5.6 双工器 341
2.5.7 滤波器 343
2.5.8 微波器件 344
2.5.9 毫米波器件 346
2.5.10 太赫兹器件 347
2.5.11 收音机芯片 349
2.5.12 导航芯片 350
2.5.13 无线网络产品 351
2.5.14 蓝牙产品 352
2.5.15 紫蜂产品 353
2.5.16 射频识别产品 354
2.6 功率器件产品 355
2.6.1 功率器件 355
2.6.2 功率二极管 357
2.6.3 快恢复二极管 359
2.6.4 晶闸管 361
2.6.5 功率双极晶体管 364
2.6.6 功率金属氧化物场效应管 366
2.6.7 绝缘栅双极晶体管 369
2.6.8 宽带隙半导体器件 373
2.6.9 超级结型晶闸管 374
2.6.10 栅极关断晶闸管 376
2.6.11 集成栅极换流晶闸管 378
2.6.12 发射极关断晶闸管 379
2.6.13 MOS关断晶闸管 380
2.7 光电器件产品 382
2.7.1 光电器件 382
2.7.2 光电二极管 383
2.7.3 雪崩光电二极管 385
2.7.4 发光二极管 387
2.7.5 有机发光二极管 388
2.7.6 有源矩阵有机发光二极管 390
2.7.7 微型发光二极管 392
2.7.8 量子点发光二极管 393
2.7.9 薄膜晶体管 395
2.7.10 激光二极管 397
2.7.11 光电倍增管 398
2.7.12 红外器件 399
2.7.13 光通信器件 401
2.8 传感器与微机电系统传感产品 402
2.8.1 传感器与微机电系统器件 402
2.8.2 电阻式传感器 404
2.8.3 电容式传感器 405
2.8.4 电感式传感器 407
2.8.5 压电传感器 408
2.8.6 温度传感器 409
2.8.7 霍尔传感器 410
2.8.8 压力传感器 411
2.8.9 微机电系统惯性器件 413
2.8.10 射频微机电开关 414
2.8.11 微流控芯片 415
2.8.12 MEMS磁强计 417
2.8.13 红外传感器 419
2.8.14 电荷耦合器件 420
2.8.15 CMOS图像传感器 421
2.8.16 指纹识别芯片 423
2.8.17 触控芯片 424
2.8.18 生物微机电集成电路 425
2.9 集成电路产品在消费电子、计算机和通信等领域的主要应用 427
2.9.1 电子游戏机与电子玩具产品 427
2.9.2 家用电器 427
2.9.3 个人消费电子产品 428
2.9.4 智能卡 429
2.9.5 物联网应用 431
2.9.6 智慧家庭 432
2.9.7 智慧城市 433
2.9.8 个人计算机、工作站与外部设备 434
2.9.9 超级计算机 435
2.9.10 手机 437
2.9.11 数据中心 438
2.9.12 网络通信设备 440
2.9.13 无线通信核心网与接入网 441
2.9.14 通信领域的融合 442
2.10 集成电路产品在汽车电子与工业、医疗等领域的主要应用 444
2.10.1 车载信息娱乐系统 444
2.10.2 车身控制模块 445
2.10.3 动力传动综合控制系统 446
2.10.4 汽车主动安全系统 447
2.10.5 新能源汽车 448
2.10.6 高级驾驶辅助系统 449
2.10.7 轨道交通 450
2.10.8 智能电网 451
2.10.9 新能源应用 452
2.10.10 医疗成像设备 453
2.10.11 经典医疗电子设备 455
2.10.12 医疗监护仪 457
2.10.13 医疗电子装置 458
2.10.14 植入式医疗电子装置 459
2.10.15 医疗机器人 460
2.11 集成电路产品在航空军事及新兴领域的主要应用 461
2.11.1 雷达 461
2.11.2 航空飞行控制 463
2.11.3 集成电路在人造卫星中的应用 465
2.11.4 军事通信 466
2.11.5 电子战用集成电路 468
2.11.6 导弹制导和控制系统 469
2.11.7 红外夜视 470
2.11.8 航空仪表 473
2.11.9 预警机 474
2.11.10 智能机器人环境认知传感器 475
2.11.11 机器人网络通信系统 476
2.11.12 智能制造系统 478
2.11.13 无人机系统 479
2.11.14 双目视觉系统 481
2.11.15 虚拟现实／增强现实／混合现实 482
2.11.16 人工智能系统 484
第3章 集成电路产业经济与投资 487
3.1 与集成电路产业相关的经济学和金融学理论 491
3.1.1 集成电路产业与宏观经济 491
3.1.2 集成电路产业的规模经济效应 494
3.1.3 摩尔定律的经济学理解 496
3.1.4 集成电路产业的供给侧结构性改革 497
3.1.5 集成电路产业的范围经济和产业集群 499
3.1.6 集成电路产业的蓝海和红海市场 501
3.1.7 集成电路产业的全球化和开放性市场 502
3.1.8 集成电路产业的全球价值链和微笑曲线 503
3.1.9 集成电路产业的贸易与关税 505
3.1.10 后发国家／地区的集成电路产业赶超策略 506
3.1.11 集成电路产业贸易保护的主要手段 507
3.1.12 不同所有制集成电路企业在投融资方面的区别 508
3.1.13 集成电路产品的生命周期 510
3.1.14 集成电路产业中的长尾效应和定制化产品 511
3.1.15 集成电路企业的权益估值模型 513
