目录 1
硅材料特性和器件功能之间的关系 1
硅衬底中的缺陷 13
用预氧化吸收来消除硅片的氧化诱生堆垛层错Ⅰ．磷扩散诱生失配位错 39
用预氧化吸收来消除硅片的氧化诱生堆垛层错Ⅱ．Si3N4工艺 46
用预氧化吸收来消除硅片的氧化诱生堆垛层错Ⅲ．缺陷腐蚀坑与P-N结漏电流的关系 55
硅中氧化诱生堆垛层错一、成核现象 63
硅中氧化诱生堆垛层错二、在P-N结二极管中的电效应 77
硅中硅氧化物的非均相沉淀 98
退火硅表面的堆垛层错 109
硅器件中工艺诱生缺陷和软P-N结之间的关系 117
硅片退火对环状缺陷产生的影响 122
堆垛层错对场效应管器件漏电流的影响 133
硅光导型摄象管中晶格缺陷引起的图象损坏 138
吸收和位错 146
显示〈100〉硅晶体缺陷的化学腐蚀的比较 155
显示硅单晶中缺陷的一种新的择优腐蚀液 163
封闭舟：一种硅片成批处理的新方法 171