目录 6
序 6
引论 7
第一章 现代半导体理论的要点 11
§1 能带理论的概念 11
§2 电子在能级上的统计分布。导体、绝缘体和半导体 14
§3 能带理论的评论及其适用领域 19
§4 接触电势差 21
§5 能带的弯曲 24
§6 晶体中的表面能级 26
§7 理论中所遇到的常数的测定 29
第二章 固体整流器的基本实验数据 34
§8 固体整流器的类型及其制造 34
§9 伏安特性曲线和伏欧特性曲线 37
§10 整流器的电容和等效线路 41
§11 滞后，蠕变和陈化 43
§12 整流器封锁层本质的研究 44
§13 用交流电流研究固体整流器 47
第三章 半导体整流作用理论中所应用的基本方程式 49
§14 一种载流子在稳定状态的情形 49
§15 服从费密统计（部分简并）的粒子流的表达式 53
§16 两种载流子在非稳定状态情形下的完全方程组 57
§17 边界条件 64
§18 解方程式的近似方法 69
§19 电场，电势分布，载流子浓度和电压降的一般积分 70
第四章 考虑一种载流子的金属与半导体接触理论 74
§20 接触处各种现象的物理状态 74
§21 具有给定体电荷的理论 79
§22 杂质能级有储备的情况 82
§23 杂质能级的部分耗尽 86
§24 二极管理论 91
§25 镜像力的计算 94
§26 理论与实验的比较 97
第五章 考虑两种载流子的金属与半导体接触的理论 101
§27 计算方法和基本结果 101
§28 电场和电压降的确定 105
§29 接触区域的扩散方程式的解 107
§30 复合区域的计算 112
第六章 同一传导类型的两种半导体的接触 118
§31 两种半导体接触的物理特性 118
§32 原始方程式和计算法 120
§33 弱电流区域 125
§34 强电流区域 129
§35 电导率数值极不同的两种半导体的接触 133
§36 理论的物理基础 136
第七章 混合传导性的两种半导体的接触 136
§37 达维多夫的两种半导体接触的理论 141
§38 零级近似的计算 144
§39 接触区域的一级近似计算 149
§40 复合区域的计算 151
§41 电流的计算 154
第八章 不同传导类型的两种半导体的接触 158
§42 理论的物理基础 158
§43 通过接触的电流的计算 160
§44 系数A的大小的估计和浓度与x的关系的计算 164
§45 对所得电流表达式的分析和欧姆电压降的估计 169
第九章 两种半导体接触理论的各种方案的适用领域和 174
与实验的比较 174
§46 第七章和第八章中所作的计算的适用界限 174
§47 两种半导体接触的实验数据 178
§48 TiO2-Cu2O接触的数字例子 183
§49 其他情况中接触特性曲线的解释 188
第十章 半导体的电子-空穴结理论 191
§50 引论 191
§51 过渡区域中的电势分布和过渡电容 193
§52 复合对过渡层伏安特性曲线的影响 196
§53 简化的结的模型 199
§54 理论与实验的比较 201
第十一章 具有化学封锁层的固体整流器理论 206
§55 固体整流器模型的选择和理论的物理基础 206
§56 电场和电压降的确定 211
§57 扩散方程式的解 214
§58 复合区域的计算 220
§59 简化的固体整流器理论 222
§60 应用于各种类型的固体整流器的理论和与实验的定性比较 227
§61 氧化亚铜整流器的数字例子 229
第十二章 金属与半导体接触电阻的频率相倚性 236
§62 频率相倚性的物理原因 236
§63 载流子分布的弛豫 238
§64 由于建立固定电荷浓度的滞后电容与频率的关系 242
§65 离子运动的计算 244
第十三章 固体整流器的动力学理论 248
§66 理论的物理基础 248
§67 原始方程式的简化 251
§68 静力理论的应用范围 257
§69 频率对固定电荷在封锁层中分布的影响 260
§70 电场和电势的分布在中频范围 263
§71 电流与频率的关系 267
§72 数字的例子和结论 270
结论 整流理论进一步发展的远景 277
参考文献 279