3.1.16 集成电路企业管理中的委托代理制度 516
3.1.17 集成电路企业的资本结构 517
3.2 集成电路产业的发展规律和发展指标 519
3.2.1 集成电路产业的发展趋势 519
3.2.2 存储器产业的特征 521
3.2.3 集成电路产业的战略和市场 523
3.2.4 政府政策与集成电路产业发展 524
3.2.5 集成电路产业的投资与成长 526
3.2.6 集成电路产业商业模式转变的技术经济原因， 526
3.2.7 全球半导体产业投资规模与市场规模的变化， 529
3.2.8 集成电路产业的资本支出和研发支出， 531
3.2.9 集成电路产业的进入壁垒 534
3.2.10 集成电路产业的区域演进 536
3.2.11 集成电路产业投资与产业生态建设 536
3.2.12 集成电路产业投资与技术进步的关系 538
3.2.13 优势企业在集成电路产业中发挥决定性作用 540
3.2.14 集成电路产品的成本结构分析 542
3.2.15 集成电路制造业优化生产规模 543
3.2.16 集成电路制造业的盈亏特点 545
3.2.17 集成电路代工企业的股权结构 546
3.2.18 集成电路产业的统计类景气度指标 547
3.2.19 集成电路产业的证券类景气度指标 548
3.3 企业财务经营实务与分析 549
3.3.1 三大财务报表与财务分析方法 549
3.3.2 资本支出 551
3.3.3 出货量 553
3.3.4 市场份额 555
3.3.5 产品结构 557
3.3.6 毛利率 559
3.3.7 折旧 561
3.3.8 税息折旧及摊销前利润 562
3.3.9 其他报表财务指标 565
3.3.10 市盈率 567
3.3.11 商誉 568
3.3.12 股权激励 570
3.4 集成电路产业的投资与融资 571
3.4.1 风险投资基金／私募股权基金 571
3.4.2 中国概念股 574
3.4.3 集成电路企业的主要融资渠道 575
3.4.4 集成电路制造业的资金来源 577
3.4.5 产业基金的投资方式 578
3.4.6 国家集成电路产业投资基金股份有限公司和华芯投资管理有限责任公司 579
3.4.7 中国主要省级集成电路政府投资基金（北京） 582
3.4.8 中国主要省级集成电路政府投资基金（上海） 583
3.4.9 中国主要省级集成电路政府投资基金（其他） 584
3.4.10 国际集成电路相关政府投资基金 585
3.4.11 国际集成电路研发投资项目 587
3.4.12 中国主要民间集成电路投融资机构 588
3.4.13 集成电路产业的重组与并购 590
3.4.14 IPO和私有化 592
3.4.15 集成电路企业的风险投资操作流程 595
3.4.16 A股上市的半导体企业 597
3.4.17 在香港联交所上市的中国集成电路企业 599
3.4.18 在纳斯达克交易所上市的中国集成电路企业 600
3.4.19 集成电路企业的尽职调查 601
3.4.20 集成电路企业的资产评估 603
第4章 集成电路生产线建设 607
4.1 集成电路生产线的发展历程 609
4.1.2 中国集成电路生产线发展情况 611
4.2 集成电路生产线的选址与环境影响评价 612
4.2.1 集成电路生产线的选址准则 613
4.2.2 环境空气影响评价 614
4.2.3 地表水环境评价 616
4.2.4 地下水环境评价 617
4.2.5 声环境评价 618
4.2.6 土壤环境评价 619
4.2.7 环境风险评价 620
4.2.8 环境影响评价因子 622
4.2.9 集成电路生产线的污染分析 623
4.2.10 集成电路生产线的污染物及处理 626
4.3 集成电路生产线设计 627
4.3.1 集成电路生产线的工艺设计 627
4.3.2 集成电路生产线的投资与分配 629
4.3.3 集成电路生产线的建筑与结构 630
4.3.4 绿色厂房设计 631
4.3.5 自动化物料搬运系统 632
4.3.6 给排水系统 633
4.3.7 消防系统 634
4.3.8 电力系统 636
4.3.9 超纯水系统 639
4.3.10 废水处理系统 640
4.3.11 厂务监控系统 642
4.3.12 二次配管系统 644
4.4 集成电路生产线厂房的洁净室与空调 645
4.4.1 洁净室系统 645
4.4.2 空调系统 647
4.4.3 工艺循环冷却水系统 648
4.4.4 工艺真空系统 649
4.4.5 工艺排气系统 650
4.5 集成电路生产线厂房的中央气体系统与化学品供应系统 652
4.5.1 大宗气体系统 652
4.5.2 特种气体系统 653
4.5.3 化学品供应系统 656
4.6 集成电路生产线厂房的建设与管理 658
4.6.1 项目组织与职责 658
4.6.2 项目规划与设计 659
4.6.3 项目招标投标流程 660
4.6.4 政府审批 661
4.6.5 施工管理 664
4.6.6 合同管理 665
4.6.7 进度控制 666
4.6.8 质量监督与保障 667
4.6.9 动力设施空间管理 668
4.6.10 施工安全管理 670
4.6.11 中央供应系统的测试 671
4.7 集成电路生产线的节能降耗 672
4.7.1 生产线能耗的种类 672
4.7.2 节能降耗的主要措施 674
4.8 集成电路生产线的危险化学品管理 675
4.8.1 采购 675
4.8.2 运输 676
4.8.3 储存 677
4.8.4 使用 678
4.8.5 处理 679
