1．1电子器件发展历程中的“潮流与波浪” 1
第1章 半导体器件的发展 1
1．2从体单晶时代向多层化薄膜器件时代的发展 3
练习题 6
第2章 半导体的电学性质 7
2．1半导体的导电率 7
2．2晶体中电子的有效质量 10
2．3电子状态密度 13
2．4载流子密度与温度及禁带宽度的依赖关系 18
2．4．1载流子密度与温度的关系 18
2．4．3载流子密度与费米能级位置的关系 19
2．4．2载流子密度随禁带宽度的变化 19
练习题 20
第3章 半导体界面的电子现象 21
3．1半导体的清洁表面与实际表面及其电子状态 21
3．2 pn结 24
3．3异质结 26
3．4金属-半导体界面 31
3．5半导体-电介质界面 36
3．6晶粒间界 40
练习题 42
4．1 pn结二极管 43
第4章 各种半导体二极管 43
4．1．1 pn结二极管的直流电流-电压特性 44
4．1．2 pn结二极管的交流特性 48
4．1．3 pn结二极管的直流电压-电容特性 49
4．1．4电压-电流特性理论的修正 51
4．2肖特基二极管的直流电流-电压特性 55
4．3异质结二极管 57
4．4江崎二极管与反向二极管的直流电流-电压特性 60
4．4．1电子穿过薄势垒的几率 60
4．4．2简并半导体pn结的电压-电流特性 61
4．4．3反向二极管的直流电流-电压特性 63
练习题 64
第5章 双极型功能器件 65
5．1晶体管的作用 65
5．1．1双极晶体管的结构 65
5．1．2接地电路与电流的流动 66
5．1．3输入-输出特性 69
5．2双极晶体管的工作原理 71
5．2．1晶体管的放大功能 71
5．2．2晶体管内部的电流输运机理 72
5．3晶体管的性能参数（α0*，β0，γ0，fa） 76
5．3．1发射极注入效率γ0 76
5．3．2基区输运效率β0 76
5．3．3高频特性 77
5．3．2收集效率α0* 77
5．4．1载流子扩散的渡越时间 79
5．4漂移晶体管 79
5．4．2漂移晶体管的结构和原理 80
5．5晶闸管与SCR，GTO 81
5．5．1晶闸管的结构与工作原理 81
5．5．2 SCR（silicon controlled rectifier） 83
5．5．3 GTO（gate turn off） 86
练习题 87
6．1场效应晶体管的工作原理 89
6．1．1场效应晶体管的分类与结构 89
第6章 MOS型控制器件 89
6．1．2 MOS器件的结构 90
6．2 MOS晶体管的电流-电压特性 92
6．2．1直流输出特性 94
6．2．2小信号交流特性 95
6．3 MOS晶体管的种类与结构 97
6．4 MOS存储器 99
6．4．1 MOS存储器的分类 99
6．4．2 DRAM与SRAM 99
6．5 CCD与BBD及其电荷转移功能 101
6．5．1 CCD 101
6．5．2 CCD的原理 102
6．5．3 CCD的用途 103
练习题 104
第7章 异质结器件 105
7．1 GaAs系异质结器件的重要性 105
7．1．1 GaAs系异质结器件是重要的发展趋势 105
7．1．2 GaAs的特征与物理基础 106
7．2异质结与二维电子气物理 106
7．2．1载流子关闭引起的二维效应 106
7．2．2能带结构 108
7．3．1 HEMT的基本结构与高电子迁移率特性 109
7．3 HEMT的工作原理和电学特性 109
7．3．2 HEMT的工作原理 112
7．3．3电学特性 114
7．4微波HEMT 116
7．4．1低噪声HEMT 116
7．4．2高输出HEMT 119
7．5超高速数字HEMT 120
7．5．1基本电路形式和开关特性 120
7．5．2计数器与可控制性 121
练习题 124
练习题简答 125
参考文献 129