4.9 集成电路生产线建设的发展趋势 680
4.9.1 集成电路生产线建设的现状及发展方向 680
4.9.2 中国集成电路生产线发展的现状和机遇 682
第5章 集成电路设计 685
5.1 集成电路设计产业概况 687
5.1.1 全球集成电路设计业概况 687
5.1.2 中国集成电路设计业概况 688
5.1.3 集成电路设计对整机系统的支撑作用 689
5.1.4 集成电路设计与制造的协同发展 691
5.2 集成电路设计技术基础 692
5.2.1 设计规格 692
5.2.2 设计流程 693
5.2.3 工艺设计包 695
5.2.4 客户自有技术 697
5.2.5 标准单元库 698
5.2.6 电路图 699
5.2.7 输入／输出 701
5.2.8 时钟 702
5.2.9 漏电流 704
5.2.10 功耗 705
5.2.11 设计仿真 706
5.2.12 功能验证 708
5.2.13 布局布线 709
5.2.14 物理验证 710
5.2.15 版图 711
5.2.16 版图交付 712
5.2.17 静电放电防护设计 713
5.3 数字集成电路设计 715
5.3.1 数字集成电路 715
5.3.2 硬件描述语言 717
5.3.3 电路划分 718
5.3.4 布局规划 720
5.3.5 高层次综合 721
5.3.6 逻辑综合 722
5.3.7 时序分析 724
5.3.8 形式验证 725
5.3.9 可测性设计 726
5.3.10 硬件仿真 728
5.4 模拟集成电路设计 729
5.4.1 模拟集成电路 729
5.4.2 运算放大器设计 731
5.4.3 带隙基准源设计 732
5.4.4 滤波器设计 733
5.4.5 模／数转换原理 735
5.4.6 模／数转换器特性参数 736
5.4.7 模／数转换器设计 737
5.4.8 数／模转换器特性参数 739
5.4.9 数／模转换器设计 740
5.5 射频集成电路设计 742
5.5.1 射频集成电路 742
5.5.2 微波毫米波集成电路 744
5.5.3 软件定义无线电 745
5.5.4 射频收发器设计 746
5.5.5 低噪声放大器设计 748
5.5.6 混频器设计 749
5.5.7 频率合成器设计 750
5.5.8 射频功率放大器设计 751
5.5.9 射频开关设计 752
5.5.10 数字射频集成电路设计 754
5.6 功率集成电路设计 756
5.6.1 功率器件与BCD工艺 756
5.6.2 智能功率集成电路 757
5.6.3 电源管理集成电路 759
5.6.4 能量采集与变换控制 761
5.6.5 交流／直流转换器与驱动电路 764
5.6.6 直流／直流转换器与驱动电路 766
5.7 处理器设计 768
5.7.1 处理器 768
5.7.2 指令集架构 770
5.7.3 数据通路 772
5.7.4 控制逻辑 774
5.7.5 协处理器 775
5.7.6 数据处理流水线 776
5.7.7 多发射 777
5.7.8 单指令多数据 778
5.7.9 多线程 779
5.7.10 多核 781
5.7.11 众核 782
5.7.12 存储架构 783
5.7.13 数字信号处理器 785
5.7.14 图形处理器 786
5.8 存储器设计 787
5.8.1 存储器 787
5.8.2 存储单元和外围电路 789
5.8.3 存储器控制器 791
5.8.4 静态随机存取存储器 793
5.8.5 动态随机存取存储器 795
5.8.6 闪速存储器 797
5.8.7 三维与非闪速存储器 800
5.8.8 铁电存储器 802
5.8.9 自旋磁转矩存储器 804
5.8.10 阻变存储器 806
5.8.11 相变存储器 807
5.9 系统芯片设计 809
5.9.1 系统芯片 809
5.9.2 IP核 810
5.9.3 嵌入式处理器 812
5.9.4 系统总线 813
5.9.5 外设IP核 814
5.9.6 中断控制器 815
5.9.7 驱动程序 816
5.9.8 软硬件协同设计 818
5.9.9 安全增强设计 819
5.9.10 人工智能芯片设计 821
5.10 可编程逻辑电路设计 823
5.10.1 可编程逻辑 823
5.10.2 现场可编程门阵列 824
5.10.3 电可编程逻辑器件 825
5.10.4 可编程系统芯片 826
5.10.5 可重构计算芯片 826
5.11 设计自动化工具 829
5.11.1 集成电路设计自动化 829
5.11.2 流程管理工具 831
5.11.3 系统仿真工具 832
5.11.4 电路图录入工具 833
5.11.5 仿真工具 834
5.11.6 逻辑综合工具 838
5.11.7 形式验证工具 839
5.11.8 可测性设计工具 841
5.11.9 物理设计工具 842
5.11.10 寄生参数提取工具 845
5.11.11 版图验证工具 847
5.11.12 时序与功耗分析工具 851
5.11.13 可制造性设计 853
5.11.14 成品率设计 855
5.11.15 可靠性设计 856
第6章 集成电路制造与企业管理 859
6.1 集成电路制造技术的演进 861
6.1.1 摩尔定律和工艺微缩 861
6.1.2 后摩尔定律时代的工艺 862
6.1.3 技术路线图 864
6.1.4 前段、中段、后段工艺 865
6.2 集成电路中的硅基器件 867
6.2.1 双极晶体管 867
6.2.2 MOS场效应晶体管 868
6.2.3 鳍式场效应晶体管 869
6.2.4 全耗尽型SOI 871
6.2.5 超级结 872
6.2.6 横向扩散MOSFET 874
6.2.7 集成无源元件 876
6.3 化合物半导体器件及其集成电路 877
6.3.1 化合物半导体功率器件与集成 878
6.3.2 高迁移率沟道集成电路 880
6.3.3 硅光子集成电路 882
6.3.4 射频集成电路 884
6.3.5 微波单片集成电路 885
6.4 微机电系统制造 888
6.4.1 湿法刻蚀 888
6.4.2 干法刻蚀 891
6.4.3 牺牲层技术 894
6.4.4 键合技术 896
6.4.5 空腔-SOI 899
6.4.6 微机电系统与CMOS集成 900
6.5 单项工艺 904
6.5.1 光刻工艺 905
6.5.2 移相掩模 907
6.5.3 浸没式光刻 908
6.5.4 极紫外光刻技术 909
6.5.5 计算光刻技术 911
6.5.6 氧化工艺 913
6.5.7 扩散工艺 915
6.5.8 离子注入 916
6.5.9 等离子体掺杂 917
6.5.10 退火工艺 919
6.5.11 物理气相沉积及溅射工艺 920
6.5.12 化学气相沉积工艺 922
6.5.13 原子层沉积 923
6.5.14 化学机械抛光工艺 924
6.5.15 外延工艺 925
6.5.16 干法刻蚀和清洗 926
6.5.17 湿法刻蚀和清洗 928
6.6 模块工艺 930
6.6.1 双阱工艺 930
6.6.2 隔离工艺 931
6.6.3 沟道工艺 932
6.6.4 多晶硅栅 932
6.6.5 高k金属栅工艺 933
6.6.6 硅化物工艺 934
6.6.7 接触孔工艺 935
6.6.8 铝／铜互连工艺与双镶嵌法 936
6.6.9 双重图形化技术 938
6.6.10 应变硅（压应力／张应力） 940
6.6.11 嵌入式源漏选择性外延 942
6.7 集成工艺 943
6.7.1 前段集成工艺 943
6.7.2 中段集成工艺 954
6.7.3 后段集成工艺 956
6.7.4 CMOS集成工艺 959
6.7.5 非易失性存储器集成工艺 967
6.7.6 三维NAND集成工艺 973
6.7.7 动态随机存储器集成工艺 975
6.7.8 设计-工艺协同优化技术 978
6.8 集成电路企业类型 980
6.8.1 整合器件制造公司 980
6.8.2 无生产线集成电路设计公司 981
6.8.3 模块制造公司 982
6.8.4 集成电路圆片代工企业 983
6.8.5 IP设计和服务公司 985
6.8.6 外包半导体封装测试厂 987
6.8.7 掩模版制造厂 988
6.8.8 半导体设备制造公司 989
6.8.9 半导体材料制造公司 989
6.8.10 电子设计自动化软件公司 990
6.8.11 分销商与销售代理 992
6.9 集成电路制造企业管理和模式 993
6.9.1 组织架构 993
6.9.2 战略管理 994
6.9.3 计划管理 996
6.9.4 技术管理 997
6.9.5 品质管理 998
6.9.6 市场和销售管理 999
6.9.7 洁净厂房管理 1000
6.9.8 物料管控 1001
6.9.9 设备维护管理 1003
6.9.10 废弃物处理管理 1004
6.9.11 环境保护管理 1005
6.9.12 安全管理 1006
6.9.13 信息安全管理 1007
第7章 集成电路封装测试 1009
7.1 集成电路封装测试业的发展 1011
7.1.1 全球封测业发展现状与趋势 1011
7.1.2 中国集成电路封测业发展现状与特点 1012
7.1.3 中国集成电路封测产业链的协同创新 1013
7.1.4 全球封测业的主要运营模式 1015
7.1.5 全球主要IDM企业的封测业务 1016
7.1.6 中国半导体封装技术研究机构 1018
7.2 集成电路封装类型 1019
7.2.1 传统封装的定义与作用 1019
7.2.2 主要封装类型的变迁 1021
7.2.3 传统封装 1023
7.2.4 先进封装 1027
7.2.5 通孔插装类封装和表面贴装类封装 1028
7.2.6 四面引线扁平封装 1031
7.2.7 有机基板封装 1033
7.2.8 圆片级封装 1035
7.2.9 系统级封装 1036
7.2.10 微系统封装 1038
7.2.11 多芯片组件封装 1039
7.2.12 嵌入式封装 1040
7.2.13 三维封装 1042
7.2.14 板上芯片封装 1043
7.2.15 基板类封装 1045
7.2.16 外壳封装分类 1046
7.2.17 封装互连分类 1048
7.2.18 引线框架类封装 1051
7.2.19 气密性封装和非气密性封装 1052
7.2.20 封装类型的选择 1053
7.3 传统封装关键工艺及典型流程 1054
7.3.1 圆片减薄工艺 1054
7.3.2 划片工艺 1055
7.3.3 装片工艺 1056
7.3.4 引线键合工艺 1059
7.3.5 塑封工艺 1061
7.3.6 电镀工艺 1063
7.3.7 SOP封装工艺 1064
7.3.8 QFN封装工艺 1066
7.3.9 键合BGA工艺 1067
7.3.10 金属封装工艺 1070
7.3.11 陶瓷封装工艺 1071
7.4 先进封装典型流程及关键工艺 1073
7.4.1 凸块工艺流程与技术 1073
7.4.2 倒装芯片工艺 1076
7.4.3 倒装芯片球栅阵列工艺与技术 1077
7.4.4 倒装芯片尺寸级封装工艺流程与技术 1080
7.4.5 叠层封装工艺流程与技术 1084
7.4.6 圆片级芯片尺寸封装工艺流程与技术 1087
7.4.7 扇出型圆片级封装工艺流程与技术 1090
7.4.8 硅通孔封装工艺流程与技术 1092
7.4.9 三维封装工艺流程与技术 1095
7.4.10 板级埋入式封装工艺流程与技术 1099
7.4.11 系统级封装工艺流程与技术 1103
7.5 先进封装设计技术 1106
7.5.1 典型先进封装选型和设计要点 1106
7.5.2 芯片-封装-PCB协同设计 1108
7.5.3 封装设计中的电气性能考量 1110
7.5.4 封装设计中的热性能考量 1112
7.5.5 封装设计中的材料与结构性能考量 1114
7.5.6 封装设计中的电-热-力多物理场耦合设计 1116
7.5.7 可制造性、可靠性和可测性协同设计 1117
7.5.8 封装设计与仿真流程 1118
7.5.9 封装设计与仿真工具现状及发展趋势 1120
7.5.10 SiP和SoC的协同发展 1122
7.6 集成电路测试技术 1123
7.6.1 集成电路测试技术定义 1123
7.6.2 数字集成电路测试 1125
7.6.3 模拟集成电路测试 1127
7.6.4 混合信号集成电路测试 1129
7.6.5 存储器集成电路测试技术 1132
7.6.6 高速信号集成电路测试 1133
7.6.7 射频集成电路测试 1135
7.6.8 可编程器件测试技术 1137
7.6.9 系统芯片测试 1141
7.6.10 物联网芯片／微机电系统芯片测试 1143
7.6.11 测试成本优化 1145
7.6.12 故障模型 1146
7.6.13 可测性设计 1148
7.6.14 测试数据管理 1150
7.6.15 测试平台技术 1152
7.7 集成电路封装可靠性 1154
7.7.1 集成电路封装可靠性定义 1154
7.7.2 集成电路封装可靠性设计 1155
7.7.3 集成电路封装可靠性试验的分类与作用 1158
7.7.4 集成电路封装可靠性试验标准 1159
7.7.5 集成电路封装可靠性试验程序 1161
7.7.6 集成电路封装失效分析方法 1164
7.7.7 集成电路封装失效分析流程 1165
7.7.8 集成电路封装典型失效模式与分类 1167
7.7.9 集成电路封装失效机理 1168
7.7.10 集成电路封装可靠性模拟分析 1171
7.8 集成电路封装的标准化 1173
7.8.1 国际封装标准化组织 1173
7.8.2 中国封装标准化组织 1174
7.8.3 封装外形和封装命名的标准化 1175
7.8.4 集成电路封装的国家标准 1176
7.8.5 GJB与MIL标准 1178
7.8.6 JEDEC标准 1179
7.8.7 IPC标准 1182
7.8.8 AEC-Q100标准 1184
第8章 集成电路专用设备 1187
8.1 集成电路设备产业发展 1189
8.1.1 国际集成电路设备产业发展概况 1189
8.1.2 全球各市场区域集成电路设备产业发展的特点 1190
8.1.3 中国集成电路设备产业发展阶段 1193
8.1.4 中国集成电路设备产业发展现状 1194
8.2 硅片制备设备 1197
8.2.1 硅片制备设备概况 1197
8.2.2 直拉单晶炉 1199
8.2.3 区熔单晶炉 1201
8.2.4 滚磨机 1203
8.2.5 切片机 1206
8.2.6 硅片退火炉 1210
8.2.7 倒角机 1212
8.2.8 研磨机 1215
8.2.9 硅片刻蚀机 1219
8.2.10 抛光机 1221
8.2.11 双面磨片机 1224
8.2.12 单面磨片机 1226
8.2.13 边缘抛光机 1228
8.2.14 双面抛光机 1233
8.2.15 单面抛光机 1234
8.2.16 硅片清洗机 1238
8.3 掩模制造设备 1240
8.3.1 掩模制造设备的发展与展望 1240
8.3.2 掩模制造设备概述 1242
8.3.3 掩模检查设备 1244
8.3.4 激光差动共焦显微镜 1245
8.3.5 掩模关键尺寸测量系统 1247
8.3.6 掩模缺陷和污染检测系统 1249
8.3.7 掩模版自动检测系统 1250
8.3.8 掩模修补系统 1252
8.3.9 光学图形发生器 1254
8.3.10 分步重复系统 1255
8.3.11 激光直写系统 1257
8.3.12 基于DMD的激光掩模直写系统 1259
8.3.13 电子束曝光系统 1262
8.3.14 投影式电子束曝光系统 1264
8.3.15 掩模光刻胶处理及清洗设备 1266
8.3.16 掩模光刻胶涂覆设备 1267
8.3.17 光刻胶去除装置 1268
8.3.18 掩模复印机 1269
8.3.19 掩模湿法刻蚀设备 1270
8.3.20 掩模干法刻蚀设备 1271
8.3.21 掩模版保护膜安装仪 1272
8.3.22 掩模图形数据处理系统 1273
8.4 光刻设备 1275
8.4.1 光刻机简介 1275
8.4.2 光刻机发展历史 1277
8.4.3 接触／接近式光刻机 1279
8.4.4 步进重复光刻机 1280
8.4.5 步进扫描光刻机 1283
8.4.6 浸没式光刻机 1287
8.4.7 极紫外光刻机 1288
8.4.8 无掩模光刻系统 1290
8.4.9 电子束光刻系统 1291
8.4.10 纳米电子束直写系统 1292
8.4.11 多电子束光刻机 1294
8.4.12 纳米压印设备 1295
8.4.13 圆片匀胶显影设备 1297
8.4.14 湿法去胶设备 1301
8.5 扩散及离子注入设备 1303
8.5.1 扩散及离子注入设备简介 1303
8.5.2 卧式扩散炉 1305
8.5.3 立式扩散炉 1307
8.5.4 退火炉 1309
8.5.5 高压氧化炉 1310
8.5.6 中束流离子注入机 1311
8.5.7 大束流离子注入机 1314
8.5.8 高能离子注入机 1315
8.5.9 快速热处理设备 1317
8.6 薄膜生长设备 1320
8.6.1 薄膜生长原理与设备 1320
8.6.2 物理气相沉积设备 1326
8.6.3 化学气相沉积和外延设备 1327
8.6.4 真空蒸镀设备 1329
8.6.5 直流物理气相沉积设备 1331
8.6.6 射频物理气相沉积设备 1332
8.6.7 磁控溅射设备 1334
8.6.8 离子化物理气相沉积设备 1337
8.6.9 常压化学气相沉积设备 1340
8.6.10 低压化学气相沉积设备 1341
8.6.11 等离子体增强化学气相沉积设备 1342
8.6.12 高密度等离子体增强化学气相沉积设备 1345
8.6.13 金属化学气相沉积设备 1347
8.6.14 原子层沉积设备 1350
8.6.15 光化学气相沉积 1353
8.6.16 激光化学气相沉积 1354
8.6.17 电子回旋共振等离子化学气相沉积设备 1355
8.6.18 金属有机化学气相沉积设备 1356
8.6.19 分子束外延系统 1358
8.6.20 气相外延系统 1360
8.6.21 液相外延系统 1362
8.6.22 化学束外延系统 1364
8.6.23 离子团束外延系统 1365
8.6.24 低能离子束外延系统 1366
8.6.25 匀胶机 1368
8.7 等离子体刻蚀设备 1369
8.7.1 等离子体刻蚀原理及设备简介 1369
8.7.2 等离子体刻蚀设备的分类 1371
8.7.3 等离子体刻蚀设备的应用及展望 1375
8.7.4 离子束刻蚀设备 1377
8.7.5 等离子刻蚀设备 1379
8.7.6 反应离子刻蚀设备 1380
8.7.7 磁场增强反应离子刻蚀设备 1382
8.7.8 电容耦合等离子体刻蚀设备 1384
8.7.9 电感耦合等离子体刻蚀设备 1387
8.7.10 电子回旋共振等离子体刻蚀设备 1391
8.7.11 螺旋波等离子体刻蚀设备 1393
8.7.12 表面波等离子体刻蚀设备 1396
8.7.13 原子层刻蚀设备 1398
8.7.14 等离子体去胶设备 1401
8.7.15 干法清洗设备 1404
8.7.16 等离子体刻蚀设备的主机平台 1407
8.7.17 等离子体刻蚀设备反应腔部件的材料 1410
8.7.18 等离子体刻蚀设备中的静电吸盘 1412
8.8 湿法设备 1415
8.8.1 湿法工艺设备概述 1415
8.8.2 槽式圆片清洗系统 1418
8.8.3 槽式圆片刻蚀机 1420
8.8.4 单圆片湿法设备 1421
8.8.5 单圆片清洗设备 1423
8.8.6 单圆片刷洗设备 1426
8.8.7 单圆片刻蚀设备 1428
8.8.8 单槽体圆片清洗机 1430
8.8.9 低温超临界流体圆片清洗机 1432
8.8.10 化学机械抛光机 1434
8.8.11 无应力抛光设备 1436
8.8.12 电化学镀铜设备 1439
8.9 工艺检测设备 1441
8.9.1 工艺检测设备的作用和主要类型 1441
8.9.2 套刻误差测量设备 1442
8.9.3 关键尺寸扫描电子显微镜 1446
8.9.4 光学薄膜测量设备 1448
8.9.5 光学关键尺寸测量设备 1450
8.9.6 明场光学图形圆片缺陷检测设备 1453
8.9.7 暗场光学图形圆片缺陷检测设备 1455
8.9.8 无图形圆片表面检测系统 1457
8.9.9 宏观缺陷检测设备 1459
8.9.10 电子束图形圆片缺陷检测设备 1461
8.9.11 缺陷分析扫描电子显微镜 1463
8.9.12 X射线测量设备 1465
8.9.13 原子力显微镜 1467
8.9.14 聚焦离子束显微镜 1469
8.9.15 傅里叶变换红外光谱仪 1470
8.9.16 薄膜应力测试设备 1471
8.9.17 四探针方块电阻测试仪 1473
8.9.18 表面台阶仪 1475
8.10 组装与封装设备 1476
8.10.1 组装与封装工艺及设备 1476
8.10.2 圆片减薄机 1478
8.10.3 砂轮划片机 1481
8.10.4 激光划片机 1484
8.10.5 临时键合／解键合机 1487
8.10.6 圆片键合机 1488
8.10.7 植球机 1489
8.10.8 黏片机 1491
8.10.9 引线键合机 1492
8.10.10 倒装机 1495
8.10.11 助焊剂清洗机 1497
8.10.12 回流炉 1498
8.10.13 塑封机 1500
8.10.14 电镀及浸焊生产线 1501
8.10.15 切筋成型机 1502
8.10.16 激光打标设备 1503
8.11 主要公用部件 1504
8.11.1 前段模块 1504
8.11.2 机械手 1505
8.11.3 气体质量流量控制器 1508
8.11.4 射频电源 1510
8.11.5 尾气处理装备 1511
8.11.6 干泵 1513
8.11.7 冷泵 1515
8.11.8 分子泵 1516
8.11.9 低温冷却器 1517
8.11.10 阀门 1519
8.11.11 气路系统 1520
8.11.12 静电吸盘 1522
8.11.13 反应腔喷淋头 1523
8.11.14 反应腔室 1524
8.12 集成电路测试设备 1525
8.12.1 集成电路测试设备概述 1525
8.12.2 通用数字集成电路测试系统 1527
8.12.3 存储器测试系统 1528
8.12.4 SoC测试系统 1529
8.12.5 模拟／混合集成电路自动测试系统 1532
8.12.6 射频集成电路自动测试系统 1534
8.12.7 定制化测试设备 1536
8.12.8 测试仪表 1537
8.13 生产线其他相关设备 1538
8.13.1 电感耦合等离子体质谱仪 1538
8.13.2 离子色谱仪 1538
8.13.3 热脱附气相色谱质谱仪 1539
8.13.4 自动滴定仪 1540
8.13.5 研磨液颗粒计数仪 1541
8.13.6 液体颗粒计数仪 1541
第9章 集成电路专用材料 1543
9.1 硅材料 1545
9.1.1 集成电路对硅材料的要求 1545
9.1.2 高纯多晶硅 1548
9.1.3 单晶硅 1549
9.1.4 非晶硅薄膜 1551
9.1.5 纳米硅材料 1552
9.1.6 硅外延单晶薄膜 1554
9.1.7 SOI材料 1555
9.1.8 硅基SiGe薄膜 1558
9.1.9 硅基应变硅薄膜 1559
9.1.10 硅基碳管 1560
9.1.11 硅基石墨烯 1561
9.1.12 硅基发光材料 1562
9.2 硅片加工 1563
9.2.1 晶体热处理 1563
9.2.2 晶体定向 1564
9.2.3 晶锭切断工艺 1565
9.2.4 切片工艺 1566
9.2.5 研磨工艺 1567
9.2.6 抛光工艺和抛光片 1569
9.2.7 硅片清洗与包装 1571
9.3 硅材料中的缺陷与杂质 1573
9.3.1 点缺陷 1573
9.3.2 线缺陷 1574
9.3.3 面缺陷 1575
9.3.4 体缺陷 1577
9.3.5 微缺陷 1578
9.3.6 直拉单晶硅中的氧 1579
9.3.7 直拉单晶硅中的碳 1580
9.3.8 直拉单晶硅中的氮 1581
9.3.9 直拉单晶硅中的金属杂质 1582
9.3.10 滑移位错 1583
9.3.11 失配位错 1585
9.3.12 氧化诱生层错 1586
9.3.13 外延缺陷 1587
9.3.14 诱生微缺陷 1588
9.4 化合物半导体 1590
9.4.1 化合物半导体材料 1590
9.4.2 集成电路对化合物半导体材料的要求 1590
9.4.3 砷化镓单晶的制备 1592
9.4.4 砷化镓热处理和晶片加工 1594
9.4.5 砷化镓外延 1595
9.4.6 磷化铟的性质 1597
9.4.7 磷化铟单晶制备 1598
9.4.8 铟镓砷 1599
9.4.9 氮化镓单晶 1600
9.4.10 氮化镓薄膜 1602
9.4.11 蓝宝石晶体与衬底材料 1602
9.4.12 碳化硅单晶 1603
9.4.13 碳化硅薄膜 1605
9.4.14 化合物量子阱材料 1606
9.4.15 化合物量子点材料 1607
9.5 光掩模和光刻胶材料 1609
9.5.1 集成电路对光掩模材料的要求及发展 1609
9.5.2 光掩模基板材料 1610
9.5.3 匀胶铬版光掩模 1612
9.5.4 移相光掩模 1614
9.5.5 极紫外光掩模 1616
9.5.6 硬掩模 1617
9.5.7 光刻胶 1618
9.5.8 g线和i线的紫外光刻胶 1621
9.5.9 KrF和ArF深紫外光刻胶 1623
9.5.10 极紫外光刻胶 1624
9.5.11 新型光刻胶材料 1625
9.5.12 光敏聚酰亚胺 1627
9.5.13 抗反射涂层 1629
9.5.14 光刻胶配套试剂 1629
9.6 工艺辅助材料 1630
9.6.1 浸没液体 1630
9.6.2 高纯特种气体 1632
9.6.3 硅片精密加工材料 1637
9.6.4 石英制品 1639
9.6.5 高纯化学试剂 1642
9.6.6 清洗腐蚀试剂 1643
9.6.7 化学机械抛光液 1645
9.6.8 化学机械抛光垫和化学机械修整盘 1646
9.6.9 掺杂试剂 1647
9.6.10 铝靶 1648
9.6.11 钛靶 1650
9.6.12 钽靶 1651
9.6.13 铜靶 1653
9.6.14 贵金属靶 1654
9.7 封装结构材料 1655
9.7.1 引线框架材料 1655
9.7.2 塑封材料 1657
9.7.3 陶瓷封装材料 1658
9.7.4 金属封装材料 1661
9.7.5 陶瓷基板材料 1663
9.7.6 有机封装基板 1664
9.7.7 贵金属及其键合引线材料 1666
9.7.8 键合铜线、铝线及其合金引线材料 1668
9.7.9 导电胶黏结材料 1671
9.7.10 绝缘黏结胶材料 1672
9.7.11 焊料 1672
9.7.12 底填料 1675
第10章 集成电路基础研究与前沿技术发展 1679
10.1 非传统新结构器件 1681
10.1.1 栅极全环绕器件 1681
10.1.2 隧道场效应晶体管 1682
10.1.3 碰撞电离MOS器件 1684
10.1.4 自旋场效应晶体管 1685
10.1.5 负栅电容晶体管 1687
10.1.6 磁阻式随机存储器 1690
10.1.7 自旋转移力矩磁随机存储器 1693
10.1.9 相变存储器 1695
10.1.9 阻变随机存储器 1698
10.1.10 忆阻器 1700
10.1.11 准SOI器件 1702
10.2 新型集成电路 1705
10.2.1 人工神经网络 1705
10.2.2 类脑芯片 1707
10.2.3 可重构计算集成电路 1709
10.2.4 太赫兹集成电路 1711
10.2.5 量子集成电路 1713
10.2.6 认知无线电集成电路 1715
10.2.7 非易失性逻辑集成电路 1717
10.2.8 生物医学芯片 1720
10.3 集成电路新材料 1722
10.3.1 金刚石 1722
10.3.2 石墨烯 1724
10.3.3 类石墨烯材料 1726
10.3.4 纳米线材料 1728
10.3.5 碳纳米管 1730
10.3.6 锗锡 1732
10.3.7 量子线材料 1735
10.3.8 拓扑绝缘体 1736
10.4 先进集成电路制造技术 1738
10.4.1 超低介电常数和空气隙技术 1738
10.4.2 等离子体掺杂 1739
10.4.3 纳米压印 1742
10.4.4 定向自组装光刻技术 1743
10.5 新型集成与互连 1746
10.5.1 三维互连工艺 1746
10.5.2 基于TSV的三维集成电路 1748
10.5.3 片上光互连 1750
10.6 纳米级器件模型与模拟 1751
10.6.1 半导体技术计算机辅助设计 1751
10.6.2 蒙特卡洛器件模拟 1753
10.6.3 准弹道输运 1754
10.6.4 非平衡格林函数 1756
10.6.5 分子动力学模拟 1757
10.6.6 第一性原理 1759
10.6.7 密度泛函理论 1760
10.6.8 原子级器件模拟 1761
10.7 柔性半导体器件 1762
10.7.1 可延展无机半导体器件 1762
10.7.2 可折叠硅集成电路 1764
10.7.3 柔性薄膜晶体管 1765
10.7.4 有机场效应晶体管 1768
10.7.5 柔性存储器 1769
10.7.6 柔性衬底技术 1771
10.7.7 柔性电子标签 1773
10.7.8 柔性微机电系统技术 1774
10.7.9 有机半导体材料 1776
10.7.10 有机半导体异质结 1778
10.7.11 有机发光二极管 1779
10.7.12 有机光探测器 1780
10.7.13 有机太阳电池 1781
10.8 集成微系统技术 1783
10.8.1 可植入式微系统 1783
10.8.2 纳米能源器件 1784
10.8.3 体硅微加工工艺 1785
10.8.4 表面硅微加工工艺 1786
10.8.5 光刻-电镀-注塑技术 1787
10.8.6 智能传感器 1788
10.9 先进表征技术与测试技术 1789
10.9.1 导电原子力显微镜 1789
10.9.2 原子探测断层成像 1791
10.9.3 非弹性电子隧道谱技术 1792
10.9.4 飞秒激光技术 1794
10.9.5 低功耗测试 1795
10.9.6 三维集成电路测试 1796
10.9.7 嵌入式内核测试 1798
10.9.8 缺陷容忍度 1800
10.9.9 自适应测试 1801
10.9.10 硬件安全和可信度 1803
附录A集成电路企业简介 1807
A.1 全球部分半导体企业简表 1807
A.2 全球重要半导体企业排名 1810
A.2.1 全球重要集成电路设计企业排名 1810
A.2.2 全球重要集成电路制造企业排名 1811
A.2.3 全球重要集成器件制造商排名 1811
A.2.4 全球重要集成电路封装测试企业排名 1812
A.2.5 全球重要圆片制造设备供应商排名 1813
A.2.6 全球重要车用半导体供货商排名 1813
A.2.7 全球重要MEMS企业排名 1814
A.3 中国重要半导体企业排名 1814
A.3.1 中国重要集成电路设计企业排名 1814
A.3.2 中国重要集成电路制造企业排名 1815
A.3.3 中国重要半导体封装测试企业排名 1815
A.3.4 中国其他重要半导体企业 1816
A.4 中国半导体与集成电路产业联盟 1818
A.4.1 中国半导体产业相关联盟 1818
A.4.2 中国半导体产业相关联盟简介 1818
A.5 索尔维会议 1822
附录B常用参考表 1825
B.1 希腊字母表 1825
B.2 常用物理化学参考表 1826
B.2.1 元素周期表 1826
B.2.2 集成电路制造常用元素 1827
B.2.3 常用气体的物理化学特性表 1828
B.2.4 部分液体的物理化学特性表 1829
B.2.5 常用半导体材料参数表 1830
B.2.6 物理化学常量数 1831
B.3 常用数学常数表 1832
B.4 常用物理学常量表 1834
B.4.1 通用物理常量表 1834
B.4.2 电磁学常量表 1834
B.4.3 原子与原子核常量表 1835
B.5 国际单位制（SI Units） 1835
B.5.1 国际单位制基本单位 1835
B.5.2 国际单位制导出单位 1836
B.5.3可与国际单位制单位并用的我国法定计量单位 1837
B.5.4国际单位制词头 1838
B.6 常用单位换算表 1838
B.6.1常用长度单位换算表 1838
B.6.2常用面积单位换算表 1838
B.6.3常用体积和容量单位换算表 1839
B.6.4其他常用单位换算表 1839
B.6.5常用货币换算表 1840
附录C集成电路常用缩写语 1841
附录D集成电路产业常用词汇 1853
索引 1869